【技术实现步骤摘要】
本揭露是有关于一种半导体结构。
技术介绍
1、随着电子工业的快速发展，集成电路(integrated circuits,ics)的发展已经实现了高效能与微型化。集成电路的材料与设计的技术进步已经产生了数代的集成电路，其中每一代都比前一代具有更小且更复杂的电路。
2、随着单一晶片上的电子元件的数量快速地增加，已将三维集成电路布局或堆叠晶片设计用于某些半导体元件，以克服与二维布局相关的特征尺寸与密度限制。一般来说，在三维集成电路的设计中，将两个或更多个半导体晶片接合在一起，并且在晶片之间形成电性连接。当制造晶片到晶片(chip-to-chip)的电性连接时，晶片翘曲会造成接合失败。此外，较差的表面质量会对晶片到晶片的电性连接的性能产生不利影响。
技术实现思路
1、本揭露的技术态样为一种半导体结构。
2、根据本揭露的一些实施方式，一种半导体结构包括第一晶片以及接合至第一晶片的第二晶片。第一晶片包括第一半导体基板、第一多层互连结构、第一重分布层、致密层、覆盖层及金属垫。第一多层互连结构位于第一半导体基板上，第一多层互连结构包括导线。第一重分布层位于第一多层互连结构的导线上。致密层位于第一重分布层与第一多层互连结构上。覆盖层位于致密层上。金属垫位于第一重分布层上。第二晶片包括第二半导体基板、第二多层互连结构及导电结构。第二多层互连结构位于第二半导体基板。导电结构从第二多层互连结构延伸至金属垫。
3、在本揭露一些实施方式中，致密层是由聚合物或玻璃制成。>
4、在本揭露一些实施方式中，致密层具有含氮、氢或氧的掺杂物。
5、在本揭露一些实施方式中，覆盖层接触致密层。
6、在本揭露一些实施方式中，致密层具有位于第一多层互连结构内的一部分。
7、在本揭露一些实施方式中，致密层接触金属垫。
8、在本揭露一些实施方式中，第一晶片还包括位于致密层与第一多层互连结构之间的介电层。
9、在本揭露一些实施方式中，覆盖层是选自于硅、碳、氧及氮所组成的群组。
10、在本揭露一些实施方式中，第一重分布层包括顶部分、底部分以及位于顶部分与底部分之间的颈部分。顶部分比底部分厚。
11、在本揭露一些实施方式中，第一重分布层的颈部分与底部分位于第一多层互连结构内。
12、在本揭露一些实施方式中，第二晶片包括位于第二多层互连结构上的第二重分布层。
13、在本揭露一些实施方式中，第二晶片包括位于第二半导体基板与覆盖层之间的介电层。介电层与覆盖层包括相同的材料。
14、本揭露的另一技术态样为一种半导体结构。
15、根据本揭露的一些实施方式，一种半导体结构包括第一晶片以及接合至第一晶片的第二晶片。第一晶片包括第一半导体基板、第一多层互连结构、第一重分布层、第一致密层及第一金属垫。第一多层互连结构位于第一半导体基板上，第一多层互连结构包括导线。第一重分布层位于第一多层互连结构的导线上。第一致密层位于第一重分布层与第一多层互连结构上，其中第一致密层是由聚合物或玻璃制成。第一金属垫位于第一重分布层上。
16、在本揭露一些实施方式中，第一致密层具有含氮、氢或氧的掺杂物。
17、在本揭露一些实施方式中，第二晶片还包括位于第一晶片的第一金属垫上的第二金属垫。
18、在本揭露一些实施方式中，第二晶片还包括位于第一晶片的第一重分布层上的第二重分布层。
19、在本揭露一些实施方式中，第二晶片还包括包围第二重分布层的第二致密层。
20、在本揭露一些实施方式中，第二致密层是由聚合物或玻璃制成。
21、在本揭露一些实施方式中，第一晶片还包括覆盖第一致密层的第一覆盖层，第二晶片还包括覆盖第二致密层的第二覆盖层，且第一覆盖层接触第二覆盖层。
22、在本揭露一些实施方式中，第二晶片还包括从第二重分布层向上延伸的导电结构。
23、在上述实施方式中，由于致密层位于第一重分布层与第一多层互连结构上且致密层具有良好的回流(或填充)能力，邻接第一重分布层的致密层无空隙。因此，可以避免晶片翘曲，且因此可以改善用于接合工艺的晶片的表面质量。
24、应当了解前面的一般说明和以下的详细说明都仅是示例，并且旨在提供对本揭露的进一步解释。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该致密层是由聚合物或玻璃制成。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该致密层具有含氮、氢或氧的掺杂物。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该覆盖层接触该致密层。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该致密层具有位于该第一多层互连结构内的一部分。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该致密层接触该金属垫。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一晶片还包含位于该致密层与该第一多层互连结构之间的介电层。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该覆盖层是选自于硅、碳、氧及氮所组成的群组。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一重分布层包含：
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中该第一重分布层的该颈部分与该底部分位于该第一多层互连结构内。
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第二晶片包含位于该第二多层互连结构上的第二重分布层。
12
13.一种半导体结构，其特征在于，包含：
14.根据权利要求13所述的半导体结构，其中该第一致密层具有含氮、氢或氧的掺杂物。
15.根据权利要求13所述的半导体结构，其中该第二晶片还包含位于该第一晶片的该第一金属垫上的第二金属垫。
16.根据权利要求13所述的半导体结构，其中该第二晶片还包含位于该第一晶片的该第一重分布层上的第二重分布层。
17.根据权利要求16所述的半导体结构，其中该第二晶片还包含包围该第二重分布层的第二致密层。
18.根据权利要求17所述的半导体结构，其中该第二致密层是由聚合物或玻璃制成。
19.根据权利要求17所述的半导体结构，其中该第一晶片还包含覆盖该第一致密层的第一覆盖层，该第二晶片还包含覆盖该第二致密层的第二覆盖层，且该第一覆盖层接触该第二覆盖层。
20.根据权利要求16所述的半导体结构，其中该第二晶片还包含：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该致密层是由聚合物或玻璃制成。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该致密层具有含氮、氢或氧的掺杂物。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该覆盖层接触该致密层。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该致密层具有位于该第一多层互连结构内的一部分。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该致密层接触该金属垫。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一晶片还包含位于该致密层与该第一多层互连结构之间的介电层。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该覆盖层是选自于硅、碳、氧及氮所组成的群组。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一重分布层包含：
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中该第一重分布层的该颈部分与该底部分位于该第一多层互连结构内。
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第二晶片包含位于该第二多层互连结构上的第二重分布层。
【专利技术属性】
技术研发人员：黄圣富，施信益，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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