本申请提供一种半导体元件的制备方法，包含：提供基底；在基底上形成沿第一方向延伸的字元线；形成沿第二方向延伸并位于第一层的第一电容器；形成沿第二方向延伸并位于第二层的第二电容器；形成与第一电容器与字元线电性连接的第一位元线；以及形成与第二...

本公开提供一种半导体元件结构，具有第一硬遮罩图案，设置在金属层上。半导体元件结构亦具有第二硬遮罩图案，设置在金属层上并与第一硬遮罩图案间隔开。第一硬遮罩图案的下表面与第二硬遮罩图案的下表面呈共面。第一硬遮罩图案与第二硬遮罩图案部分地覆盖...

本公开提供一种半导体元件结构，具有一第一硬遮罩图案，设置在一金属层上。该半导体元件结构亦具有一第二硬遮罩图案，设置在该金属层上并与该第一硬遮罩图案间隔开。该第一硬遮罩图案的一下表面与该第二硬遮罩图案的一下表面呈共面。

本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一字元线、一第一电容器、一第二电容器、一第一位元线以及一第二位元线。该字元线设置于该基底上并沿一第一方向延伸。该第一电容器沿不同于该第一方向的一第二方向延伸，并位于一第一层。...

本揭露提供一种半导体元件的制造方法。所述方法包含：在金属层上形成半导体层堆叠，其中半导体层堆叠包含第一氮化物层、第一氧化物层、第二氮化物层、第二氧化物层和第三氮化物层。在半导体层堆叠上形成遮罩层，其中遮罩层包含多个镂空部；在镂空部的内壁...

本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括：形成一第一图案化层在一基底上；形成一第二图案化层在该基底上并与该第一图案化层交错设置；形成一图案化共形层在该第一图案化层与该第二图案化层之间，其中该第一图案化层、该图案化共形层以及该第...

本申请提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一位元线、一半导体层及一字元线。该位元线设置于该基底上。该半导体层设置于该位元线上。该字元线邻接该半导体层。该字元线具有面向该基底的一下表面及与该下表面相对的一上表面。该半导体层包括具有...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底；一晶体管；一第一导电沟渠结构；一第二导电沟渠结构；以及一接触。基底包括一主动区及该主动区周围的一隔离区。晶体管设置于该基底上并在该主动区中。第一导电沟渠结构设置于该基底中，并...

本发明提供一种故障分析装置及其故障分析方法。感测电路感测信号异常装置执行预设操作时信号异常装置的第一信号传输路径上的第一失真信号。信号产生电路于标准装置执行预设操作时提供故障测试信号至标准装置的对应第一信号传输路径的第二信号传输路径，以...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一下水平支撑层、一上水平支撑层、一垂直支撑结构、一第一电容器电极及一中间水平支撑层。该下水平支撑层设置于该基底上。该上水平支撑层设置于该下水平支撑层上。该垂直支撑结构在该下水平支撑层与该...

本申请提供一种电子元件、一种电子结构及其制备方法。该电子元件包括一基底、一导电结构以及至少一个外部连接器。该导电结构设置于该基底上，包括一测试垫经配置以在一测试过程中被一探针接触。该外部连接器电性地连接到该导电结构，并从该电子元件的一表...

本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一位元线、一半导体层及一字元线。该位元线设置于该基底上。该半导体层设置于该位元线上。该字元线邻接该半导体层。该字元线具有面向该基底的一下表面及与该下表面相对的一上表面。该半导...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一下水平支撑层、一上水平支撑层、一垂直支撑结构以及一第一电容器电极。该下水平支撑层设置于该基底上。该上水平支撑层设置于该下水平支撑层上。该垂直支撑结构在该下水平支撑层与该上水...

本发明提供一种测试界面电路包括N个开关及N个第一电阻器，其中N是正整数。所述N个开关中的每一者的第一端耦接到N个测试连接端中的每一者，所述N个开关中的每一者的第二端接收参考电压。所述N个第一电阻器中的每一者在所述N个测试连接端中的每一者...

本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底，该基底包括一阵列区域及一周边区域；以及一周边栅极结构，包括：一周边栅极介电层，向内设置于该基底的该周边区域中，并包括一U形截面轮廓；一周边栅极导体，包括一底部及一颈部，该底部...

本申请提供一种电子元件、一种电子结构及其制备方法。该电子元件包括一基底、一导电结构、至少一个外部连接器及一底部钝化层。该导电结构设置于该基底上，包括一测试垫经配置以在一测试过程中被一探针接触。该外部连接器电性地连接到该导电结构，并从该电...

本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底，该基底包括一阵列区域及一周边区域；以及一周边栅极结构，包括：一周边栅极介电层，向内设置于该基底的该周边区域中，并包括一U形截面轮廓；一周边栅极导体，包括一底部及一颈部，该底部...

本申请公开一种接触结构、一种半导体元件，以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一杂质区，设置于该基底中；一中介导电层，设置于该杂质区上；一底部导电层，设置于该中介导电层上；一导电封盖层，设置于该底部导电层上；一顶部导电层，...

本申请提供一种半导体元件，其包括具有一沟槽的一基底以及该沟槽中的一栅极结构。该栅极结构包括一下栅极电极，设置于该下栅极电极上的一上栅极电极，与该上栅极电极接触的一硅化层，以及设置于该下栅极电极与该基底之间的一下介电层。该下栅极电极及该上...

本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括具有一沟槽的一基底以及该沟槽中的一栅极结构。该栅极结构包括一下栅极电极，设置于该下栅极电极上的一上栅极电极，以及与该上栅极电极接触的一硅化层。