本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一电子元件、一接合线以及一支撑件。该电子元件设置在该基底上。该接合线包括一第一端子以及一第二端子，该第一端子连接到该电子元件，该第二端子连接到该基底。该接合线抵靠该支撑件而设...

本公开提供一种主动区域的制备方法。该制备方法包括以下操作：接收一基板，其上具有一氧化层、一氮化层、和一硅层；形成一图案化光刻胶层于该硅层上；沉积一掩模层以覆盖该图案化光刻胶层的一轮廓；涂布一碳层于该掩模层上；蚀刻该碳层、该掩模层、和该硅...

本申请提供一种存储电容器的制备方法。该制备方法包括：形成一下电极；沉积一第一介电质层以覆盖该下电极；在该第一介电质层上沉积一第二介电质层；在该第二介电质层上沉积一第三介电质层；以及在该第三介电质层上形成一上电极。电极。电极。

本申请提供一种具有多层介电质的存储电容器。该存储电容器包括一下电极、一上电极、一第一介电质层、一第二介电质层以及一第三介电质层。该第一介电质层覆盖该下电极，该第二介电质层设置于该第一介电质层上，该第三介电质层设置于该第二介电质层上。该上...

本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括：提供一第一晶圆，该第一晶圆包括一第一基底、在该第一基底下方的一第一介电层以及被该第一介电层所围绕的一第一导电垫；将一第一钝化层设置在该第一基底上；移除该第一介电层、该第一基底以及该第一...

本公开提供一种半导体结构。该半导体结构具有一晶片，包括一基底、在该基底下方的一介电层以及被该介电层所围绕的一导电垫；一钝化层，设置在该基底上；一导电通孔，从该导电垫延伸经过该基底与该钝化层且部分经过该介电层；以及一弹性件，设置在该导电通...

一种半导体结构的制造方法包括：在凹槽中形成第一间隔件，其中凹槽的底部具有第一宽度，凹槽相对于底部的顶部具有第二宽度，且第一宽度小于第二宽度，第一间隔件其内具有孔洞；蒸气蚀刻第一间隔件，使第一间隔件的顶部具有连通孔洞的开口，其中开口的宽度...

本申请公开一种半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一底部介电层，设置于一基底上；一底部导电层，设置于该底部介电层中；一蚀刻停止层，设置于该底部导电层上；一第一内介电层，设置于该蚀刻停止层上；及一插塞结构，包括沿着第一内介电层设置并延伸...

本公开提供一种存储器元件。该存储器元件包括一基底、一介电质层、一第一金属化层、一第一通道层、一第二金属化层以及一第二通道层。该介电质层设置于该基底上。该第一金属化层设置于该介电质层内，并沿一第一方向延伸。该第一通道层被该第一金属化层所包...

本申请公开一种半导体元件。该半导体元件包括一底部介电层，设置于一基底上；一底部导电层，设置于该底部介电层中；一蚀刻停止层，设置于该底部导电层上；一第一内介电层，设置于该蚀刻停止层上；及一插塞结构，包括沿着第一内介电层设置并延伸到该蚀刻停...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包含一基板、一介电层、一第一金属化层、一第一通道层、一第二金属化层及一第二通道层。该介电层设置于该基板上，该第一金属化层设置于该介电层内且沿着一第一方向延伸，该第一通道层被该第一金属化层环绕，该第二...

一种制造半导体装置的方法包含形成包含第一氧化层与在第一氧化层上的第二氧化层的介电层堆叠

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括：形成包括一第一岛和一第二岛的一基板，其中该第一岛具有一第一面积，且该第二岛具有大于该第一面积的一第二面积；沉积一绝缘层以覆盖该基板；形成一存储节点接触和穿过该绝缘层的一导电部件，其中该...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括：提供一基底，该基底包括一第一岛状物以及一第二岛状物，其中该第一岛状物具有一第一面积，而该第二岛状物具有一第二面积，该第二面积大于该第一面积；沉积一隔离层以覆盖该基底；形成一导电特征以穿...

本公开提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法包括：在一底部基底内形成一第一底部单元，包括：在该底部基底内形成一第一底部电容器；在该底部基底上形成一第一底部字元线并沿一第一方向延伸；以及形成被该第一底部字元线所包围的一第一底部通道层。该...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包含：提供一基板；在该基板上形成一导电层；图案化该导电层以形成沿着一第一方向延伸的一第一金属化层及一第二金属化层，其中该第一金属化层包含朝向该第二金属化层突出的一第一突出部；以及在该第一金属...

本公开提供一种具有可编程部件的半导体元件。该半导体元件包括一基板、一导线、一导电部件、和多个存储器单元。该基板包括一第一岛、一第二岛、和一隔离结构，其中该隔离结构设置于该第一岛和该第二岛之间。该第一岛具有一第一面积，且该第二岛具有大于该...

一种半导体装置与其制造方法

本公开提供一种存储器结构，包括基板上的源极/漏极区域、覆盖源极/漏极区域的第一介电层、第一介电层上的第二介电层和接触源极/漏极区域的接触件。接触件包括延伸进源极/漏极区域的第一接触件部分、延伸进第一介电层的第二接触件部分和延伸进第二介电...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件具有一基底、一导电线、一导电特征以及多个存储器胞。该基底包括一第一岛状物、一第二岛状物以及一绝缘结构，而该绝缘结构设置在该第一岛状物与该第二岛状物之间。该第一岛状物具有一第一面积，且该第二岛状物具有...