【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第18/625,497号专利申请案的优先权(即优先权日为“2024年4月3日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开是关于一种半导体元件及其制备方法。特别是关于一种具有顶部支撑层的半导体元件及其制备方法。
技术介绍
1、半导体元件已运用在各种电子应用上，像是个人电脑、手机、数码相机、以及其他的电子设备。半导体元件的尺寸不断微缩化，以满足对不断增长的计算能力的需求。然而，在微缩化的制程期间会出现各种问题，且这样的问题不断地增加。因此，在提高品质、产率、性能、和可靠性以及降低复杂度方面仍然存在挑战。
2、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不形成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一方面提供一种半导体元件，包括一基板；一底部电极，位于该基板之上且包括一容器状(container-shaped)轮廓；以及一顶部支撑层，悬垂于(overhanged...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该底部电极包括：
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该顶部支撑层连接到该第二壁部分上。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一壁部分的一顶表面比该第二壁部分的一顶表面低。
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一壁部分和该第二壁部分之间的一尺寸朝该底部分渐缩。
6.如权利要求1所述的半导体元件，更包括一底部支撑层，位于该顶部支撑层之下并远离该顶部支撑层，其中该底部支撑层横向围绕该底部电极。
7.如权利要求6所述的半导体...
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该底部电极包括：
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该顶部支撑层连接到该第二壁部分上。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一壁部分的一顶表面比该第二壁部分的一顶表面低。
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一壁部分和该第二壁部分之间的一尺寸朝该底部分渐缩。
6.如权利要求1所述的半导体元件，更包括一底部支撑层，位于该顶部支撑层之下并远离该顶部支撑层，其中该底...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊亨，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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