【技术实现步骤摘要】
本揭露有关于一种半导体元件及其制造方法。
技术介绍
1、在形成半导体元件的传统技术中，通孔通常会在双硅通孔(tsv)工艺中产生。举例来说，以双tsv方案制造的传统方法是蚀刻电介质层以形成通孔。通孔覆盖有阻障层并填充有铜(cu)。在半导体工业中，半导体元件中的铜漂移是涉及电流泄漏或可靠性的一个问题。它可能导致铜被喷溅到tsv衬裹氧化物上。如果没有保护喷溅的铜免受来自钽(ta)阻障层的扩散，则可能会出现有关于由于这种金属污染而导致的tsv衬裹的击穿电压下降的负面影响。这很可能导致后续相关工艺中的电阻变化，从而降低整个半导体元件的性能。因此，本领域亟需一种能够解决上述问题的半导体元件及其制造方法。
技术实现思路
1、有鉴于此，本揭露的一目的在于提出一种可有解决上述问题的半导体元件及其制造方法。
2、依据本揭露的一实施方式，一种制造半导体元件的方法，包含：在半导体结构上形成第一通孔和第二通孔，其中半导体结构包含第一电介质层、在第一电介质层上的第一阻障层、在第一阻障层上的第一金属层、第一...
【技术保护点】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述导电材料于所述第一通孔以及所述第二通孔中的步骤进一步包含：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述第三电介质层于所述基板上以及所述第一通孔与所述第二通孔的所述底部以及所述多个内侧壁的步骤为通过毯覆式沉积工艺执行。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述第三阻障层于所述基板上以及所述第一通孔与所述第二通孔的所述底部以及所述多个内侧壁的步骤为通过毯覆式沉积工艺执行。
5.根据权利要求1所述的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述导电材料于所述第一通孔以及所述第二通孔中的步骤进一步包含：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述第三电介质层于所述基板上以及所述第一通孔与所述第二通孔的所述底部以及所述多个内侧壁的步骤为通过毯覆式沉积工艺执行。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述第三阻障层于所述基板上以及所述第一通孔与所述第二通孔的所述底部以及所述多个内侧壁的步骤为通过毯覆式沉积工艺执行。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除自暴露的所述第一金属以及暴露的所述第二金属形成的氧化物的步骤进一步包含：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除由暴露的所述第一金属以及暴露的所述第二金属形成的氧化物的步骤为通过原位氩等离子体溅射清洗工艺执行。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述喷溅第一金属自所述第一金属形成，所述喷溅第二金属由所述第二金属形成。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述第四阻障层于所述基板上以及所述第一通孔与所述第二通孔的所述底部以及所述多个内侧壁的步骤为通过毯覆式沉积工艺执行。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述第三电介质层于所述基板上以及所述第一通孔与所述第二通孔的所述底部以及所述多个内侧壁的步骤执行于所述形成所述第三阻障层于所述基板上以及所述第一通孔与所述第二通孔的所述底部以及所述多个内侧壁的步骤之后。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述第三阻障层于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗翊仁，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。