本发明提供一种半导体元件的制造半导体元件。所述半导体元件包含晶圆、数个电源重分布层以及数个接地重分布层。电源重分布层设置于晶圆上。接地重分布层设置于晶圆上，其中每一电源重分布层与接地重分布层中对应的一者形成电容器。本发明的半导体元件提高...

本公开提供一种探针设备。该探针设备包括一平台；一机械手臂，设置在该平台上并具有一探针；以及一测试装置，设置在该平台上。该测试装置包括一插槽，具有容纳一待测元件的一腔室；以及一盖体，设置在该插槽上。该插槽包含一导热材料。该盖体包括一盘体；...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。首先，具有一导电接触点的一第一隔离层形成在一基底上，以及具有一开口的一第二隔离层形成在该第一隔离层上，其中该开口对应且暴露该导电接触点的一上表面。一导电线结构形成在该开口中，其中一接触孔形成在该第二隔...

本公开提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法包括形成多个存储器胞的一阵列，其中该等存储器胞分别包括一存取晶体管以及一存储电容器，该存取晶体管埋入在一半导体基底中，该存储电容器设置在该半导体基底上并耦接到该存取晶体管；以及形成一周围电路...

本公开提供一种测试装置以及半导体元件的测试方法。该测试装置包括一插槽以及一盖体，该插槽具有一腔室，用以容纳一待测元件，该盖体设置在该插槽上。该插槽具有一导热材料。该盖体具有一盘体、一电路板以及一开口，该电路板贴附到该盘体，该开口穿过该盘...

本公开提供一种具有不同尺寸通孔的半导体结构的制备方法。该制备方法包括：提供一第一晶圆；设置一第二晶圆在该第一晶圆上；形成一钝化层在该第二晶圆上；形成一第一导电通孔，经由该第二晶圆与该钝化层以及部分经由该第一晶圆延伸，并具有被该第二晶圆与...

本公开提供一种数据接收电路

本公开提供一种存储器元件的制备方法。其步骤包括提供半导体基底，该存储器基底包括主动区，主动区设置在半导体基底上或是在半导体基底中；将图案化光刻胶层设置半导体基底上；移除半导体基底经由图案化光刻胶层而暴露的第一部分，以形成第一沟槽；移除图...

本公开提供一种半导体元件结构的制备方法，包括形成一含氮图案在一半导体基底上。该制备方法亦包括执行一能量处理工艺以形成一转换部在该半导体基底中，并被该含氮图案所覆盖。该制备方法还包括蚀刻该半导体基底以使该转换部被一开口结构所围绕。转换部被...

本公开提供一种数据存储装置的控制方法。该控制方法包括：在一数据存储装置的一存储器模块的一第一区域中存储一第一数据；在该存储器模块的一第二区域中存储一第二数据，其中该第二数据与该第一数据相关联；通过一第一通信接口读取该第一数据与该第二数据...

本公开提供一种探测装置，包括一探针台，该探针台具有一平台，该平台具有一开口；一机械手臂，设置在该平台并具有一探针；一测试头；以及一插槽，设置在该测试头上且经配置以支撑一待测元件。该测试头具有一移动部，该移动部经配置以允许该待测元件相对该...

本公开提供一种探测装置。探测装置包括一探针台。该探针台具有一平台，该平台具有一开口以及支撑该平台的多个柱形组件。每一个柱形组件具有与连接该平台连接的一端以及与一移动部连接的一相对端。该探测装置亦包括在该平台上的一机械手臂以及经配置以支撑...

本公开提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法的步骤包括提供半导体基底，该基底包括主动区，设置在该半导体基底上或是在该半导体基底中；将图案化光刻胶层设置在该半导体基底上；移除该半导体基底经由图案化光刻胶层而暴露的第一部分，以形成第一沟槽...

本公开提供一种蚀刻机台的控制方法。该控制方法包括在该当前晶圆上执行一第一蚀刻配方；通过一第一测量模块产生该当前晶圆的一第一组数据；通过耦合到该第一测量模块的一人工智能模块分析该第一组数据；当该第一组数据不在一预定范围内时，该人工智能模块...

一种制造半导体装置的方法包含形成半导体结构，半导体结构包含次阵列区与保护环区，次阵列区与保护环区由切割区分隔，次阵列区具有电容，保护环区具有第一电极板，第一电极板的上表面低于电容的上表面。执行第一蚀刻工艺，以分别在电容上形成第一开口，并...

本公开提供一种数据存储装置及其非暂时性电脑可读媒介。该数据存储装置包括一第一区域与一第二区域。该第一区域经配置以存储一第一数据。该第二区域经配置以存储一第二数据。该第二数据与该第一数据相关联。该第一数据及/或该第二数据不包括一错误更正码...

本公开提供一种沉积机台的控制方法。该控制方法包括在该当前晶圆上执行一第一沉积配方；通过一第一测量模块产生该当前晶圆的一第一组数据；通过耦合到该第一测量模块的一人工智能模块分析该第一组数据；当该第一组数据不在一预定范围内时，该人工智能模块...

本公开提供一种注入机台的控制方法。该控制方法包括在该当前晶圆上执行一第一注入配方；通过一第一测量模块产生该当前晶圆的一第一组数据；通过耦合到该第一测量模块的一人工智能模块分析该第一组数据；当该第一组数据不在一预定范围内时，该人工智能模块...

一种形成电容结构的方法包括以下流程。形成第一电极。在第一温度下于第一电极上方形成铪锆氧化物(HZO)层。在高于第一温度的第二温度下于HZO层上形成中介介电层。退火HZO层与中介介电层。介介电层。介介电层。

本申请提供了一种具有阶梯状位元线(BL)的存储器元件。该存储器元件包括：一半导体基板，包括一第一表面；以及一位元线，设置于该半导体基板的该第一表面上，其中该位元线包括一第一介电层、设置于该第一介电层上方的一导电层、设置于该导电层上方的一...