半导体元件及其制备方法技术

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一第一半导体结构以及一第一连接结构，其中该第一连接结构包括一第一连接隔离层、二第一导电层以及一第一多孔层，该第一连接隔离层设置在该第一半导体结构上，该二第一导电层设置在该第一连接隔离层中，该第一多孔层设置在该二第一导电层之间。该第一多孔层的一孔隙率介于大约25％到大约100％之间。该第一半导体结构包括多个第一复合导电特征，其中至少一个第一复合导电特征包括一第一保护衬垫、一第一石墨衬垫以及一第一核心导体，该第一石墨衬垫设置在该第一保护衬垫中，该第一核心导体设置在该第一石墨衬垫中。该第一核心导体设置在该第一石墨衬垫中。该第一核心导体设置在该第一石墨衬垫中。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制备方法


[0001]本申请案主张美国第17/698,545号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年3月18日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开关于一种半导体元件及其制备方法。特别是有关于一种具有一复合导电特征的半导体元件以及其制备方法。

技术介绍

[0003]半导体元件使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的制程期间，增加不同的问题，且如此的问题在数量与复杂度上持续增加。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。
[0004]上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

技术实现思路

[0005]本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括一第一半导体结构，包括多个第一复合导电特征，其中至少一第一复合导电特征包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：一第一半导体结构，包括多个第一复合导电特征，其中至少一第一复合导电特征包括一第一保护衬垫、一第一石墨衬垫以及一第一核心导体，该第一石墨衬垫设置在该第一保护衬垫中，该第一核心导体设置在该第一石墨衬垫中；以及一第一连接结构，包括一第一连接隔离层、二第一导电层以及一第一多孔层，该第一连接隔离层设置在该第一半导体结构上，该二第一导电层设置在该第一连接隔离层中，该第一多孔层设置在该二第一导电层之间；其中该第一多孔层的一孔隙率介于大约25％到大约100％之间。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一连接隔离层包括一第一下隔离层以及一第一上隔离层，该第一下隔离层设置在该第一半导体结构上，该第一上隔离层设置在该第一下隔离层上，其中该二第一导电层穿过该第一下隔离层与该第一上隔离层，且该第一多孔层穿过该第一上隔离层并延伸进入该第一下隔离层。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该二第一导电层包括二第一部分以及二第二部分，该二第一部分设置在该第一半导体结构上，该二第二部分设置在所述第一部分上，其中所述第二部分的一宽度大于所述第一部分的一宽度。4.如权利要求3所述的半导体元件，还包括多个第一上衬垫，设置在该第一上隔离层上并围绕该二第二部分。5.如权利要求4所述的半导体元件，还包括多个第一下衬垫，设置在该多个第一上衬垫与该第一上隔离层之间、在该二第一导电层与该第一上隔离层之间、在该二第一导电层与该第一下隔离层之间、在该第一多孔层与该第一上隔离层之间，以及在该第一多孔层与该第一下隔离层之间。6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该多个第一下衬垫的各下表面位在一垂直位面，其高于该第一半导体结构的一上表面的一垂直位面。7.如权利要求6所述的半导体元件，还包括多个阻障层，设置在该二第一导电层与该多个第一上衬垫之间、在该二第一导电层与该多个第一下衬垫之间、在该二第一导电层与该第一上隔离层之间、在该二第施导电层与该第一下隔离层之间，以及在该二第一导电层与该第一半导体结构之间。8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该多个第一导电特征的一宽度大于该等第一部分的一宽度，且该第一保护衬垫与该第一石墨衬垫具有一U形轮廓。9.如权利要求8所述的半导体元件，还包括一第二半导体结构，设置在该第一连接结构上，并包括多个第二复合导电特征，设置在该等第二部分上，其中该多个第二复合导电特征的一宽度大于该等第二部分的该宽度；至少一第二复合导电特征包括一第二保护衬垫、一第二石墨衬垫以及一第二核心导体，该第二石墨衬垫设置在该第二保护衬垫中，该第二核心导体设置在该第二石墨衬垫中，该第二保护衬垫与该第二石墨衬垫具有一U形轮廓。10.如权利要求9所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄登烟，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：