本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法，该半导体元件结构包括设置于一第一半导体晶粒之上的一硅层，和设置于该硅层之上的一第一掩膜层。该半导体元件结构也包括设置于该第一掩膜层之上的一第二半导体晶粒，和穿过该硅层和该第一掩膜层的一硅穿孔。该...

一种半导体元件结构，包括一基底、一第一栅极结构、一第二栅极结构、一第一井区，以及一第一结构。该基底具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面。该第一栅极结构设置在该第一表面上。该第二栅极结构设置在该第一表面上。该第一井区位于该基底中，...

本揭露提供一种半导体元件的制造方法。该方法包含：沉积第一半导体层于基板的沟槽的内表面上；沉积第二半导体层于基板的沟槽的内表面的第一半导体层上，其中第一半导体层的掺杂物浓度小于第二半导体层的掺杂物浓度；以及沉积第三半导体层于第二半导体层上...

本申请提供一种具有阶梯状位元线(BL)的存储器元件的制造方法，该制造方法包括：提供具有一第一表面的一半导体基板；设置位于该半导体基板的该第一表面上方的一第一介电层、位于该第一介电层上方的一导电层、及位于该导电层上方的一第二介电层；在该第...

一种测试电路结构包括第一焊盘、第二焊盘、多个被测试器件及多个开关。开关中的每一个在第一焊盘与第二焊盘之间串联耦接到被测试器件中的每一个。开关分别由多个控制信号触发而接通。发而接通。发而接通。

一种半导体元件的制造方法包含：沉积填充材料以填充基板的沟槽，其中沟槽具有深度以及宽度，深度与宽度的比值等于或大于8，并且其中填充材料包含氮化钛；以及将填充材料退火。本发明的半导体元件的制造方法解决了传统方法的字元线填充问题，使半导体元件...

本发明提供一种半导体结构，包括半导体基板、主动区、晶体管栅极、熔丝栅极、第一介电图案、第二介电图案以及多条金属线。主动区设置于半导体基板中。晶体管栅极具有沿着第一方向延伸穿过主动区的第一线段和第二线段。位于第一线段与第二线段之间的熔丝栅...

一种硬遮罩结构包含钨基导电层、碳基硬遮罩层以及氮化物层。碳基硬遮罩层设置在钨基导电层上。氮化物层设置在钨基导电层和碳基硬遮罩层之间，以增强它们之间的附着力。以增强它们之间的附着力。以增强它们之间的附着力。

本发明提供一种反熔丝感测装置及其操作方法。反熔丝感测装置包括反熔丝感测电路、电压生成电路以及上电检测电路。在电压生成电路的上电瞬时期间，上电检测电路提供初始化电压给反熔丝感测电路的控制端，以避免反熔丝感测电路的控制端的电压电平处于未知状...

一种半导体设备的操作方法包括在半导体设备的腔室中以射频功率与压力沉积半导体层在加热器上的晶圆；减小腔室中的射频功率与压力以执行第一等离子体净化程序；沉积氧化物层在半导体层上；下降加热器的位置；以及对腔室抽除气体。减小射频功率与压力使腔室...

一种形成半导体结构的方法包括以下步骤。提供基板，其中基板具有主动区、相邻主动区的隔离结构以及在主动区上的接触件。在基板上形成介电堆叠。在介电堆叠上形成多晶硅层。蚀刻多晶硅层与介电堆叠，以形成开口，使得基板的接触件被暴露。形成导电层在开口...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底，界定多个沟槽；以及多个位元线接触点，设置在该基底上，其中至少一个位元线接触点设置在由该基底所界定的其中一个沟槽内，其中该多个沟槽具有一第一列以及一第二列，而该第一列的一间距不同...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件具有一基底，界定多个沟槽；以及多个位元线接触点，设置在该基底上，其中至少一个位元线接触点设置在由该基底所界定的其中一个沟槽内，其中该多个沟槽具有一第一列以及一第二列，而该第一列的一间距不同于该第二列...

一种半导体结构的制造方法包括：在绝缘层上形成介电层；蚀刻绝缘层及介电层，使绝缘层及介电层中具有开口，其中绝缘层的内侧壁与底部以及介电层的内侧壁从开口中裸露；注入复数个掺杂物于绝缘层的内侧壁与底部以及介电层的内侧壁上；以及在开口中及介电层...

本申请提供一种晶圆检测方法。该晶圆检测方法包括在一晶圆上的一被测元件(device under test，DUT)的一影像上识别多个候选区域；为该多个候选区域中的每个区域产生一信赖度分数，其中该信赖度分数表示一候选区域包括针痕的几率；选...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一半导体基底，该半导体基底包括一主动区与一隔离结构。该制备方法还包括在该半导体基底的该主动区上形成一接触结构。该制备方法还包括在该接触结构的相对两侧形成一介电间隙子。该制备方法还包括...

本申请提供一种晶圆检测系统。该晶圆检测系统包括：一存储器单元，经配置以存储一晶圆上一被测元件(DUT)的一影像；一影像载入单元，经配置以将该影像上传到一处理单元；以及一处理单元，经配置以识别该影像上的多个候选区域。该处理单元亦经配置以为...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一半导体基底、一接触结构、一第一导电元件以及一第一介电间隙子结构。该半导体基底包括一主动区与一隔离结构。该接触结构位于该半导体基底的该主动区上。该第一导电元件位于该半导体基底的该隔离结构上。该第...

本申请公开一种半导体元件的制造方法，包括：提供一基板；在该基板内形成一杂质区；在该基板上形成一第一介电层；沿着该第一介电层形成一开口以露出该杂质区；在该开口内顺应性地形成一层第一材料；在该层第一材料上形成一层填充材料以完全填充该开口；以...

本申请公开一种具有衬层结构的半导体元件。该半导体元件包含：一基板；一第一介电层，位于该基板上；一第一导电层，位于该第一介电层内；一中间膜，位于该第一导电层上且包含一U形剖面轮廓；以及一填充层，位于该中间膜上，其中该中间膜包含碳化硅。中该...