【技术实现步骤摘要】
本公开内容关于一种半导体元件及其制备方法，特别涉及一种在晶体管栅极结构的水平面下的基底中包括熔丝结构的半导体结构。
技术介绍
1、当半导体产业追求更高的元件密度而步入先进工艺技术节点的同时，光学光刻(photolithography)的精度也达到同等的技术。为了进一步缩小元件尺寸，对元件的尺寸及不同元件之间的距离都必须依比例减少。然而，减少元件尺寸及不同元件之间的距离存在精确控制的挑战。例如，由于尺寸小及光学光刻技术的限制，在晶体管形成后所形成的熔丝接触(fuse contact)可能会接触到晶体管的栅极，因而造成元件短路与功能失效的问题。
2、上文的“现有技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供一种半导体结构。该半导体结构包括一基底；一晶体管；一第一导电沟渠结构；一第二导电沟渠结构；以及一接触。基底包括一主动区及该主动区周围的一隔离区。晶体管设置于该基底上并在该主动区中。第一导电沟渠结构设置于该基底中，并在该晶体管的一栅极结构与该隔离区之间。第二导电沟渠结构与该第一导电结构相对的该晶体管相邻设置。接触设置于该基底上，以及于与该第一导电沟渠结构与该第二导电沟渠结构之间。
2、本公开的另一个方面提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括：提供一基底，包括一主动区及该主动区周围的一隔离区；在该主动区中形成
3、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电沟渠结构经设置于一芯片的一周边区中。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电沟渠结构包括一导电叠层及该导电叠层周围的一氧化物层。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该氧化物层夹于该导电叠层与该基底之间。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其中该氧化物层的一部分被该晶体管的一S/D区所包围。
6.一种半导体结构的制备方法，包括：
7.如权利要求6所述的制备方法，其中提供该基底的步骤包含：
8.如权利要求6所述的制备方法，其中形成该沟渠熔丝的步骤包含：
9.如权利要求8所述的制备方法，其中形成该导电叠层的步骤包含：
10.如权利要求8所述的制备方法，其中形成该沟渠熔丝的步骤还包含：
11.如权利要求6所述的制备方法，其中该沟渠熔丝的深度大于该掺杂区的深度并小于该隔离区的深度。
12.如权利要求6所述的制备方法，其中形成该栅极结构的步骤包含：
13.如权利
14.如权利要求13所述的制备方法，其中该间隙子结构包括一第一氧化物层与一第二氧化物层之间的一氮化物层。
15.如权利要求6所述的制备方法，其中该晶体管的S/D区与掺杂区同时形成。
16.如权利要求6所述的制备方法，还包含：
17.如权利要求16所述的制备方法，其中该接触是直立于该掺杂区上。
18.如权利要求16所述的制备方法，其中该接触与该晶体管的一间隙子结构接触。
19.如权利要求6所述的制备方法，其中该沟渠熔丝沿着与该主动区的一延伸方向实质上垂直的一方向延伸。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电沟渠结构经设置于一芯片的一周边区中。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电沟渠结构包括一导电叠层及该导电叠层周围的一氧化物层。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该氧化物层夹于该导电叠层与该基底之间。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其中该氧化物层的一部分被该晶体管的一s/d区所包围。
6.一种半导体结构的制备方法，包括：
7.如权利要求6所述的制备方法，其中提供该基底的步骤包含：
8.如权利要求6所述的制备方法，其中形成该沟渠熔丝的步骤包含：
9.如权利要求8所述的制备方法，其中形成该导电叠层的步骤包含：
10.如权利要求8所述的制备方法，其中形成该沟渠熔丝的步骤还包含：
【专利技术属性】
技术研发人员：李维中，丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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