本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一第一栅极电极以及一第二栅极电极。该第一栅极电极设置在该基底上。该第一栅极电极具有为一第一导电类型的一第一掺杂物。该第二栅极电极设置在该基底上。该第二栅极电极具有为一第二导电类型的一第二...

本公开提供一种半导体结构的制造方法。在一基板上方形成一第一图案化层及一第二图案化层，该第二图案化层及该第一图案化层交替排列。进行一蚀刻，进而形成该第一图案化层的一弧形表面及该第二图案化层的一弧形表面。一牺牲层形成于该第一图案化层及该第二...

本公开提供一种半导体元件，该半导体元件包含一基板、一第一绝缘膜、一第二绝缘膜、一第一电极、一第二电极、一盖层、多个第一杂质区及多个第二杂质区，该第一绝缘膜设置于该基板上，该第二绝缘膜至少局部地环绕该第一绝缘膜，该第一电极及覆盖该第一电极...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基板、一熔丝元件、以及一熔丝介质。该熔丝元件设置于该基板内。该熔丝介质围绕该熔丝元件的一侧表面。元件的一侧表面。元件的一侧表面。

本公开提供一种半导体结构及该半导体结构的制备方法。该半导体结构包括一第一半导体基底、一第一导电垫以及一第一混合接合垫。该第一导电垫设置在该第一半导体基底上。该第一混合接合垫设置在该第一导电垫上。该第一混合接合垫包括纳米双晶铜。该第一混合...

一种等离子体蚀刻的方法包括以下操作。接收晶圆及氮化物层，其中氮化物层设置于晶圆上。设置环形管道在氮化物层的边缘部分上，其中环形管道具有多个孔洞，且这些孔洞朝向氮化物层的边缘部分。喷洒等离子体至氮化物层的上表面上。从环形管道的这些孔洞喷洒...

本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一第一介电层，设置在该基底上；一第一导电结构，设定在该第一介电层中并具有一瓶型剖面轮廓；一第一导电层，设置在该第一导电结构与该第一介电层之间以及在该第一导电结构...

一种探针台包含支架

本公开提供一种测试半导体芯片的芯片插座。该芯片插座包括一基座以及一固定件。该基座容纳待测的一芯片。该固定件具有一上本体以及一基底本体。该上本体具有一探测窗口，其中该探测窗口在该上本体的一外表面处的一第一开口区域大于该探测窗口在该上本体的...

本公开提供一种用于提供字线电压的电压调节器

本公开提供一种具有光栅结构的半导体元件。该半导体元件包括一第一目标，位于一第一层上且包括根据一第一节距与彼此平均地隔开的多个线部件；以及一第二目标，位于一第二层上且包括根据一第二节距与彼此平均地隔开的多个线部件。该第一层与该第二层不同。...

本公开提供一种具有锥形位元线的半导体结构。该半导体结构包括一基底；一位元线结构，设置在该基底上，其中该位元线结构包括一圆柱部以及一阶梯部，该阶梯部在该圆柱部上；一多晶硅层，设置在该基底上并围绕该位元线结构；以及一着陆垫，设置在该多晶硅层...

本申请提供一种导电特征的制造方法，该导电特征的制造方法包含：在一基板上沉积一绝缘层；在该绝缘层内形成一沟槽；进行包括一系列的一沉积步骤及一去除步骤的一循环工艺以在该沟槽内沉积一导电材料，直到该沉积步骤进行的次数等于一第一预设次数且该去除...

本发明提供一种电容器结构及其制造方法；其中，所述电容器结构，包含一U型下电极，其在开口端设有一盖介电质层，一上电极，及介于该下电极和该上电极之间的电容器介电层，是配置成一外部电容器围绕一圆柱型实心内部电容器，且该外部电容器和该内部电容器...

本发明提供一种信号接收装置和其信号均衡方法

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底；形成一金属化层在该基底上；形成一上介电层在该金属化层上；形成一第一牺牲层与一第二牺牲层，其每一个穿过该上介电层与该金属化层；移除该上介电层；形成一宽度控制结构在该第一牺牲层与...

本申请公开一种半导体元件，包括一第一芯片以及一第二芯片。第一芯片包括一第一基板、位于该第一基板上方的一第一重布线层、位于该第一重布线层上的一第一下部接合垫、及位于该第一基板上方并远离该第一下部接合垫的一第二下部接合垫。第二芯片包括一密集...

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一隔离层，位于一基板中，以定义围绕一中心区域的一第一周围区域；一第一保护环，位于该第一周围区域中；以及一可编程单元，包括：一中间绝缘层，位于该中心区域中且包括一U

一种半导体元件结构，包含：设置于一半导体基板上方的一第一介电层、及设置于该第一介电层内的一第一导电层。该半导体元件结构也包含设置于该第一导电层上方的一盖层、及将该第一导电层及该盖层与该第一介电层分隔的一第一阻障层。该半导体元件结构还包含...

本公开提供一种半导体元件的制备方法。首先，一第一隔离层形成在一基底上，以及具有一开口的一第二隔离层形成在该第一隔离层上。一导电线结构形成在该第二隔离层的该开口中，借此形成一接触通孔在该第二隔离层与该导电线结构之间。一等离子体氧化物层共形...