【技术实现步骤摘要】
本公开内容关于一种键合垫结构及其制备方法，特别是关于一种具有梯形形状的键合垫结构及其制备方法。
技术介绍
1、由于低成本、高灵活性及高可靠性等方面的优点，线键合制程(wire-bondingprocess)普遍应用于半导体元件的制备。在线键合结构中，可以在基底上形成重分布层(rdl)。钝化层可以设置于rdl上方以定义键合垫或输入及输出(i/o)垫。凸块(bump，譬如金凸块)可以键合至键合垫上。
2、脱层(delamination)或剥落可能发生在不同种类的材料之间，譬如钝化层与rdl之间。此外，在线键合制程中，施加在键合垫上的应力或力可能进一步加剧脱层的发生。
3、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供一种键合垫结构。键合垫结构包括载体、设置于载体上方的第一导电层、置于第一导电层上并与第一导电层接触的第二导电层、设置于第二导电层上并与第二导电层接触的第三导电层以及设置于第一导电层上并与第一导电层或第二导电层中至少一个接触的第一钝化层。第三导电层背向载体的上表面从第一钝化层曝露出来。第三导电层未设置于第二导电层与第一钝化层之间。第一钝化层与第二导电层及第三导电层接触。
2、本公开的另一个方面提供一种键合垫结构。键合垫结构包括具有一表面的介电层、设置于介电层的表面上的含铜层、设置于
3、本公开的另一个方面提供一种键合垫结构的制备方法，包括：提供载体；在载体上方形成含铜层；在含铜层上方形成含金层；以及形成钝化层，具有第一开口以曝露出含金层。含金层与钝化层物理分离，且钝化层与含金层的侧向表面接触。
4、根据本公开的一些实施例，使用具有含铜层和含金层的rdl可以改善电气性能。此外，由于含金层未被钝化层所覆盖，含金层与钝化层之间的脱层可以被最小化或防止。因此，键合垫结构的可靠性得到了改善。
5、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种键合垫结构，包括：
2.如权利要求1所述的键合垫结构，其中该第一导电层、该第二导电层及该第三导电层具有彼此不同的材料。
3.如权利要求2所述的键合垫结构，其中该第一导电层包括一含铜层，该第二导电层包括一含镍层以及该第三导电层包括一含金层。
4.如权利要求1所述的键合垫结构，其中该第三导电层以一间隙与该第一钝化层间隔开且该间隙约为1.0微米(μm)至约为3.0微米之间。
5.如权利要求1所述的键合垫结构，其中该第三导电层的一宽度约为40.0微米至约为60.0微米之间。
6.如权利要求1所述的键合垫结构，更包括：
7.如权利要求1所述的键合垫结构，更包括：
8.如权利要求1所述的键合垫结构，其中该第三导电层与该第一钝化层物理分离，并且该第三导电层的一侧向表面与该第二导电层的一侧向表面间隔开。
9.如权利要求1所述的键合垫结构，其中该第一钝化层与该第三导电层的一侧向表面接触，并且该第二导电层未从该第一钝化层曝露出来。
10.如权利要求1所述的键合垫结构，更包括：
<...【技术特征摘要】
1.一种键合垫结构，包括：
2.如权利要求1所述的键合垫结构，其中该第一导电层、该第二导电层及该第三导电层具有彼此不同的材料。
3.如权利要求2所述的键合垫结构，其中该第一导电层包括一含铜层，该第二导电层包括一含镍层以及该第三导电层包括一含金层。
4.如权利要求1所述的键合垫结构，其中该第三导电层以一间隙与该第一钝化层间隔开且该间隙约为1.0微米(μm)至约为3.0微米之间。
5.如权利要求1所述的键合垫结构，其中该第三导电层的一宽度约为40.0微米至约为60.0微米之间。
6.如权利要求1所述的键合垫结构，更包括：
7.如权利要求1所述的键合垫结构，更包括：
8.如权利要求1所述的键合垫结构，其中该第三导电层与该第一钝化层物理分离，并且该第三导电层的一侧向表面与该第二导电层的一侧向表面间隔开。
9.如权利要求1所述的键合垫结构，其中该第一钝化层与该第三导电层的一侧向表面接触，并且该第二导...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨吴德，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。