【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第17/864,468号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年7月14日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。特别是有关于一种具有一辅助层的半导体元件以及具有该辅助层的该半导体元件的制备方法。
技术介绍
1、半导体元件使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的制程期间，增加不同的问题，且如此的问题在数量与复杂度上持续增加。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。
2、上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括一第一基底；一电容器结构，设置在该第一基底上并包括一暴露部；一接触结构，覆盖在...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该暴露部包括基本上不含氧与氮的硅及/或锗。
3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一第一介电层、一上介电层以及一第二介电层，该第一介电层设置在该第一基底上，该上介电层设置在该第一介电层上，该第二介电层设置在该上介电层上；
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一介电层与该第二介电层包括相同材料。
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一介电层主要由氧化硅所组成。
6.如权利要求5所述的半导体元件，还包括一下介电层，设置在该第一基底与该
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该暴露部包括基本上不含氧与氮的硅及/或锗。
3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一第一介电层、一上介电层以及一第二介电层，该第一介电层设置在该第一基底上，该上介电层设置在该第一介电层上，该第二介电层设置在该上介电层上；
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一介电层与该第二介电层包括相同材料。
5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第一介电层主要由氧化硅所组成。
6.如权利要求5所述的半导体元件，还包括一下介电层，设置在该第一基底与该下介电层之间。
7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该下介电层与该上介电层包括相同材料。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该上介电层主要由氮化硅所组成。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该暴露部的一宽度对该接触结构的一宽度的一比值介于大约0.3到大约0.7之间。
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该暴露部的一高度对该接触结构的一深度的一比值介于大约0.02到大约0.40之间。
11.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。