【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体封装结构及其制备方法。尤其涉及一种三维半导体封装结构及其制备方法。
技术介绍
1、由于各种电子元件的集成密度的不断改善，所以半导体产业经历了持续的增长。此等改善主要来自最小特征尺寸的不断减小，从而允许将更多元件整合到一给定的芯片面积中。
2、因为集成元件所占据的体积基本上在半导体晶片的表面上，所以这些整合的改善本质上是二维的(2d)。虽然光刻技术的显著改善已导致在二维集成电路形成中的显著改进，但是其可在二维所达到的密度仍是有实体上的限制。当二维的缩放(scaling)仍是一些新设计的一选项，但采用利用z方向的三维封装组合已成为业界研究的重点。
3、上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本专利技术的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种半导体封装结构及其制备方法，以解决上述至少一个问题。
2、本公开的一实施例提供一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括一第一元件裸片，贴合到一封装基底，其中该第一元件裸片的一主动侧面朝该封装基底；多个第一电连接件，连接该第一元件裸片的该主动侧到该封装基底；一第二元件裸片，堆叠到该第一元件裸片上，其中该第二元件裸片的一主动侧面朝该封装基底，且该第二元件裸片的该主动侧的一部分位于一区域，该区域重叠该第一元件裸片；以及多个第二电连接件，连接该第二元件裸片的该主动侧的该部分到该封
3、在本公开的一些实施例中，多个所述第二电连接件具有一高度，大于多个所述第一电连接件的一高度。
4、在本公开的一些实施例中，该半导体封装结构还包括：一第一粘贴材料，设置在该第一元件裸片与该封装基底之间；以及一第二粘贴材料，设置在该第一元件裸片与该第二元件裸片之间。
5、在本公开的一些实施例中，该第一元件裸片的一部分并未被该第二粘贴材料所覆盖。
6、在本公开的一些实施例中，多个所述第一电连接件分别包括一第一导电柱以及一第一焊料接头(first solder joint)，该第一焊料接头连接该第一导电柱到该封装基底，而多个所述第二电连接件分别包括一第二导电柱以及一第二焊料接头，该第二焊料接头连接该第二导电柱到该封装基底。
7、在本公开的一些实施例中，多个所述第二导电柱具有一高度，大于多个所述第一导电柱的一高度。
8、在本公开的一些实施例中，该封装基底包括多个积层介电层的一堆叠以及多个导电图案的多层，而多个所述导电图案的该多层分别形成在其中一积层介电层的一侧。
9、在本公开的一些实施例中，该半导体封装结构还包括一囊封体(encapsulant)，侧向地囊封该第一元件裸片、该第二元件裸片、多个所述第一电连接件以及多个所述第二电连接件。
10、在本公开的一些实施例中，该囊封体的一侧壁大致地与该封装基底的一侧壁共面。
11、在本公开的一些实施例中，该半导体封装结构还包括多个封装输入/输出(package inputs/outputs(i/os))，形成在该封装基底面向远离该第一元件裸片与该第二元件裸片的一侧处。
12、本公开的一实施例提供一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括一第一元件裸片，贴合到一封装基底，其中该第一元件裸片的一主动侧面朝该封装基底；多个第一电连接件，连接该第一元件裸片的该主动侧到该封装基底；一第二元件裸片，堆叠在该第一元件裸片上，且在该第二元件裸片的一主动侧处具有多个导电垫以及多个重分布结构，其中该第二元件裸片的该主动侧面朝该封装基底，多个所述导电垫位于该第二元件裸片的该主动侧重叠该第一元件裸片的一中心区内，且多个所述重分布结构连接多个所述导电垫到该第二元件裸片的该主动侧未重叠该第一元件裸片的一周围区；以及多个第二电连接件，连接该封装基底到该重分布结构位于该第二元件裸片的该主动侧的该周围区内的一些部分。
13、在本公开的一些实施例中，多个所述重分布结构分别包括：一重分布垫，位于该第二元件裸片的该主动侧的该周围区内；以及一导电线，连接该重分布垫到其中一导电垫。
14、在本公开的一些实施例中，多个所述第二电连接件连接多个所述重分布垫到该封装基底。
15、在本公开的一些实施例中，该第一元件裸片具有多个导电垫，形成在该第一元件裸片的该主动侧处，且多个所述第一电连接件连接该第一元件裸片的多个所述导电垫到该封装基底。
16、本公开的一实施例提供一种半导体封装结构的制备方法。该制备方法包括贴合一第一元件裸片到一封装基底，其中该贴合的第一元件裸片的一主动侧面朝该封装基底，多个第一电连接件在该第一元件裸片的贴合前，即预先形成在该第一元件裸片的该主动侧上，且多个所述第一电连接件在该第一元件裸片的贴合之后，即连接该第一元件裸片的该主动侧到该封装基底；以及贴合一第二元件裸片到该第一元件裸片与该封装基底，其中该贴合的第二元件裸片的一主动侧面朝该第一元件裸片与该封装基底，该贴合的第二元件裸片的该主动侧的一部分位于一区域外，该区域重叠该贴合的第一元件裸片，多个第二电连接件在该第二元件裸片的贴合之前，即预先形成在该第二元件裸片的该主动侧的该部分，且多个所述第二电连接件在该第二元件裸片的贴合之后，即连接该第二元件裸片的该主动侧的该部分到该封装基底。
17、在本公开的一些实施例中，该制备方法还包括在该第一元件裸片的贴合之前，即形成一第一粘贴材料在该封装基底上，其中在该第一元件裸片的贴合之后，该第一粘贴材料设置在该封装基底与该第一元件裸片的该主动侧之间。
18、在本公开的一些实施例中，该制备方法还包括在该第二元件裸片的贴合之前，形成一第二粘贴材料在该第一元件裸片上，其中在该第二元件裸片的贴合之后，该第二粘贴材料位于该第一元件裸片与该第二元件裸片的该主动侧之间。
19、在本公开的一些实施例中，该第二元件裸片预先形成有多个导电垫与多个重分布结构在该第二元件裸片的该主动侧处，多个所述导电垫位于该第二元件裸片的该主动侧重叠该第一元件裸片的一中心区内，多个所述重分布结构连接多个所述导电垫到该第二元件裸片的该主动侧位于重叠该第一元件裸片的一区域外的一周围区，且多个所述第二电连接件在该第二元件裸片的贴合之后，即连接多个所述重分布结构到该封装基底。
20、在本公开的一些实施例中，该制备方法还包括在该第二元件裸片的贴合之后，通过一囊封体而侧向囊封该第一元件裸片与该第二元件裸片。
21、在本公开的一些实施例中，该制备方法还包括形成多个封装输入/输出在该封装基底面向远离该贴合的第一元件裸片与该贴合的第二元件裸片的一侧处。
22、如上所述，依据本公开的一些实施例的半导体封装结构具有一下元件裸片以及一上元件裸片，该上元件裸片堆叠在该下元件裸片上。该下元件裸片与该上元件裸片经由多个电连接件而接合到一封装基底，且该下元件裸片与该上元件裸片的各主动侧本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体封装结构的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，还包括在该第二元件裸片的贴合之前，形成一第二粘贴材料在该第一元件裸片上，其中在该第二元件裸片的贴合之后，该第二粘贴材料位于该第一元件裸片与该第二元件裸片的该主动侧之间。
3.如权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其中该第二元件裸片预先形成有多个导电垫与多个重分布结构在该第二元件裸片的该主动侧处，多个所述导电垫位于该第二元件裸片的该主动侧重叠该第一元件裸片的一中心区内，多个所述重分布结构连接多个所述导电垫到该第二元件裸片的该主动侧位于重叠该第一元件裸片的一区域外的一周围区，且多个所述第二电连接件在该第二元件裸片的贴合之后，即连接多个所述重分布结构到该封装基底。
4.如权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，还包括在该第二元件裸片的贴合之后，通过一囊封体而侧向囊封该第一元件裸片与该第二元件裸片。
5.如权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，还包括形成多个封装输入/输出在该封装基底面向远离该贴合的第一元件裸片与该贴合的第二元件裸片的一侧处
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，还包括在该第二元件裸片的贴合之前，形成一第二粘贴材料在该第一元件裸片上，其中在该第二元件裸片的贴合之后，该第二粘贴材料位于该第一元件裸片与该第二元件裸片的该主动侧之间。
3.如权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其中该第二元件裸片预先形成有多个导电垫与多个重分布结构在该第二元件裸片的该主动侧处，多个所述导电垫位于该第二元件裸片的该主动侧重叠该第一元件裸片的一中心区内，多个所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨吴德，尤俊煌，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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