半导体结构的制造方法技术

本公开提供一种半导体结构的制造方法。在一基板上方形成一第一图案化层及一第二图案化层，该第二图案化层及该第一图案化层交替排列。进行一蚀刻，进而形成该第一图案化层的一弧形表面及该第二图案化层的一弧形表面。一牺牲层形成于该第一图案化层及该第二图案化层上方，其中该基板、该第一图案化层、该第二图案化层及该牺牲层定义出多个气隙，去除多个气隙上方的该牺牲层，进而形成该第一图案化层的一平坦顶表面及该第二图案化层的一平坦顶表面，然后使用该第一图案化层及该第二图案化层作为一遮罩将该基板图案化。为一遮罩将该基板图案化。为一遮罩将该基板图案化。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法


[0001]本申请案主张美国第17/841,836及17/842,498号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年6月16日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开是有关于一种半导体结构的制造方法，特别地，本公开有关于一种用于图案化制程的改良技术。

技术介绍

[0003]半导体元件用于各种电子应用，例如个人电脑、移动电话、数码相机及其他电子设备。通常借由在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体材料层，并使用微影对各种材料层进行图案化，以在其上形成电路部件及构件来制造半导体元件。随着半导体产业为了追求更高的元件密度、更高的性能及更低的成本而发展到先进的技术制程节点，已面临在晶圆上精准控制微影的挑战。
[0004]上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的“先前技术”的任一部分，不构成本公开的先前技术。

技术实现思路

[0005]本公开的一方面提供一种半导体结构的形成方法，该方法包含：在一基板上方形成一第一图案化层；在该第一图案化层上方形成一顺应层；进行一毯覆式沉积，进而在该顺应层上方形成一第二层；进行一第一蚀刻直到露出该第一图案化层，其中借由该第一蚀刻去除位于该第一图案化层上方的该第二层的一部分，进而形成交替排列在该第一图案化层的多个部分之间的一第二图案化层；去除该顺应层的多个垂直部分；在该第一图案化层及该第二图案化层上方形成一牺牲层，其中该第一图案化层与该第二图案化层之间定义出多个气隙；以及进行一第二蚀刻直到露出多个气隙。
[0006]在一些实施例中，该方法更包含在该基板上形成一第一层；以及去除部分的该第一层，进而形成该第一图案化层。
[0007]在一些实施例中，该顺应层接触该第一图案化层的一顶表面及该基板的一顶表面。
[0008]在一些实施例中，该第二层设置于该第一图案化层上方及该第一图案化层的多个部分之间。
[0009]在一些实施例中，该第二图案化层包含被该顺应层环绕的该第二层的多个部分。
[0010]在一些实施例中，借由该第一蚀刻去除设置于该第一图案化层的一顶表面上的该顺应层的多个部分。
[0011]在一些实施例中，该第二图案化层借由该顺应层的多个水平部分与该基板分隔。
[0012]在一些实施例中，该第一图案化层的多个角落部分及该顺应层的多个垂直部分同时被移除。
[0013]在一些实施例中，在去除该第一图案化层的多个角落部分之后，该第一图案化层的多个剩余部分包含弧形表面。
[0014]在一些实施例中，该第二图案化层的多个角落部分及该顺应层的多个垂直部分同时被移除。
[0015]在一些实施例中，在去除该第二图案化层的多个角落部分之后，该第二图案化层的多个剩余部分包含弧形表面。
[0016]在一些实施例中，在该第二蚀刻之后，该第一图案化层包含一平坦顶表面。
[0017]在一些实施例中，在该第二蚀刻之后，该第二图案化层的多个部分包含一平坦顶表面。
[0018]在一些实施例中，该顺应层的一厚度定义多个气隙的一宽度。
[0019]在一些实施例中，借由该第一蚀刻去除该第一图案化层的一表面部分。
[0020]本公开的另一方面提供一种半导体结构的形成方法，该方法包含：在一基板上方形成一第一图案化层；在该基板上方形成一第二图案化层与该第一图案化层交替排列；进行一蚀刻，进而形成该第一图案化层的一弧形表面及该第二图案化层的一弧形表面；在该第一图案化层及该第二图案化层上方形成一牺牲层，其中该基板、该第一图案化层、该第二图案化层及该牺牲层定义出多个气隙；去除多个气隙上方的该牺牲层，进而形成该第一图案化层的一平坦顶表面及该第二图案化层的一平坦顶表面；以及使用该第一图案化层及该第二图案化层作为一遮罩将该基板图案化。
[0021]在一些实施例中，该第一图案化层包含与该第二图案化层相同的一介电材料。
[0022]在一些实施例中，该第一图案化层或该第二图案化层包含氧化物。
[0023]在一些实施例中，该牺牲层包含氧化物。
[0024]在一些实施例中，该方法更包含在形成该第二图案化层之前在该第一图案化层上方形成一顺应层。
[0025]在一些实施例中，该顺应层包含与该第一图案化层或该第二图案化层不同的一介电材料。
[0026]在一些实施例中，该顺应层包含氮化物。
[0027]在一些实施例中，该第二图案化层及该顺应层的一总厚度大致上等于该第一图案化层的一厚度。
[0028]在一些实施例中，该顺应层的一厚度介于5至30纳米的范围内。
[0029]在一些实施例中，该第二图案化层的一厚度小于该第一图案化层的一厚度。
[0030]在一些实施例中，该第一图案化层及该第二图案化层的一图案转移至该基板的一最顶层。
[0031]在一些实施例中，该第一图案化层的一厚度介于50至300纳米的范围内。
[0032]在一些实施例中，多个气隙的其中一者的一宽度介于5至30纳米的范围内。
[0033]在一些实施例中，该牺牲层接触该第一图案化层的该弧形表面及该第二图案化层的该弧形表面的整体。
[0034]本公开的另一方面提供一种半导体结构的形成方法，该方法包含：在一基板上方形成一第一氧化层，其中该第一氧化层包含露出该基板的一开口；在该开口内形成一氮化层，其中该氮化层内衬该开口内该第一氧化层的多个侧壁及该基板的一顶表面的一部分；
在该开口内形成一第二氧化层，其中该第二氧化层借由该氮化层与该基板及该第一氧化层分隔，且该第一氧化层、该第二氧化层及该氮化层的顶表面共平面；去除内衬该第一氧化层的多个侧壁的该氮化层的一部分，进而形成该第二氧化层的一圆角顶表面及该第一氧化层的一圆角顶表面；在该第一氧化层及该第二氧化层上方形成一第三氧化层，而不填充该第一氧化层与该第二氧化层之间的一间隙；以及进行一蚀刻直到露出该间隙，进而形成该第一氧化层的一平坦顶表面及该第二氧化层的一平坦顶表面。
[0035]在一些实施例中，去除该氮化层的该部分包含一方向性干式蚀刻。
[0036]在一些实施例中，该间隙位于借由该方向性干式蚀刻所去除的该氮化层的该部分。
[0037]在一些实施例中，该基板从该第一氧化层与该第二氧化层之间的该间隙露出。
[0038]在一些实施例中，该方法更包含去除从该间隙露出的该基板的一最顶层的一部分。
[0039]在一些实施例中，该最顶层的材料不同于该第一氧化层或该第二氧化层的材料。
[0040]上文已相当广泛地概述本公开的特征及技术优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其他特征和优点描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可利用下文揭示的概念与特定实施例作为修改或设计其他结构或制程而实现本公开的目的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，包括：在一基板上方形成一第一图案化层；在该第一图案化层上方形成一顺应层；进行一毯覆式沉积，进而在该顺应层上方形成一第二层；进行一第一蚀刻直到露出该第一图案化层，其中借由该第一蚀刻去除位于该第一图案化层上方的该第二层的一部分，进而形成交替排列在该第一图案化层的多个部分之间的一第二图案化层；去除该顺应层的多个垂直部分；在该第一图案化层及该第二图案化层上方形成一牺牲层，其中该第一图案化层与该第二图案化层之间定义出多个气隙；以及进行一第二蚀刻直到露出所述多个气隙。2.如权利要求1所述的制造方法，更包括：在该基板上形成一第一层；以及去除部分的该第一层，进而形成该第一图案化层。3.如权利要求1所述的制造方法，其中该顺应层接触该第一图案化层的一顶表面及该基板的一顶表面。4.如权利要求1所述的制造方法，其中该第二层设置于该第一图案化层上方及该第一图案化层的多个部分之间。5.如权利要求4所述的制造方法，其中该第二图案化层包含被该顺应层环绕的该第二层的多个部分。6.如权利要求1所述的制造方法，其中借由该第一蚀刻去除设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈琮诚，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：