一种有机电致发光器件制造技术

技术编号:46580328 阅读:4 留言:0更新日期:2025-10-10 21:20
公开了一种包含特殊多重共振热激活延迟荧光材料的有机电致发光器件,所述有机电致发光器件中至少包含第一电极,增强层,以及发光层;所述发光层,至少包含第一化合物和第二化合物,所述第一化合物选自磷光材料或热激活延迟荧光材料,第二化合物是作为敏化剂的磷光材料,所述第一化合物不是以下两个结构:通过器件结构和不同材料的组合,能进一步提升器件的效率,延长器件的寿命。还公开了一种包含所述有机电致发光器件的电子设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机电子器件,例如有机电致发光器件。更特别地,涉及含有增强层的有机电致发光器件的结构及其所在的电子设备。


技术介绍

1、有机电致发光器件(oled)由阴极、阳极和在阴、阳极之间的一系列有机发光材料堆叠而成,其可通过在器件阴、阳极两端施加电压,将电能转换成光,具有宽广角、高对比度和更快的响应时间等优点。伊斯曼柯达公司的tang和van slyke于1987年报道了一种有机发光器件,其包括芳基胺空穴传输层和三-8-羟基喹啉-铝层作为电子传输层和发光层(applied physics letters,1987,51(12):913-915),这项专利技术为现代有机发光二极管(oleds)的发展奠定了基础。

2、oled根据其发光机制可以分为三种类型,分别是荧光、磷光和热激活延迟荧光(tadf)。根据自旋统计,单重态激子(s1)仅占比25%,三重态激子(t1)占比75%,而传统荧光oled是基于单重态激子的辐射跃迁而直接发出荧光,三重态激子则会通过非辐射途径耗散,因此传统荧光oled的激子利用率低,理论最大内量子效率(iqe)仅为25%;本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件包含第一电极,增强层,以及发光层;

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,所述第一化合物选自多重共振热激活延迟荧光材料。

3.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件,其中,所述第一化合物具有由式1-式3中任一种表示的结构:

4.如权利要求3所述的有机电致发光器件,所述式1-式3中,环A、环B、环C和环D各自独立地选自五元不饱和碳环、具有6-18个碳原子的芳环或具有3-18个碳原子的杂芳环;

5.如权利要求3所述的有机电致发光器件,所述式1-式3中,Z1-Z3各自独立地选自B,N,P...

【技术特征摘要】

1.一种有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件包含第一电极,增强层,以及发光层;

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,所述第一化合物选自多重共振热激活延迟荧光材料。

3.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件,其中,所述第一化合物具有由式1-式3中任一种表示的结构:

4.如权利要求3所述的有机电致发光器件,所述式1-式3中,环a、环b、环c和环d各自独立地选自五元不饱和碳环、具有6-18个碳原子的芳环或具有3-18个碳原子的杂芳环;

5.如权利要求3所述的有机电致发光器件,所述式1-式3中,z1-z3各自独立地选自b,n,p,或p=o;

6.如权利要求3所述的有机电致发光器件,所述式1-式3中,x1-x4每次出现时各自独立地选自b rz,n rz,p rz,o,s,或s=o;

7.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件,所述第一化合物具有由式4-1至式4-7中的任一种表示的结构:

8.如权利要求7所述的有机电致发光器件,所述式4-1至式4-7中,环a、环b、环c、环d、环e和环g每次出现时各自独立地选自五元不饱和碳环、具有6-18个碳原子的芳环或具有4-18个碳原子的杂芳环;

9.如权利要求1所述的有机电致发光器件,所述增强层被设置在距离发光层不超过阈值距离的范围内;

10.如权利要求8所述的有机电致发光器件,所述发光层设置在第一电极和增强层之间,或所述发光层设置在第一电极和增强层之上,这时所述器件还包括设置在所述发光层之上的第二电极。

11.如权利要求1所述的有机电致发光器件,所述增强层包含一种等离子激元材料,所述等离子激元材料包含一种或多种金属;优选地,所述等离子激元材料选自以下一种或多种金属:ag、al、au、ir、pt、ni、cu、w、ta、fe、cr、mg、ga、rh、ti、ru、pd、in、bi、ca、这些金属的合金或混合物;优选地,当发射光具有可见范围内的波长,所述等离子激元材料选自ag;优选地,当发射光在不可见范围内的波长,所述等离子激元材料选自au。

12.如权利要求10所述的有机电致发光器件,所述等离子激元材料是一种连续或不连续的金属薄膜;优选地,等离子激元材料是一种连续的金属薄膜。

13.如权利要求11所述的有机电致发光器件,所述金属薄膜的厚度小于等于60nm;优选地,所述金属薄膜的厚度小于等于30nm。...

【专利技术属性】
技术研发人员:侯英张翠芳王静邝志远夏传军
申请(专利权)人:北京夏禾科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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