【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种半导体元件的制造方法。
技术介绍
1、半导体元件的制造方法日益进步，随着合适工艺或者配方被调整与使用，将可以进一步促使半导体元件的质量上升并且使其制造成本下降。举例来说，半导体工艺中的薄膜沉积可以通过化学气相沉积工艺，可以通过控制通入表面(例如，晶圆表面)的气体进一步改变沉积于表面上的材料成分。然而，部分气体通入时与表面产生反应，将使表面产生缺陷，进一步影响制作出的半导体元件的效能。
2、因此，如何提出一种可解决上述问题的半导体元件的制造方法，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的一目的在于提出一种可有效解决上述问题的半导体元件的制造方法。
2、本专利技术是有关于一种半导体元件的制造方法包含通入第一气体至容纳基材的腔体中，其中第一气体不与基材反应；通入第二气体至腔体中，其中第一气体与第二气体产生第一反应，且第一反应形成第一膜层在基材上；以及自腔体移除第一气体与第二气体。
3、在目前一些实施方...
【技术保护点】
1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的制造半导体元件的方法，其中该第一气体包含NH3，该第二气体包含TiCl4，该第一反应产生第一产物以及第二产物，且该第一产物以及该第二产物具有不同的相态。
3.如权利要求2所述的制造半导体元件的方法，其中该第一产物包含TiN，且该第一膜层包含该第一产物。
4.如权利要求2所述的制造半导体元件的方法，其中该第二产物包含HCl或N2，且该自该腔体移除该第一气体与该第二气体的步骤包含同时移除该第二产物。
5.如权利要求1所述的制造半导体元件的方法，进一步包含
6....
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的制造半导体元件的方法，其中该第一气体包含nh3，该第二气体包含ticl4，该第一反应产生第一产物以及第二产物，且该第一产物以及该第二产物具有不同的相态。
3.如权利要求2所述的制造半导体元件的方法，其中该第一产物包含tin，且该第一膜层包含该第一产物。
4.如权利要求2所述的制造半导体元件的方法，其中该第二产物包含hcl或n2，且该自该腔体移除该第一气体与该第二气体的步骤包含同时移除该第二产物。
5.如权利要求1所述的制造半导体元件的方法，进一步包含：
6.如权利要求5所述的制造半导体元...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐寜霜，陈栢宏，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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