【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体结构，特别地，本公开涉及一种具有气隙的半导体结构。
技术介绍
1、由于动态随机存取存储器(dram)的结构简单，相较于其他类型的存储器例如静态随机存取存储器(sram)，dram能够在每一芯片面积上提供更多的存储器单元。dram由多个dram单元所组成，每一dram单元包含用于存储信息的一电容及耦接到电容以控制电容何时充电或放电的一晶体管。在读取操作期间，字元线(wl)能够被断言，进而开启晶体管。开启的晶体管允许一感测放大器读取经过一位元线(bl)横跨电容的电压。在写入操作期间，当接触wl时要写入的数据被提供至bl。
2、为了满足对存储器存储更大量的需求，dram存储器单元的尺寸不断减小，如此一来，dram的封装密度大幅增加。然而，由于dram存储器单元的尺寸减小，导致寄生电容增加的电容耦合已成为越来越重要的议题。由于寄生电容的缘故，dram存储器单元的速度不合期望地降低，且整体元件性能受到负面的影响。
3、上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一介电层围绕该气隙。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一介电层包含选自硅烷族的一化合物。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一位元线结构包含从该基板依序层叠的一第一金属层、一第一金属氮化层、一第一氧化层及一第一氮化层。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该气隙的一顶部与该第一位元线结构的一底部之间的一垂直距离大于该第一位元线结构的该高度。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二位元线结构包含从该基板依序层叠的一第...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一介电层围绕该气隙。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一介电层包含选自硅烷族的一化合物。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一位元线结构包含从该基板依序层叠的一第一金属层、一第一金属氮化层、一第一氧化层及一第一氮化层。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该气隙的一顶部与该第一位元线结构的一底部之间的一垂直距离大于该第一位元线结构的该高度。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二位元线结构包含从该基板依序层叠的一第二金属层、一第二金属氮化层、一第二氧化层及一第二氮化层。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该气隙的一顶部与该第二位元线结构的一底部之间的一垂直距离大于或等于该第二位元线结构的一高度。
8.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：
9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该第一介电层及该第二介电层包含不同的硅烷。...
【专利技术属性】
技术研发人员：锺露维，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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