本发明提供一种时钟检测电路。时钟检测电路包括第一时钟转换电路、第二时钟转换电路以及频率比较器。第一时钟转换电路将内部时钟转换成第一时钟。第二时钟转换电路将外部时钟转换成第二时钟。频率比较器响应于第一时钟而产生第一边缘时钟且响应于第二时钟...

本申请提供一种半导体元件及其制备方法。半导体元件包括基底、第一图案以及第二图案。第一图案设置于基底上。第一图案包括第一段及第二段，且第一段及第二段中的每一个都沿第一方向延伸。第二图案设置于第一图案上。第二图案包括沿着不同于第一方向的第二...

一种半导体元件结构包含第一下半导体结构。半导体元件结构亦具有第一上半导体结构，覆盖第一下半导体结构的上表面以及第一侧壁。半导体元件结构还具有第一氧化物部，设置在半导体基底上并沿着第一下半导体结构的第二侧壁延伸。半导体元件结构还包括介电层...

一种半导体元件及其制备方法。半导体元件包括：基底，包括电路区与非电路区；顶部介电层，位于基底上；顶部内连接线，沿着顶部介电层且位于电路区的上方；缓冲结构，沿着顶部介电层且位于非电路区的上方；底部钝化层，位于顶部介电层上；顶部导电垫，位于...

本揭露提供一种半导体元件的制造方法。所述方法包含：形成第一通孔以及第二通孔于半导体结构上，其中半导体结构包含第一电介质层、第一阻障层、第一金属、第二阻障层、第二电介质层、基板以及第二金属；形成第三电介质层于基板上以及第一通孔与第二通孔的...

本揭露提供一种半导体结构。半导体结构包括第一晶片以及接合至第一晶片的第二晶片。第一晶片包括第一半导体基板、在第一半导体基板上的第一多层互连结构、在第一多层互连结构的导线上的第一重分布层、在第一重分布层与第一多层互连结构上的致密层、在致密...

本公开提供一种半导体结构的制备方法，包含提供一基板；形成一多层结构于该基板之上，其中该多层结构包括一第一碳层、一硅层、一氧化层以及一第二碳层依序设置于该基板上；图案化该第二碳层以形成一第一图案化碳层；利用该第一图案化碳层当作遮罩图案化该...

本公开提供一种半导体中介元件。半导体中介元件包括一第一电路层以及一第二电路层。第一电路层具有多个第一电性接触点以及多个第二电性接触点，该等第一电性接触点设置在半导体中介元件的第一侧面上，该等第二电性接触点设置在半导体中介元件的第二侧面上...

本揭露提供一种形成半导体结构的方法，包括形成介电堆叠于基板上。形成遮罩层于介电堆叠上。形成第一开口于遮罩层中，以暴露介电堆叠。形成第二开口于介电堆叠中，以暴露基板，其中第二开口连通于第一开口。形成填充层于第一开口与第二开口中。移除遮罩层...

本申请提供一种半导体封装结构的制备方法，包括：提供第一中介层，包括第一基底和第一内连层；提供第二中介层，包括第二基底和第二内连层；将第一晶粒设置在第一中介层的上方；形成中间结构，包括：将第二晶粒设置在第二中介层的上方；将第三晶粒设置在第...

本申请提供一种键合垫结构及其制备方法。键合垫结构包括载体、设置于载体上方的第一导电层、置于第一导电层上并与第一导电层接触的第二导电层、设置于第二导电层上并与第二导电层接触的第三导电层以及设置于第一导电层上并与第一导电层或第二导电层中至少...

本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一第一介电层、一第一内连线结构、一第二内连线结构及一第二介电层。该第一介电层设置于该基底上方。该第一内连线结构设置于该第一介电层上方。该第二内连线结构设置于该第一介电层上方。...

本公开提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供设置于基板上的牺牲结构；移除部分的牺牲结构以形成多个中央开口、至少一个边缘开口、和彼此间隔开的多个柱体；形成第一材料层以覆盖该些柱体、该些中央开口、和至少一个边缘开口的一部分，其中第一材料层...

本公开提供一种开窗型球栅阵列封装，包括第一基底、第二基底、封装本体、第一导电线与第二导电线。第一基底具有第一穿孔。第二基底具有第二穿孔，第二穿孔设置在第一基底的第一穿孔上。封装本体设置在第一基底的第一穿孔中以及在第二基底的第二穿孔中，其...

本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一内连线结构、一第一隔离特征以及一第二隔离特征。该内连线结构具有一第一侧向表面与一第二侧向表面。该第一隔离特征设置于该内连线结构的该第一侧向表面上。该第二隔离特征设置于该内连...

本公开提供一种电子元件与相位侦测器。该相位侦测器包括一第一输入缓冲器、一第二输入缓冲器、一第一输入端子、一第二输入端子以及一第一均衡器。第一输入缓冲器经配置以接收一反馈信号并产生一第一信号以及一第二信号。第二输入缓冲器经配置以接收一参考...

本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一第一图案以及一第二图案。该第一图案设置于该基底上。该第一图案包括一第一段及一第二段，且该第一段及该第二段中的每一个都沿一第一方向延伸。该第二图案设置于该第一图案上。该第二图...

本公开提供一种半导体元件结构，包含一第一下半导体结构，设置在一半导体基底上。该第一下半导体结构具有一第一侧壁以及一第二侧壁，该第二侧壁相对该第一侧壁设置。该半导体元件结构亦具有一第一上半导体结构，覆盖该第一下半导体结构的一上表面以及该第...

本申请公开一种半导体装置的制备方法。该制备方法包括在一基底上形成一第一介电层；形成一特征开口，以暴露该基底；对该特征开口执行一预清洁处理，其包括一预清洁溶液；对该特征开口执行一清洁制程；以及在该特征开口中形成一导电特征。该预清洁溶液包括...

本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底以及一布线结构。该布线结构包括设置于该基底上的至少一个金属互连、设置于该金属互连上的至少一个导电特征，以及围绕该导电特征的至少一个扩散阻障衬垫。该导电特征具有一头部及夹于该金属...