接合晶圆与包含所述接合晶圆的弹性波装置制造方法及图纸

一种接合晶圆，包含：压电晶圆及支撑晶圆，所述支撑晶圆具有接合于所述压电晶圆的接合部与位于所述接合部的外周侧且不连接所述压电晶圆的露出部，所述露出部的表面的外缘部的至少一部分形成粗化部，所述粗化部的算术平均粗糙度为检测光波长的十分之一以上。借此，能确实地检测出经平台加工后的支撑晶圆的外缘部。部。部。

【技术实现步骤摘要】
接合晶圆与包含所述接合晶圆的弹性波装置


[0001]本公开涉及一种接合晶圆。

技术介绍

[0002]专利文献1(日本特开2018
‑
170312)公开一种接合晶圆的外缘部的检测方法。根据所述方法，能检测出经平台加工(terrace processing)后的支撑晶圆的外缘部。

技术实现思路

[0003][专利技术欲解决之课题][0004]然而，在支撑基板的光穿透率极高的情况下，能检测出的反射光量极少。因此，检测装置中可能出现无法检测出反射光的情况。在这种情况下，无法检测出经平台加工后的支撑晶圆的外缘部。
[0005]本公开为解决上述问题，目的在于提供一种能确实检测出经平台加工后的支撑晶圆的外缘部的接合晶圆。
[0006][用以解决课题的手段][0007]本公开的接合晶圆，包含：
[0008]压电晶圆；及
[0009]支撑晶圆，具有接合于所述压电晶圆的接合部与位于所述接合部的外周侧且不连接所述压电晶圆的露出部，所述露出部的表面的外缘部的至少一部分形成粗化部，所述粗化部的算术平均粗糙度为检测光波长的十分之一以上。
[0010]本公开的一种形态，在所述支撑晶圆中，所述粗化部形成于所述露出部的整个表面。
[0011]本公开的一种形态，所述露出部的表面在所述粗化部以外的位置的算术平均粗糙度比所述粗化部的算术平均粗糙度小。
[0012]本公开的一种形态，所述支撑晶圆包括构成其外缘部的支撑侧定位部，所述压电晶圆包括构成其外缘部的一部分的压电侧定位部，所述粗化部形成在所述支撑侧定位部的位置与所述压电侧定位部的位置。
[0013]本公开的一种形态，所述粗化部形成于所述露出部的表面的外缘部的全周，比所述粗化部更内侧的所述露出部的表面的算术平均粗糙度，比所述粗化部的算术平均粗糙度小。
[0014]本公开的一种形态，所述支撑晶圆包括构成其外缘部的支撑侧定位部，所述粗化部形成于所述支撑侧定位部的位置，在所述粗化部以外的所述露出部的表面的算术平均粗糙度，比所述粗化部的算术平均粗糙度小。
[0015]本公开的一种形态，所述支撑晶圆的粗化部的算术平均粗糙度为50nm以上。
[0016]本公开的一种形态，所述支撑晶圆的粗化部的算术平均粗糙度为250nm以下。
[0017]本公开的一种形态，所述支撑晶圆的接合部的算术平均粗糙度不到1nm。
[0018]本公开的一种形态，所述支撑晶圆的露出部比所述接合部薄。
[0019]本公开的一种形态，所述支撑晶圆通过范德瓦耳斯力与所述压电晶圆接合。
[0020]本公开的一种形态，所述支撑晶圆是由蓝宝石、硅、氧化铝、尖晶石、水晶或玻璃形成。
[0021]本公开的一种形态，所述支撑晶圆的侧面比所述压电晶圆的侧面陡峭。
[0022]本公开的弹性波装置，包含所述接合晶圆。
[0023]专利技术效果
[0024]根据本公开，能确实地检测出经平台加工后的支撑晶圆的外缘部。
附图说明
[0025]图1是第一实施例的接合晶圆的平面图。
[0026]图2是说明对第一实施例的接合晶圆进行平台加工的示意图。
[0027]图3是第一实施例的接合晶圆的支撑晶圆的一部分的接合部的表面的照片。
[0028]图4是第一实施例的接合晶圆的支撑晶圆的一部分的接合部的表面的照片。
[0029]图5是第一实施例的接合晶圆的支撑晶圆的一部分的接合部的表面的照片。
[0030]图6是第一实施例的接合晶圆的支撑晶圆的一部分的接合部的表面的照片。
[0031]图7是第一实施例的接合晶圆的支撑晶圆的一部分的粗化部的照片。
[0032]图8是第一实施例的接合晶圆的支撑晶圆的一部分的粗化部的比较例的表面的照片。
[0033]图9是说明当第一实施例的接合晶圆的支撑晶圆的一部分的露出部的表面为理想的平滑面时的正反射的示意图。
[0034]图10是说明当第一实施例的接合晶圆的支撑晶圆的一部分的露出部的表面为理想的平滑面时的正反射的反射率的入射关联性的示意图。
[0035]图11是说明当第一实施例的接合晶圆的支撑晶圆的一部分的露出部的表面为凹凸面时的反射光的漫射的示意图。
[0036]图12是说明第一实施例的接合晶圆的支撑晶圆的一部分的粗化部的光的反射状态的示意图。
[0037]图13是说明对应于第一实施例的接合晶圆的支撑晶圆的一部分的粗化部的光的比较例的外缘部的穿透状态的示意图。
[0038]图14是说明第一实施例的接合晶圆的支撑晶圆的一部分的粗化部的边缘检测的第一例的示意图。
[0039]图15是说明对应于第一实施例的接合晶圆的支撑晶圆的一部分的粗化部的比较例的外缘部的边缘检测的第一例的示意图。
[0040]图16是说明第一实施例的接合晶圆的支撑晶圆的一部分的粗化部的边缘检测的第二例的示意图。
[0041]图17是说明第一实施例的接合晶圆的支撑晶圆的一部分的粗化部的比较例的外缘部的边缘检测的第二例的示意图。
[0042]图18是第二实施例的接合晶圆的平面图。
[0043]图19是第三实施例的接合晶圆的平面图。
[0044]图20是第四实施例的接合晶圆的平面图。
具体实施方式
[0045]以下将根据附图说明本专利技术的具体实施态样。需注意的是，各图中相同或相当的部分使用相同的标记。所述相同或相当的部分会适当地简化或省略重复的说明。
[0046](第一实施例)
[0047]图1是第一实施例的接合晶圆的平面图。
[0048]图1的接合晶圆1经过曝光工艺、切割工艺等，并被安装了弹性表面波共振器、声薄膜共振器等。因此，得以制造弹性波装置。如图1所示，所述接合晶圆1包含压电晶圆2及支撑晶圆3。
[0049]例如，所述压电晶圆2由钽酸锂、铌酸锂或水晶等压电单晶形成。例如，所述压电晶圆2由压电陶瓷形成。所述压电晶圆2呈圆盘状。所述压电晶圆2为薄膜晶圆。例如，所述压电晶圆2的厚度为200μm。
[0050]例如，所述支撑晶圆3为蓝宝石、硅、氧化铝、尖晶石、水晶或玻璃等形成。所述支撑晶圆3呈圆盘状。所述支撑晶圆3的直径比所述压电晶圆2的直径大。所述支撑晶圆3是光的穿透率极高的透明晶圆。例如，所述支撑晶圆3的光的穿透率为80％以上。例如，所述支撑晶圆3的厚度为500μm。
[0051]例如，所述压电晶圆2与所述支撑晶圆3不借由黏合剂而是通过范德瓦耳斯力(van der Waals force)直接接合。例如，所述压电晶圆2的背面与所述支撑晶圆3的表面的算术平均粗糙度(Arithmetic Average Roughness)控制在不到1nm。因此，所述压电晶圆2与所述支撑晶圆3通过范德瓦耳斯力直接接合。
[0052]在所述接合晶圆1的外缘部中，所述压电晶圆2与所述支撑晶圆3的接合强度较弱。因此，能针对所述接合晶圆1的外缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接合晶圆，其特征在于包含：压电晶圆；及支撑晶圆，具有接合于所述压电晶圆的接合部与位于所述接合部的外周侧且不连接所述压电晶圆的露出部，所述露出部的表面的外缘部的至少一部分形成粗化部，所述粗化部的算术平均粗糙度为检测光波长的十分之一以上。2.根据权利要求1所述的接合晶圆，其特征在于：在所述支撑晶圆中，所述粗化部形成于所述露出部的整个表面。3.根据权利要求1所述的接合晶圆，其特征在于：所述露出部的表面在所述粗化部以外的位置的算术平均粗糙度比所述粗化部的算术平均粗糙度小。4.根据权利要求3所述的接合晶圆，其特征在于：所述支撑晶圆包括构成其外缘部的支撑侧定位部，所述压电晶圆包括构成其外缘部的一部分的压电侧定位部，所述粗化部形成在所述支撑侧定位部的位置与所述压电侧定位部的位置。5.根据权利要求1所述的接合晶圆，其特征在于：所述粗化部形成于所述露出部的表面的外缘部的全周，比所述粗化部更内侧的所述露出部的表面的算术平均粗糙度，比所述粗化部的算术平均粗糙度小。6.根据权利要求1所述的接合晶圆，其特征在于：所述支撑晶圆包括构成其外缘部的支撑侧定位部，所述粗化部形成于所述支撑侧定位...

【专利技术属性】
技术研发人员：本山惠一郎，高桥敦哉，
申请(专利权)人：三安日本科技株式会社，
类型：发明
国别省市：