【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第17/857,223及17/857,752号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年7月5日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开内容关于一种半导体结构，特别是有关于一种具有散热结构的半导体结构。
技术介绍
1、三维堆叠式芯片封装在散热方面面临挑战。例如，三维堆叠的集成电路(ic)封装，如高频宽存储器(hbm)，可以包括在堆叠的芯片之间应用热界面材料(tim)和/或晶粒之间的空腔来进行横向散热。由于三维堆叠芯片封装内的每个芯片都需要个别考量，因此期望为每个芯片建立一个散热路径，以实现稳健的散热和元件可靠性。
2、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供一种半导体结构。该半导体结构包括一第一基底、设置于该第一基底上的一第一介电层、设置于该第一介电层上的一第一钝化层、以及设置于该第一钝化层上的一第二基底。该半导体结构还包括一第一密封环，嵌入在该第一介电层内并围绕该第一介电层的一电路区域。该半导体结构还包括一导热结构，嵌入在该第一钝化层内并通过一第一连接结构与该第一密封环相连。
2、本公开的另一个方面提供一种半导体结构。该半导体结构包括一第一芯片，其具有一第一介电层及一第一基底；以及一第二芯片，被键合在该第一芯片上并具有一第一钝化层及一第二基底，其中该第二芯片包括与一第
3、本公开的另一个方面提供一种具有散热结构的半导体结构的制备方法。该制备方法包括形成一导热结构，嵌入在一第一芯片的一第一钝化层内，以及形成多个导电通孔，以穿透该第一芯片的一第一基底并与该导热结构接触。该制备方法还包括形成一第一连接结构，与该导热结构接触并被该第一钝化层的一表面曝露。该制备方法更包括将该第一芯片的该第一连接结构与该第二芯片的一第二连接结构键合，以及将该第一芯片的该第一钝化层与该第二芯片的该第一介电层键合，其中嵌入在该第二芯片的该第一介电层内的一第一密封环通过该第一连接结构及该第二连接结构与该导热结构热连接。
4、在本公开内容提出的半导体结构中，用于三维叠层芯片封装或芯片上芯片(wafer-on-wafer)结构的散热结构包含了各个芯片的密封环。所提出的散热结构为三维堆叠芯片封装或芯片上芯片结构的每个芯片提供有效的散热路径，而未引入额外的元件或复杂的结构。同时，所提出的散热结构也增加现有密封环的功能。亦即，除了密封环的固有功能(即防止非预期的应力传播到半导体元件中)，所提出的散热结构还利用密封环进行热传导和散热。所提出的散热结构也增强三维堆叠芯片封装或芯片上芯片结构的结构稳定性。
5、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，更包括嵌入在该第二基底内的一第一导电通孔，其中该第一导电通孔的一第一端被该第二基底的一表面曝露，且该第一导电通孔的一第二端与该导热结构接触。
3.如权利要求1所述的半导体结构，更包括嵌入在该第一介电层内并被该第一密封环包围的一第二密封环，其中该第二密封环通过一第二连接结构、该导热结构以及该第一连接结构与该第一密封环连接。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导热结构包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该导热结构更包括：
6.如权利要求4所述的半导体结构，更包括：
7.如权利要求5所述的半导体结构，更包括：
8.如权利要求3所述的半导体结构，更包括嵌入在该第一介电层内的一第三密封环，其中该第三密封环与该第一密封环间隔开，且该第三密封环比该第一密封环更远离该导热结构。
9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该第三密封环通过一第三连接结构与该第一密封环连接，且该导热结构包括一网状轮廓。
10.如权利要求8
11.一种半导体结构，包括：
12.如权利要求11所述的半导体结构，其中该散热结构包括：
13.如权利要求11所述的半导体结构，更包括嵌入在该第一介电层内并被该第一密封环包围的一第二密封环，其中该第二密封环通过一连接结构与该散热结构连接。
14.如权利要求12所述的半导体结构，更包括与该第一芯片键合的一第三芯片，并具有一第二介电层及一第三基底，其中该第二芯片的该散热结构与嵌入在该第二介电层内的一第三密封环热连接，并且第一芯片包括被该第一密封环包围的一第一电路区，以及该第三芯片包括被该第三密封环包围的一第二电路区。
15.如权利要求14所述的半导体结构，其中该第一电路区通过穿透该第一基底的一第二导电通孔与该第二电路区电连接，并且该导热结构包括一网状轮廓。
16.如权利要求12所述的半导体结构，其中该导热结构包括：
17.如权利要求14所述的半导体结构，其中该第一芯片的该第一电路区域及该第三芯片的该第二电路区域位于该第一基底的相对两侧。
18.如权利要求11所述的半导体结构，其中该散热结构包括：
19.如权利要求13所述的半导体结构，其中该散热结构包括嵌入在该第一钝化层内的一导热结构，并具有沿一第一方向延伸的一第一脊状物，且该第一脊状物与该第一密封环及该第二密封环连接。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，更包括嵌入在该第二基底内的一第一导电通孔，其中该第一导电通孔的一第一端被该第二基底的一表面曝露，且该第一导电通孔的一第二端与该导热结构接触。
3.如权利要求1所述的半导体结构，更包括嵌入在该第一介电层内并被该第一密封环包围的一第二密封环，其中该第二密封环通过一第二连接结构、该导热结构以及该第一连接结构与该第一密封环连接。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导热结构包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该导热结构更包括：
6.如权利要求4所述的半导体结构，更包括：
7.如权利要求5所述的半导体结构，更包括：
8.如权利要求3所述的半导体结构，更包括嵌入在该第一介电层内的一第三密封环，其中该第三密封环与该第一密封环间隔开，且该第三密封环比该第一密封环更远离该导热结构。
9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该第三密封环通过一第三连接结构与该第一密封环连接，且该导热结构包括一网状轮廓。
10.如权利要求8所述的半导体结构，更包括嵌入在该第一介电层内并被该第三密封环包围的一第四密封环，其中该第四密封环通过一第四连接结构与该第二密封环连接。
11.一种半导体结...
【专利技术属性】
技术研发人员：施信益，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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