一种半导体元件的制备方法，包括：将一心轴层设置于一介电层上，并对心轴层进行图案化，以形成一第一心轴及与第一心轴间隔开的一第二心轴。第一心轴与第二心轴之间的最小距离等于或小于约90纳米。该制备方法还包括：形成与第一心轴的一第一侧相邻的一第...

本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一隔离层，设置于该基底中并定义该基底的一主动区，其中该主动区包括一晶体管部分及从该晶体管部分延伸出的一可编程设计部分；一栅极结构，设置于该晶体管部分上；一漏极区，设置于该可编...

本公开提供一种半导体结构及其制造系统。该制造系统包括一制造设备，经配置以执行多个步骤以形成一层在一晶圆上；一曝光设备，经配置以执行图案化步骤以形成该层的一图案；以及一对准设备，经配置以检测在该晶圆上的不同高度处的二叠对标记的一对准。该对...

本申请公开一种半导体元件，包括一基底；一隔离层，设置于该基底中并定义该基底的一主动区，其中该主动区包括一晶体管部分及从该晶体管部分延伸出的一可编程设计部分；一栅极结构，设置于该晶体管部分上；一漏极区，设置于该可编程设计部分及该晶体管部分...

本公开提供一种半导体元件的制备方法，包括形成一沟槽以从一半导体基底的一上表面延伸到该半导体基底中；以及形成一栅极介电层以加衬该沟槽。该制备方法亦包括形成一栅极电极层在该沟槽中以及在该半导体基底的该上表面上；以及形成一位元线结构在该半导体...

本公开提供一种制造缺陷原因的识别系统以及识别方法。该识别系统包括一处理单元以及一影像撷取单元，该影像撷取单元电性耦接到该处理单元。该识别系统经配置以借由该影像撷取单元而撷取覆盖一半导体晶圆的不同部分的N个影像，其中该N个影像的每一个包括...

本申请公开一种半导体元件。该半导体元件包括一第一次组实体对准标记，设置于一基底上并包括：一第一层对准标记，设置于该基底上，以及一第二层对准标记，设置于该第一次组实体对准标记的该第一层对准标记之上并与之偏离；以及一第一次组间隔对准标记，设...

本公开提供一种制造缺陷原因的识别系统以及非暂时性电脑可读媒体。该识别系统包括一处理单元以及一影像撷取单元，该影像撷取单元电性耦接到该处理单元。该识别系统经配置以借由该影像撷取单元而撷取覆盖一半导体晶圆的不同部分的N个影像，其中该N个影像...

一种数据写入控制装置及其数据写入控制方法，数据写入控制装置包括控制信号产生器、数据选通使能信号产生器及数据选通索引产生器。控制信号产生器接收写入命令、前同步码设定值及等待时间设定值，且根据写入命令、前同步码设定值及等待时间设定值产生内部...

本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包含：形成一第一图案在一基底上；形成一光致发光层在该第一图案上；形成一中间层在该光致发光层与该基底上；形成一图案化遮罩层在该中间层上；以及检测该图案化遮罩层与该第一图案的一对准。第一图案的一...

本申请提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底，具有一表面；一第一信号线，设置于该基底的该表面上；以及一第二信号线，设置于该基底的该表面上并与该第一信号线间隔开。该半导体元件还包括该第一信号线与该第二信号线之间的一第一掩膜线。该第一信...

一种存储器结构包括基板、第一字元线沟槽以及形成该第一字元线沟槽中的第一字元线。基板具有多个主动区与围绕主动区的隔离结构。第一字元线沟槽横跨主动区的第一主动区与隔离结构形成。第一字元线沟槽包括第一狭槽与第一槽体。第一狭槽从基板的顶面凹陷。...

一种单晶圆洁净设备，包含平台、用以固持晶圆的晶圆支撑件，以及距离感测器。晶圆支撑件使晶圆相对于平台旋转。距离感测器设置于晶圆支撑件上，用以量测距离感测器与晶圆支撑件的外缘之间的距离。一种单晶圆洁净设备的监控方法也在此揭露。单晶圆洁净设备...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一导电图案，设置在一半导体基底上；以及一互连结构，设置在该导电图案上，其中该互连结构包括一石墨烯衬垫。该半导体元件亦包括一互连衬垫，设置在该互连结构与该导电图案之间，并围绕该互连结构...

本公开提供一种半导体元件结构的制备方法，包括形成一目标层在一半导体基底上；以及形成多个第一遮罩图案在该目标层上。该制备方法亦包括形成一加衬层，共形地覆盖该多个第一遮罩图案及该目标层；以及形成一第一开口在该加衬层上且在该多个第一遮罩图案之...

一种半导体元件的制造方法包含：形成虚设遮罩层于基板上；将光罩放置于虚设遮罩层上方，其中光罩具有数个第一镂空部；利用光罩图案化虚设遮罩层致使虚设遮罩层具有数个第二镂空部；将填充材料填充于第二镂空部以及虚设遮罩层以外的剩余部位；以及去除虚设...

本公开提供一种半导体元件结构的制备方法，包括形成一目标层在一半导体基底上；以及形成多个第一遮罩图案在该目标层上。该制备方法亦包括形成多个能量可移除间隙子在每一个第一遮罩图案的相对两侧壁上；以及形成一第二遮罩图案在该目标层上以及在该等能量...

一种制造半导体元件的方法包含：形成遮罩层在位于基材上的堆叠结构上，其中遮罩层具有第一区域以及第二区域，第一区域具有图案化结构；通过图案化结构在堆叠结构上蚀刻开口，其中蚀刻残物堆积于第二区域上；形成阻障层以覆盖遮罩层、开口的内壁以及蚀刻残...

本公开提供一种叠对测量标记，用以确认在一基底的二连续层之间的一叠对误差。该叠对测量标记包括一第一轴、一第二轴、一目标特征、一第一对准特征以及一第二对准特征。该第二轴与该第一轴交叉。该目标特征设置在该第一轴与该第二轴的一交叉处。该第一对准...

本公开提供一种在半导体制造期间确定叠对误差的方法。该方法包括形成一第一结构层在一晶圆上，该第一结构层包括一目标特征；形成一第二结构层在该第一结构层上，该第二结构层包括一第一轴、一第二轴以及一对对准特征，其中该对对准特征设置在该第一轴与该...