本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一基底、一上结构、一垂直晶体管以及一电性衬垫。该上结构设置在该基底上并界定出一孔洞。该垂直晶体管设置在该孔洞中。该电性衬垫设置在该孔洞中以及在该垂直晶体管上。该电性衬垫的一上表面大致对齐该上结构...

本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一第一基底；一电容器结构，设置在该第一基底上并包括一暴露部；一接触结构，覆盖在该暴露部上；一辅助层设置在该接触结构与该暴露部之间；以及一接合结构，设置在该接触结构上。该...

本申请提供一种晶粒间具有内连的半导体封装结构及其制备方法。该半导体封装结构包括：一第一中介层，其包括一第一基底和位于该第一基底上方的一第一内连层；一第二中介层，其设置在该第一中介层的上方，其中该第二中介层包括一第二基底和该第二基底的上方...

本发明提供一种电压产生装置，包含时钟信号产生器、电压调节器以及泵电路。时钟信号产生器根据启用信号产生时钟信号。电压调节器根据参考电压和启用信号产生且调节第一电压。泵电路接收时钟信号、第一电压以及第二电压，其中泵电路执行电压泵操作以根据第...

一种半导体元件的制造方法包含：沉积间隔物层于半导体结构上，其中半导体结构包含第一介电质层、位于第一介电质层中的第一导电层、位于第一介电质层上的第二介电质层、位于第二介电质层中的第二导电层以及位于第二导电层上并相对第二介电质层升高的第三导...

本公开提供一种具有一传输栅极的半导体元件。该半导体元件包括一基底以及一第一栅极结构，该基底具有一第一沟槽，该第一栅极结构位在该第一沟槽中。该第一栅极结构具有一第一栅极电极，该第一栅极电极具有一第一掺杂区。

本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一位元线、一第一隔离间隙子、一第二隔离间隙子、一电容器接触、一着陆垫以及一介电结构。该位元线设置于该基底上。该第一隔离间隙子设置于该位元线的一第一侧上。该第二隔离间隙子设置于...

本申请提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底，该基底具有一沟槽以及一栅极结构，该栅极结构位于该沟槽中。该栅极结构包括一下栅极电极以及该下栅极电极上的一上栅极电极。该栅极结构还包括一第一阻障层，设置于该下栅极电极与该上栅极电极之间。该...

本公开提供一种具有围绕一栅极结构的一字元线的存储器元件及该存储器元件的制备方法。该存储器元件具有一第一介电质，围绕一电容器设置；一第二介电质，设置在该第一介电质与该电容器上；一字元线，埋设在该第二介电质中；以及一栅极结构，设置在该电容器...

本申请提供一种半导体结构。该半导体结构包括一第一基底、设置于该第一基底上的一第一介电层、设置于该第一介电层上的一第一钝化层、以及设置于该第一钝化层上的一第二基底。该半导体结构还包括一第一密封环，嵌入在该第一介电层内并环绕该第一介电层的一...

本申请提供一种半导体元件。该半导体元件包含具有一主动区的一基板及一熔丝部件。该熔丝部件具有位于该主动区内的一底部电极、位于该主动区上的一第一介电层及位于该第一介电层上的一顶部电极。该半导体元件也包含一第二介电层，位于该主动区上且环绕该第...

本公开提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构包括一第一栅极结构，沿着一第一方向延伸且电性连接到一第一晶体管；一第二栅极结构，沿着该第一方向延伸且电性连接到一第二晶体管；一第一主动区，沿着不同于该第一方向的一第二方向延伸并穿过该第一栅极...

本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包含提供一基板，形成一多层结构于该基板之上，其中该多层结构包括一半导体材料层和位于该半导体材料层之上的一氧化层。该制备方法包含图案化该氧化层以形成一第一图案化层，形成一第二图案化层于该半导体...

一种半导体装置的制造方法包含形成光阻层在基材上。利用罩幕使光阻层的部分暴露至辐射。利用碱性气体处理光阻层。显影光阻层，以形成图案化光阻层在基材上。

本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基板、一电子部件、一键合线，以及一固定构件。该电子部件设置于该基板上。该键合线包括连接到该电子部件的一第一终端以及连接到该基板的一第二终端。该固定构件设置于该基板上。该键合线至少部...

一种偏移量测设备的操作方法包括：将第一待测物设置在第一导电垫与第二导电垫之间，其中第一待测物的主动区的两端分别电性连接第一导电垫的连接区以及第二导电垫的连接区，且第一待测物具有覆盖部分主动区的光阻区、电性连接第一导电垫的连接区的第一接触...

一种制造半导体元件的方法包含：通入第一气体至容纳基材的腔体中，其中第一气体不与基材反应；通入第二气体至腔体中，其中第一气体与第二气体产生第一反应，且第一反应形成第一膜层在基材上；以及自腔体移除第一气体与第二气体。

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一本体以及一互连结构。该本体具有一第一侧面以及一第二侧面，该第二侧面对于该第一侧面成角度。该互连结构经配置以在该半导体元件与安装到该半导体元件的该本体的该第一侧面的一第一电子元件之间进行电性连接...

本公开提供一种具有高度大于或等于邻近的位元线的高度的气隙的半导体结构。该半导体结构包含：一基板；一第一位元线结构，设置于该基板上方；一第二位元线结构，设置为邻近该基板上方的该第一位元线结构；一第一介电层，环绕该第一位元线结构及该第二位元...

一种失效模式分析系统包含第一振动感应器、第二振动感应器、存储器及处理器。存储器用以储存复数指令。处理器用以根据存储器的复数指令以执行以下步骤：控制第一振动感应器及第二振动感应器以收集复数轴向的复数振动信号；将复数振动信号进行数据处理以取...