【技术实现步骤摘要】
本揭露是有关于一种电容器及其制造方法，特别是有关于一种用于电容器的下电极结构及其制造方法。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)利用电容器来存储数据。增加电容器的电容有助于增加dram的数据保留时间。随着电容器的特征尺寸减小，漏电流问题增加，进而推进新的电容器电极的几何结构、材料以及新的介电材料的发展。
2、因此，如何提出一种可解决上述问题的电容器及其制造方法，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题之一。
技术实现思路
1、有鉴于此，本揭露的一目的在于提出一种可解决上述问题的电容器及其制造方法。
2、根据本揭露的一些实施方式，一种用于存储器元件的电容器包括基材、下电极、介电层以及上电极。下电极包括第一下电极层与第二下电极层。第一下电极层具有杯状，设置于基材上。第一下电极层包括交替地堆叠的氮化钛层与氮化硅层。第二下电极层具有杯状，并包括氮化钛。第二下电极层的外表面接触第一下电极层的内表面。介电层共形地覆盖...
【技术保护点】
1.一种电容器，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，该介电层进一步共形地覆盖该下电极的顶表面与外表面。
3.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，该上电极共形地覆盖该下电极的顶表面与外表面。
4.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，该上电极包含氮化钛。
5.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，该第一下电极层的厚度与该第二下电极层的厚度的比值在自0.3至1.2的范围内。
6.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述多个氮化钛层的总厚度大于所述多个氮化硅层的总厚度。
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【技术特征摘要】
1.一种电容器，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，该介电层进一步共形地覆盖该下电极的顶表面与外表面。
3.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，该上电极共形地覆盖该下电极的顶表面与外表面。
4.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，该上电极包含氮化钛。
5.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，该第一下电极层的厚度与该第二下电极层的厚度的比值在自0.3至1.2的范围内。
6.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述多个氮化钛层的总厚度大于所述多个氮化硅层的总厚度。
7.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述多个氮化钛层中的一者设置在所述多个氮化硅层中的两者之间并与其接触。
8.一种制造电容器的方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄智雄，徐宁霜，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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