本公开提供一种减少阵列区缺陷的半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底。该制备方法还包括形成一目标层在该基底上。该制备方法还包括形成一图案化遮罩结构在该目标层上。此外，该制备方法包括形成一蚀刻终止层在该图案化遮罩结构上。该制备方法...

本申请提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底，一第一隔离结构，以及一第二隔离结构。该基底具有一第一区域及一第二区域。该第一隔离结构设置于该基底的该第一区域内。该第一隔离结构包括一第一介电层以及设置于该基底与该第一介电层之间的一第一氮...

本公开提供一种半导体元件，包括一底部电极结构，设置于一半导体基板之上。该底部电极结构包括一第一底部电极层、和围绕该第一底部电极层的一第二底部电极层。该半导体元件也包括多个绝缘部分，横向地隔开该第一底部电极层和该第二底部电极层。该半导体元...

本公开提供一种具有接触增强顶盖的动态随机存取存储器阵列的制备方法。该方法包含：在一半导体基底的一正面形成一沟槽，其中该沟槽定义由该半导体基底一表面区域形成的横向分离的多个主动区；在该沟槽中填充一隔离结构，其中该隔离结构被填充到低于该些主...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板；一位元线结构，位于该基板上；多个第一位元线间隔物，位于该位元线结构的侧壁上；多个第二位元线间隔物，位于该些第一位元线间隔物上。该些第一位元线间隔物包括一个或多个种类的氧化钒。...

本公开提供一种半导体元件，包括一基底、一下支撑层、一上支撑层以及一下电极。该下支撑层设置在该基底上。该上支撑层设置在该下支撑层上。该上支撑层界定有一开口。该下电极设置在该上支撑层的该开口内。该下电极具有一第一部分以及一第二部分，该第一部...

本申请提供一种半导体测试结构。该半导体测试结构包括一基底，一第一金属层，一介电结构，以及一第二金属层。该第一金属层设置于该基底上，并包括沿一第一方向延伸的多个指状物。该介电结构设置于该第一金属层上。该第二金属层设置于该介电结构上，并与该...

本申请提供一种基底的处理方法。该处理方法包括以下步骤：在该基底上形成一感光层；执行一第一曝光工艺，通过一第一遮罩将该感光层曝光于一光化辐射；执行一第一显影工艺，去除在该光化辐射曝光的该感光层的部分，并形成一中间图案；执行一第二曝光工艺，...

本公开提供一种具有不同长度与位面的侧向延伸电容器的存储器元件。该存储器元件包括一半导体基底；一第一隔离层，设置在该半导体基底上；一第一下电极，设置在该第一隔离层上；一第一介电层，设置在该第一下电极上；一第一凹陷，延伸经过该第一介电层；一...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板；一位元线结构，位于该基板上；多个第一位元线间隔物，位于该位元线结构的侧壁上；多个第二位元线间隔物，位于该多个第一位元线间隔物上。该多个第一位元线间隔物包括一个或多个种类的氧化...

本申请提供一种焊料凸块内具有铜柱的半导体结构及该半导体结构的制造方法。该半导体结构包含：一基板，具有设置于其上的一焊垫及至少局部环绕该焊垫的一钝化层；以及一导电凸块结构，设置于该基板及该焊垫上方，其中该导电凸块结构包含设置于该钝化层及该...

一种制备半导体元件结构的载子植入系统。载子植入系统包括一植入模块，其在第一芯片上执行第一植入配方，以将第一芯片从第一芯片状态转变为第二芯片状态；第一测量模块，其收集第一芯片的第二芯片状态以产生第一组数据；及人工智能模块，其耦合至第一测量...

本申请提供一种半导体元件的制造方法。该制造方法包含：提供一基板，其包括一阵列区及一外围区，其中该阵列区及该外围区定义出一阶梯结构；进行一沉积工艺以在该阵列区及该外围区上方形成一钝化层；进行一蚀刻工艺以去除该阵列区上方的该钝化层的一部分；...

一种半导体元件的监测方法包含：提供半导体元件，半导体元件包含第一金属层

一种制备半导体元件结构的沉积系统，包括一沉积模块，其在一第一芯片上执行一第一沉积配方，以将该第一芯片从一第一芯片状态转变为一第二芯片状态；一第一测量模块，其收集该第一芯片的该第二芯片状态以产生一第一组数据；及一人工智能模块，其耦合至该第...

本申请公开一种制备半导体元件结构的蚀刻系统。该蚀刻系统包括一蚀刻模块，其被配置为在一第一芯片上执行一第一蚀刻配方，以将该第一芯片的一第一芯片状态转变为一第二芯片状态；一第一测量模块，其用于收集该第一芯片的该第二芯片状态以产生一第一组数据...

本公开提供一种确定一存储器设备的一延迟锁相回路的一目标锁定时间的系统及方法。该系统包括一信号产生装置、一测量装置以及一计算装置。该信号产生装置经配置以依据一第一组第一操作参数以及一组第二操作参数而向该存储器设备提供一第一组输入信号。该测...

一种存储器元件，包括一半导体基底，具有一主动区；以及一字元线，延伸跨经主动区。存储器元件包括一第一源极/漏极区与一第二源极/漏极区，设置在主动区中以及在字元线的相对两侧处；一位元线，设置在该第一源极/漏极区上并电性连接到该第一源极/漏极...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括具有一沟槽的一基板以及位于该沟槽中的一栅极结构。该栅极结构包括一较高栅极电极、位于该较高栅极电极上的一覆盖层、以及部分地设置于该较高栅极电极和该覆盖层之间的一第一介电层。一介电层。一介电层。

本发明提供一种过度电性应力防护装置