【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种半导体元件的制造方法。
技术介绍
1、在制造半导体元件的中间阶段，由于导线跨接至底部的接触件(例如：连通柱、互连结构)时，导线的宽度将由底部的接触件的宽度定义，为了形成宽度符合要求的导线，部分的底部的接触件会被去除而形成孔隙，随后再将介电材料填入孔隙，以避免孔隙造成整个半导体元件的电性上的影响。
2、然而，在现行的填充接触件孔隙的工艺中，却时常发生介电材料过度填充孔隙或介电材料于孔隙中填充不足的问题，这将进一步导致半导体元件的电性能无法令人满意，甚至可能发生漏电问题。
3、因此，如何提出一种半导体元件的制造方法，尤其是一种适用于填充接触件孔隙的半导体元件的制造方法，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题之一。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的一目的在于提出一种可有解决上述问题的半导体元件的制造方法。
2、为了达到上述目的，依据本专利技术的一实施方式，一种半导体元件的制造方法包含：沉积间隔物层于半导体结构上，其中半导体结构包含第一介电质层、位于第一介电质层中的第一导电层、位于第一介电质层上的第二介电质层、位于第二介电质层中的第二导电层以及位于第二导电层上并相对第二介电质层升高的第三导电层，其中第二导电层与第一导电层接触，且第二导电层与第二介电质层之间具有孔隙；沉积氧化物层于间隔物层上；沉积氮化物层于氧化物层上并填充孔隙；以及去除氮化物层的部位致使氮化物层的剩余部位仅填充孔隙。
3、于本专利技术的一或多个实施方式
4、于本专利技术的一或多个实施方式中，沉积氧化物层于间隔物层上的步骤利用毯覆式沉积工艺。
5、于本专利技术的一或多个实施方式中，在沉积氧化物层于间隔物层上的步骤中，氧化物层的厚度小于2纳米。
6、于本专利技术的一或多个实施方式中，沉积氧化物层于间隔物层上的步骤通过使用由氧气、氢气以及氮气混合的工艺气体的等离子体处理来执行。
7、于本专利技术的一或多个实施方式中，沉积氮化物层于氧化物层上并填充孔隙的步骤利用毯覆式沉积工艺。
8、于本专利技术的一或多个实施方式中，在沉积氮化物层于氧化物层上并填充孔隙的步骤中，氮化物层的材料与第二介电质层的材料相同。
9、于本专利技术的一或多个实施方式中，去除氮化物层的部位致使氮化物层的剩余部位仅填充孔隙的步骤利用蚀刻工艺。
10、于本专利技术的一或多个实施方式中，在执行去除氮化物层的部位致使氮化物层的剩余部位仅填充孔隙的步骤之后，氮化物层的剩余部位的顶面与位于第二介电质层上方的氧化物层的顶面齐平。
11、于本专利技术的一或多个实施方式中，去除氮化物层的部位致使氮化物层的剩余部位仅填充孔隙的步骤利用对氮化物层以及氧化物层具有高蚀刻选择性的磷酸去除氧化物层的部位。
12、综上所述，于本专利技术的半导体元件的制造方法中，通过在位于半导体结构的上表面上形成的间隔物层上形成氧化物层，使得氧化物层可以作为蚀刻停止层以对间隔物层形成保护。除此之外，于本专利技术的半导体元件的制造方法中，通过在去除位于氧化物层上的氮化物层的部位时使用热磷酸蚀刻，由于磷酸对于氧化物以及氮化物具有高蚀刻选择性，使得在执行去除氮化物层的部位的步骤中可以几乎不蚀刻氧化物层而进一步蚀刻间隔物层。于本专利技术的半导体元件的制造方法中，由于氧化物层的厚度小于2纳米，使得最终形成的半导体元件具有低阻抗。于本专利技术的半导体元件的制造方法中，由于先执行沉积氮化物层以过度填充孔隙再执行回蚀刻工艺，可以更有效的避免孔隙被氮化物层过度填充或填充不足的问题。通过执行本专利技术的半导体元件的制造方法，可以制造出具有质量更好且具有低阻抗的半导体元件。
13、以上所述仅用以阐述本专利技术所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等，本专利技术的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述间隔物层于所述半导体结构上的步骤利用毯覆式沉积工艺。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述氧化物层于所述间隔物层上的步骤利用毯覆式沉积工艺。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在沉积所述氧化物层于所述间隔物层上的步骤中，所述氧化物层的厚度小于2纳米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述氧化物层于所述间隔物层上的步骤通过使用由氧气、氢气以及氮气混合的工艺气体的等离子体处理来执行。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述氮化物层于所述氧化物层上并填充所述孔隙的步骤利用毯覆式沉积工艺。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在沉积所述氮化物层于所述氧化物层上并填充所述孔隙的步骤中，所述氮化物层的材料与所述第二介电质层的材料相同。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述氮化物层的所述部位致使所述氮化物层的剩余部位仅填充所述孔隙的步骤利用蚀刻工
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行去除所述氮化物层的所述部位致使所述氮化物层的剩余部位仅填充所述孔隙的步骤之后，所述氮化物层的剩余部位的顶面与位于所述第二介电质层上方的所述氧化物层的顶面齐平。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述氮化物层的所述部位致使所述氮化物层的剩余部位仅填充所述孔隙的步骤利用对所述氮化物层以及所述氧化物层具有高蚀刻选择性的磷酸去除所述氧化物层的所述部位。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述间隔物层于所述半导体结构上的步骤利用毯覆式沉积工艺。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述氧化物层于所述间隔物层上的步骤利用毯覆式沉积工艺。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在沉积所述氧化物层于所述间隔物层上的步骤中，所述氧化物层的厚度小于2纳米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述氧化物层于所述间隔物层上的步骤通过使用由氧气、氢气以及氮气混合的工艺气体的等离子体处理来执行。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述氮化物层于所述氧化物层上并填充所述孔隙的步骤利用毯覆式沉积工艺。
7.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：林立涵，王治权，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。