南亚科技股份有限公司专利技术

南亚科技股份有限公司共有2444项专利

  • 一种电子测试系统,包含读写器、存储器及处理器。读写器用以读写复数信息。处理器用以由存储器取得复数个指令以执行以下步骤:于第一读写阶段,借由处理器产生并写入启动信号;于第一读写阶段,于第一位置借由读写器读取N个展频信号,其中N为大于0的正...
  • 本发明公开一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括:提供一光掩膜,该光掩膜包括一不透明层,设置于一掩模基底上并围绕该掩模基底上的一半透明层;在一元件堆叠上形成一预制掩模层;使用该光掩膜对该预制掩模层进行图案化处理,以形成一图案化掩模层,...
  • 本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一光掩模,该光掩模包括在一掩模基底上的一不透光层,并围绕在该掩模基底上的一半透明层;提供一元件堆叠,该元件堆叠包括在一基底上的一第一介电层、在该第一介电层上的一第一蚀刻终止层,以及在...
  • 本公开提供一种半导体元件的制备方法。包括提供光遮罩,该光遮罩包括在遮罩基底上的不透光层,并围绕在该遮罩基底上的半透明层;形成预先处理遮罩层在元件堆叠上;使用该光遮罩图案化该预先处理遮罩层以形成图案化遮罩层,该图案化遮罩层包括对应于该不透...
  • 本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一半导体基底,该半导体基底具有一沟槽。该制备方法也包括形成一第一缓冲层在该沟槽中。该制备方法还包括形成一掺杂多晶硅层在该沟槽中的该第一缓冲层上。该制备方法也包括在该掺杂多晶硅层上执行...
  • 本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一半导体基底以及一字元线结构。该半导体基底具有一主动区。该字元线结构设置在该半导体基底的该主动区中。该字元线结构包括一第一功函数层、一第二功函数层以及一缓冲结构。该第二功函数层设置在该第一功函数...
  • 本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底,设置于该基底中的一通道区,设置于该基底中并分别设置于该通道区两端的一第一杂质区,设置于该通道区上的一栅极介电质层,设置于该栅极介电质层上的一栅极底部导电层,分别设置于该第一杂...
  • 一种半导体结构的制造方法包括:在位元线之间形成半导体层;图案化半导体层以形成多个单元接触和沟槽,其中沟槽隔开两个单元接触;在沟槽中形成隔离层。半导体层可形成在位元线之间,使得位元线之间可不形成牺牲层。可省略形成牺牲层的工艺以节省制造成本...
  • 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底,具有多个接触点;多个复合栓塞,设置在该多个接触点上;多个金属间隙子,设置在该基底上;以及多个气隙,设置在该基底上。该多个复合栓塞的其中至少一个包括一保护衬垫以及一金属栓塞,该...
  • 本公开提供一种具有双导电材料的字元线的存储器元件。该存储器元件具有一半导体基底,具有由邻近该半导体基底的一表面处所界定的一主动区,其中该半导体基底具有一凹陷,从该表面延伸进入半导体基底中;以及一字元线,设置在该凹陷内,其中该字元线具有一...
  • 本公开提供一种制造半导体结构的方法。在存储器前驱结构上形成导电层。在导电层上形成目标层。在目标层上形成具有第一开口的第一光阻。在第一开口的侧壁上形成间隔物。在目标层和间隔物上形成第二光阻。使用第二光阻和间隔物图案化目标层以形成第一经图案...
  • 本公开提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法包括提供一半导体基底,该半导体基底具有邻近该半导体基底的一表面处所界定的一主动区;形成一凹陷以从该表面延伸进入该半导体基底中;设置一第一隔离层以共形于该凹陷;设置一第一导电材料在该凹陷内并被...
  • 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一第一半导体结构以及一第一连接结构,其中该第一连接结构包括一第一连接隔离层、二第一导电层以及一第一多孔层,该第一连接隔离层设置在该第一半导体结构上,该二第一导电层设置在该第一连接隔离...
  • 本公开提供一种光罩的制备方法及半导体元件的制备方法。该光罩的制备方法包括提供一遮罩基底;在该遮罩基底上形成一不透明层;对该不透明层进行图案写入,以在该不透明层中形成一沟槽特征遮罩开口并曝露该遮罩基底;在该沟槽特征遮罩开口中形成一半透明层...
  • 一种用于承载生物晶片的晶圆结构,包括第一晶圆、第二晶圆和连接元件。第二晶圆设置在第一晶圆上。连接元件将第二晶圆固定在第一晶圆上。第二晶圆具有至少一个通孔,从第二晶圆的上表面贯穿至第二晶圆的下表面。通孔包括第一孔洞和第二孔洞。第一孔洞具有...
  • 一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括:设置于基底上的第一导电层以及设置于第一导电层上的第二导电层;第一次组实体对准标记以及第一次组间隔对准标记。第一次组实体对准标记包括:第一层对准标记,经设置于第一导电层中;以及第二层对准标记,...
  • 本公开提供一种半导体备用单元的启动方法。该启动方法包括:连接一熔丝元件到一半导体备用单元。该熔丝元件包括一主动区,包括:一源极区;以及一漏极区,设置在该源极区旁边;一栅极区,设置在该主动区上;以及一浅沟隔离结构,围绕该主动区。该方法亦包...
  • 本公开提供一种熔丝元件及半导体元件。该熔丝元件包括一主动区,包括一源极区以及一漏极区,该漏极区设置在源极区旁边;一栅极区,设置在该主动区上;以及一浅沟隔离结构,围绕该主动区。此外,该漏极区包括一端子,经配置以接收一应力电压,以便建立从该...
  • 一种探针装置包括:经配置以支撑一晶圆的一卡盘;围绕该卡盘的一轨道;以及设置于该轨道上并具有一探针的一测试器。该测试器经配置以沿一圆周方向围绕该晶圆移动。该探针装置还包括与该测试器通讯的一处理单元,经配置以控制该测试器的移动。制该测试器的...
  • 本申请公开一种探针装置及晶圆检测方法。该探针装置包括:一卡盘,经配置以支撑一晶圆;一轨道,围绕该卡盘;一测试器,设置于该轨道上,并具有一探针;以及一处理单元,与该测试器通讯并配置以围绕该晶圆周向移动该测试器,使该探针从该晶圆上的一第一部...