半导体元件制造技术

本申请公开一种半导体元件。该半导体元件包括一第一次组实体对准标记，设置于一基底上并包括：一第一层对准标记，设置于该基底上，以及一第二层对准标记，设置于该第一次组实体对准标记的该第一层对准标记之上并与之偏离；以及一第一次组间隔对准标记，设置于该基底上，与该第一次组实体对准标记远离，并包括：一第一层对准标记，设置于该基底上并与该第一次组实体对准标记的该第一层对准标记远离，以及一第二层对准标记，设置于该第一次组间隔对准标记的该第一层对准标记之上并与之偏离。该第一次组实体对准标记及该第一次组间隔对准标记包括一种荧光材料。包括一种荧光材料。包括一种荧光材料。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件


[0001]本申请案主张第17/676,999及17/677,358号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年2月22日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开关于一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。特别是有关于一种具有对准标记的半导体元件及其制备方法。

技术介绍

[0003]半导体元件用于各种电子应用，如个人电脑、移动电话、数码相机及其他电子装置。半导体元件的尺寸正在不断缩小，以满足日益增长的计算能力的需求。然而，在缩小尺寸的过程中出现各种问题，而且这种问题在不断增加。因此，在实现提高品质、产量、性能及可靠性以及降低复杂性方面仍然存在挑战。
[0004]上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

技术实现思路

[0005]本公开的一个方面提供一种半导体元件，包括设置于一基底上的一第一次组实体对准标记以及一第一次组间隔对准标记。该第一次组实体对准标记包括：设置于该基底上的该第一次组实体对准标记的一第一层对准标记，以及设置于该第一次组实体对准标记的该第一层对准标记之上并与之偏离的该第一次组实体对准标记的一第二层对准标记。该第一次组间隔对准标记与该第一次组实体对准标记远离，包括：设置于该基底上并与该第一次组实体对准标记的该第一层对准标记远离的该第一次组间隔对准标记的一第一层对准标记，以及设置于该第一次组间隔对准标记的该第一层对准标记之上并与之偏离的该第一次组间隔对准标记的一第二层对准标记。该第一次组实体对准标记及该第一次组间隔对准标记包括一种荧光材料。
[0006]本公开的另一个方面提供一种半导体元件，包括设置于一基底上的一第一导电层以及设置于该第一绝缘层上的一第二导电层；一第一次组实体对准标记，包括：设置于该第一导电层中的该第一次组实体对准标记的一第一层对准标记，以及设置于该第二导电层中并与该第一次组实体对准标记的该第一层对准标记偏离的该第一次组实体对准标记的一第二层对准标记；以及一第一次组间隔对准标记，包括：设置于该第一导电层中并与该第一次组实体对准标记的该第一层对准标记远离的该第一次组间隔对准标记的一第一层对准标记，以及设置于该第二导电层中并与该第一次组间隔对准标记的该第一层对准标记偏离的该第一次组间隔对准标记的一第二层对准标记。该第一次组实体对准标记及该第一次组间隔对准标记包括一种荧光材料。
[0007]本公开的另一个方面提供一种半导体元件的制备方法，该制作方法包括：提供一基底；在该基底上形成一第一次组实体对准标记及一第一次组间隔对准标记，并且相互远
离。该第一次组实体对准标记包括形成在该基底上的该第一次组实体对准标记的一第一层对准标记，以及形成在该第一次组实体对准标记的该第一层对准标记之上并与之偏离的该第一次组实体对准标记的一第二层对准标记。该第一次组间隔对准标记包括形成在该基底上并与该第一次组实体对准标记的该第一层对准标记远离的该第一次组间隔对准标记的一第一层对准标记，以及形成在该第一次组间隔对准标记的该第一层对准标记之上并与之偏离的该第一次组间隔对准标记的一第二层对准标记。该第一次组实体对准标记及该第一次组间隔对准标记包括一种荧光材料。
[0008]由于本公开的半导体元件的设计，包括荧光材料的对准标记111、113、115、117、121、123、125、127、131、133、135、137、141、143、145、147、211、213、215、217、221、223、225、227、231、233、235、237、241、243、245、247可以在晶圆制程期间中改善光学识别。因此，半导体元件1A的产量可得到改善。
[0009]上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
附图说明
[0010]参阅实施方式与权利要求合并考量图式时，可得以更全面了解本申请案的揭示内容，图式中相同的元件符号是指相同的元件。
[0011]图1是俯视图，例示本公开一个实施例的半导体元件。
[0012]图2及图3是沿图1的线A
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A'、线B
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B'、线C
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C'及线D
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D'的剖视图。
[0013]图4是俯视图，例示本公开另一个实施例的半导体元件。
[0014]图5及图6是沿图4的线A
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A'、线B
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B'、线C
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C'及线D
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D'的剖视图。
[0015]图7是流程图，例示本公开一个实施例的半导体元件的制备方法。
[0016]图8是俯视图，例示本公开一个实施例的中间半导体元件。
[0017]图9及图10是沿图8的线A
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A'、线B
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B'、线C
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C'及线D
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D'的剖视图，例示本公开一个实施例的半导体元件的部分制备流程。
[0018]图11是俯视图，例示本公开一个实施例的中间半导体元件。
[0019]图12及图13是沿图11的线A
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A'、线B
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B'、线C
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C'及线D
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D'的剖视图，例示本公开一个实施例的半导体元件的部分制备流程。
[0020]图14是俯视图，例示本公开一个实施例的中间半导体元件。
[0021]图15及图16是沿图14的线A
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A'、线B
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B'、线C
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C'及线D
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D'的剖视图，例示本公开一个实施例的半导体元件的部分制备流程。
[0022]图17是俯视图，例示本公开一个实施例的中间半导体元件。
[0023]图18及图19是沿图17的线A
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A'、线B
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B'、线C
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C'及线D
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D'的剖视图，例示本公开一个实施例的半导体元件的部分制备流程。
[0024]图20是俯视图，例示本公开一个实施例的中间半导体元件。
[0025]图21及图22是沿图20的线A
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A'、线B
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B'、线C
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C'及线D
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D'的剖视图，例示本公开一个实施例的半导体元件的部分制备流程。
[0026]图23是流程图，例示本公开另一个实施例的半导体元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：一第一次组实体对准标记，经设置于一基底上，包括：该第一次组实体对准标记的一第一层对准标记，经设置于该基底上；以及该第一次组实体对准标记的一第二层对准标记，经设置于该第一次组实体对准标记的该第一层对准标记之上并与之偏离；以及一第一次组间隔对准标记，经设置于该基底上，并与该第一次组实体对准标记远离，包括：该第一次组间隔对准标记的一第一层对准标记，经设置于该基底上，并与该第一次组实体对准标记的该第一层对准标记远离；以及该第一次组间隔对准标记的一第二层对准标记，经设置于该第一次组间隔对准标记的该第一层对准标记之上并与之偏离；其中该第一次组实体对准标记及该第一次组间隔对准标记包括一荧光材料。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该荧光材料包括偶氮苯。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一次组实体对准标记的该第一层对准标记及该第一次组实体对准标记的该第二层对准标记是线状，分别沿一第一方向延伸，沿垂直于该第一方向的一第二方向相互分开。4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一次组实体对准标记的该第一层对准标记及该第一次组间隔对准标记的该第一层对准标记根据一第一对称轴以一镜像方式设置，该第一次组实体对准标记的该第二层对准标记及该第一次组间隔对准标记的该第二层对准标记根据该第一对称轴以一镜像方式设置，并且该第一对称轴沿与该第一方向及该第二方向各自倾斜的一方向延伸。5.如权利要求4所述的半导体元件，更包括：一第一绝缘层，经设置于该基底上，其中该第一次组实体对准标记的一第一层对准标记经设置于该第一绝缘层中；以及一第二绝缘层，经设置于该第一绝缘层上，其中该第一次组实体对准标记的该第二层对准标记经设置于该第二绝缘层中。6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该第一次组实体对准标记包括：该第一次组实体对准标记的一第三层对准标记，经设置于该第一次组实体对准标记的该第二层对准标记之上并与之偏离；该第一次组实体对准标记的一第四层对准标记，经设置于该第一次组实体对准标记的该第三层对准标记之上并与之偏离；其中该第一次组实体对准标记的该第三层对准标记在一俯视视角中设置于该第一次组实体对准标记的该第二层对准标记与该第一次组实体对准标记的该第四层对准标记之间。7.如权利要求6所述的半导体元件，更包括一第二次组实体对准标记，包括：该第二次组实体对准标记的一第一层对准标记，经设置于该第一绝缘层中，与该第一次组实体对准标记的该第三层对准标记沿该第二方向对齐，并与该第一次组实体对准标记的该第三层对准标记沿该第一方向远离；该第二次组实体对准标记的一第二层...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：