本公开提供一种封装结构。该封装结构包括一第一基板和一第一电子组件。该第一电子组件设置于该第一基板的一第一穿孔之上。该第一电子组件通过该第一图案化电路层延伸超出该第一穿孔的一侧壁的一延伸部分电性连接至该第一基板的一第一图案化电路层。

本揭露提供一种电容器及其制造方法。电容器包括基材、下电极、介电层以及上电极。下电极包括第一下电极层与第二下电极层。第一下电极层具有杯状，设置于基材上。第一下电极层包括交替地堆叠的氮化钛层与氮化硅层。第二下电极层具有杯状，并包括氮化钛。第...

本发明公开了一种信号补偿方法，信号补偿方法包含：当输入数据自第一电平转为第二电平时，将第一判别信号转为高电平；当输入数据自第二电平转为第一电平时，将第二判别信号转为低电平；响应于第一判别信号和第二判别信号产生第一控制信号和第二控制信号；...

一种半导体元件，包括：基底；设置于基底上的第一栅极结构；设置于基底上并紧邻第一栅极结构的一第二栅极结构；设置于基底上并位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的一能量可移除材料层；设置于基底上并覆盖第一栅极结构与第二栅极结构的一介电层；以及沿...

一种半导体结构及其形成方法。形成半导体结构的方法包括多个流程。多个导体形成于位在基板上的第一介电层内。覆盖多个导体的多个第一导电通孔形成于在基板上的第二介电层内。多个电极形成于在基板上的第三介电层内，其中多个电极中的每一者重叠到多个第一...

本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；设置于该基底上的一第一栅极结构；设置于该基底上并紧邻该第一栅极结构的一第二栅极结构；设置于该基底上并位于第一栅极结构与该第二栅极结构之间的一能量可移除材料层；设置于该基底上并...

本发明提供一种动态随机存取存储器芯片的字线泵装置及其钳位电路。动态随机存取存储器芯片自外部接收第一电压与第二电压，其中第一电压小于第二电压。钳位电路于字线泵装置未接收到电源电压时，将字线电压钳位在第二电压。

一种测试方法包含以下步骤：存取存储器芯片，以使存储器芯片进入写入均衡模式；于写入均衡模式下，输入选通信号至存储器芯片；于写入均衡模式下，调整选通信号的多个信号边缘，以采样存储器芯片中时脉信号的时脉状态；于写入均衡模式下，根据选通信号以产...

一种半导体结构包括基板、位元线结构，氧化物阻障层及位元线覆盖层。位元线结构设置于基板上，其中位元线结构包括导电硅层、导电层及硬遮罩层。导电层设置于导电硅层上，其中导电层包括金属。硬遮罩层设置于导电层上。氧化物阻障层设置为直接接触位元线结...

一种测试方法包含以下步骤：输入第一信号至存储器芯片；根据第一信号以使存储器芯片进入自刷新模式；根据第一信号输入激活命令，以测试存储器芯片，借以产生第一测试结果；调整第一信号的频宽以产生第二信号，借以输入至存储器芯片；根据第二信号以使存储...

本申请提供一种存储器元件封装。该存储器元件封装包括一基底，该基底具有一第一芯片区、一第二芯片区以及连接在该第一芯片区与该第二芯片区之间的一第一切割道区。该存储器元件封装还包括设置于该第一芯片区上面的一第一存储器芯片以及设置于该第二芯片区...

本申请提供一种存储器元件封装以及制备方法。该存储器元件封装包括一基底，该基底具有一第一芯片区、一第二芯片区以及连接在该第一芯片区与该第二芯片区之间的一第一切割道区。该存储器元件封装还包括设置于该第一芯片区上面的一第一存储器芯片以及设置于...

本揭示内容提供一种存储器测试系统及存储器测试方法。存储器测试系统包括至少一存储器装置、电源供应器以及处理器。电源供应器用以根据控制信号提供第一参考电压至至少一存储器装置。处理器用以提供控制信号以控制电源供应器在多个电压位准之间改变第一参...

一种半导体结构包含介电层堆叠、隔离结构、衬垫层与触点。隔离结构接触介电层堆叠的侧壁，其中介电层堆叠的侧壁与隔离结构的侧壁定义尖角。衬垫层位于尖角，其中衬垫层的侧壁、介电层堆叠的侧壁与隔离结构的侧壁定义圆角。触点与介电层堆叠的侧壁、隔离结...

本申请提供一种包括设置于半导体基底上的互连结构的半导体元件。该互连结构包括一第一互连部分及一第二互连部分。该半导体元件还包括设置于该第一互连部分与该第二互连部分之间的一第一多孔介电质部分，以及围绕该第一多孔介电质部分的一介电层。该半导体...

半导体封装构造包括基板和半导体晶片。基板包括窗口以及导电箔，窗口位于基板的中间部且穿透基板，其中基板有内侧壁环绕窗口。导电箔位于基板的上表面上，其中导电箔突出基板的内侧壁。半导体晶片位于基板的上表面上，其中导电箔位于基板与半导体晶片之间...

本申请提供一种包括设置于半导体基底上的互连结构的半导体元件。该半导体元件包含：设置于半导体基底上的互连结构，其中互连结构包括第一互连部分及第二互连部分；设置于该第一互连部分与该第二互连部分之间的第一多孔介电质部分；围绕该第一多孔介电质部...

本申请提供一种半导体元件。该半导体元件包括：一第一晶片；一第一重分布结构，设置于该第一晶片上；一第二晶片，设置于该第一重分布结构上，并包括一第一快取单元；一第三晶片，设置于该第一重分布结构上，与该第二晶片分开，并包括一第二快取单元；一第...

本公开提出一种半导体封装结构的制备方法，包括贴合第一元件裸片到封装基底，贴合的第一元件裸片的主动侧面朝封装基底，第一电连接件在第一元件裸片的贴合前，即预先形成在第一元件裸片的主动侧上，第一电连接件在第一元件裸片的贴合之后，即连接第一元件...

一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括：一第一芯片；一第一重分布结构，设置于该第一芯片上；一第二芯片，设置于该第一重分布结构上，并包括一第一快取单元；和一第三芯片，设置于该第一重分布结构上，与该第二芯片分开，并包括一第二快取单元。...