一种有机电致发光器件制造技术

公开了一种有机电致发光器件。所述有机电致发光器件包含薄的并与阴极直接接触的第一材料层，所述第一材料层包含具有低电子传输性能的第一材料，所述第一材料层作为电子注入层能使所述有机电致发光器件具有低电压、高效率的优异性能，具有大幅提升的器件寿命，同时还具有显著降低的低漂移电压，能实现相对于使用常规电子注入材料的有机电致发光器件有更加优秀的性能。还公开了一种电子组件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机电子器件，例如有机发光器件。更特别地，涉及一种包含和阴极直接接触的薄的第一材料层的有机电致发光器件。

技术介绍

1、有机电子器件包括但是不限于下列种类：有机发光二极管(oleds)，有机场效应晶体管(o-fets)，有机发光晶体管(olets)，有机光伏器件(opvs)，染料-敏化太阳能电池(dsscs)，有机光学检测器，有机光感受器，有机场效应器件(ofqds)，发光电化学电池(lecs)，有机激光二极管和有机电浆发光器件。

2、1987年，伊斯曼柯达的tang和van slyke报道了一种双层有机电致发光器件，其包括芳基胺空穴传输层和三-8-羟基喹啉-铝层作为电子传输层和发光层(applied physicsletters，1987,51(12):913-915)。一旦加偏压于器件，绿光从器件中发射出来。这个专利技术为现代有机发光二极管(oleds)的发展奠定了基础。最先进的oleds可以包括多层，例如电荷注入和传输层，电荷和激子阻挡层，以及阴极和阳极之间的一个或多个发光层。由于oleds是一种自发光固态器件，它为显示和照本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种有机电致发光器件，其包含：

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一材料的电子迁移率小于等于35*10-7cm2/(V·s)；优选地，所述第一材料的电子迁移率小于等于30*10-7cm2/(V·s)。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一材料满足：包含所述第一材料的仅电子器件在10mA/cm2的电流密度下的驱动电压VEOD@J10和包含所述第一材料的仅空穴器件在10mA/cm2的电流密度下的驱动电压VHOD@J10的比值满足公式(1)，

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一材料的HOMO能级大于...

【技术特征摘要】

1.一种有机电致发光器件，其包含：

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一材料的电子迁移率小于等于35*10-7cm2/(v·s)；优选地，所述第一材料的电子迁移率小于等于30*10-7cm2/(v·s)。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一材料满足：包含所述第一材料的仅电子器件在10ma/cm2的电流密度下的驱动电压veod@j10和包含所述第一材料的仅空穴器件在10ma/cm2的电流密度下的驱动电压vhod@j10的比值满足公式(1)，

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一材料的homo能级大于等于-5.60ev；优选地，所述第一材料的homo能级大于等于-5.50ev；更优选地，所述第一材料的homo能级大于等于-5.40ev。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一材料层的厚度小于等于优选地，所述第一材料层的厚度小于等于

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一材料为无机材料；优选地，所述第一材料为介电材料或氧化物；更优选地，所述第一材料选自氧化硅，氮化硅，ito，izo，igzo，或其组合。

7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一材料不包含碱金属。

8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述第一材料是有机材料。

9.如权利要求1或8所述的有机电致发光器件，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王静，高亮，庞惠卿，崔至皓，邝志远，
申请(专利权)人：北京夏禾科技有限公司，
类型：发明
国别省市：