本发明提供一种熔丝装置及其操作方法。熔丝装置包括多个熔丝电路、一个广域闩锁电路以及多个局域闩锁电路。广域闩锁电路耦接至这些熔丝电路。广域闩锁电路用以在不同时间感测这些熔丝电路的刻录态，以在所述不同时间输出这些熔丝电路的熔丝信息。这些局域...

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括形成一隔离结构在一半导体基底上，该隔离结构界定具有一沟槽宽度的一沟槽。该制备方法亦包括形成一第一导电材料层在该沟槽中以及在该隔离结构的一上表面上，其中该第一导电材料层在该隔离结构的该上...

本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括形成一隔离结构在一半导体基底上，该隔离结构界定具有一沟槽宽度的一沟槽。该制备方法亦包括形成一第一导电材料层在该沟槽中以及在该隔离结构的一上表面上，其中该第一导电材料层在该隔离结构的该上表...

本申请提供一种存储器元件的制备方法。该制备方法包括步骤：提供一半导体基底，包括设置于该半导体基底上或其中的一主动区；在该半导体基底上形成一氧化膜；在该氧化膜上形成一氮化膜；形成延伸通过该氧化膜及该氮化膜的一沟渠；在该氮化膜上形成一第一空...

本申请提供一种半导体元件结构的制备方法。该制备方法包含：提供一基底；在该基底上形成一第一发光特征；在该第一发光特征上形成一第一图案；形成与该第一图案横向重叠的一第一导电特征；以及在该第一图案上形成一第二图案；其中该第一发光特征经配置以发...

本公开提供一种半导体存储器的制备方法。该制备方法包括形成一数据存储元件；形成一接触元件，电性连接到该数据存储元件；以及形成一数据处理元件在该数据存储元件上并电性连接到该接触元件。接到该接触元件。接到该接触元件。

本发明公开一种半导体元件。该半导体元件包含：一第一层结构，包含位于一基板上方的多个导电部件及位于多个导电部件之间的该第一层结构的一去耦合单元；一第一层对准标志，位于该去耦合单元上，且包含一荧光材料；一第二层结构，位于该第一层结构上，且包...

本申请提供一种存储器元件及该存储器元件的制备方法。该存储器元件包括一半导体基底，该半导体基底上或其中定义有一主动区，并包括围绕该主动区的一凹槽；一第一介电质层，设置于该半导体基底的该主动区上；一第二介电质层，设置于该第一介电质层上；以及...

一种半导体结构包括半导体基材、位于半导体基材的沟槽中的间隔物，其中间隔物包括两个沟槽氮化物层和夹在两个沟槽氮化物层之间的空隙。第一氮化物层用以密封两个沟槽氮化物层之间的空间隙的暴露开口。第二氮化物层在第一氮化物层之上，其中第二氮化物层具...

本公开提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构包括一第一字元线、一第二字元线、一栅极介电结构、一通道层以及一位元线。该第一字元线与该第二字元线沿着一第一方向延伸。该栅极介电结构设置在该第一字元线的一第一侧壁上以及在该第二字元线的一第二侧...

一种半导体结构包含有主动中介层、第一堆叠晶片模组以及第二堆叠晶片模组。主动中介层包含有基材、第一控制电路位于基材的第一控制区、第二控制电路位于基材的第二控制区以及通信电路连接第一控制电路以及第二控制电路。第一堆叠晶片模组垂直堆叠在主动中...

本发明提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构包括一基底、一第一导电特征、一第一发光特征、一第一图案及一第二图案。该第一发光特征设置于该基底上。该第一图案设置于该第一发光特征上。该第二图案设置于该第一图案上。该第一导电特征设置于该基底上...

本发明提供一种测试平台及冗余熔丝闩锁分析方法。在DRAM芯片中，第一冗余存储单元组用以修补失效存储单元组。DRAM芯片对失效存储单元组所对应的经修补地址进行写入操作，以将经修补地址所对应的识别数据写入经修补地址所实际对应的第二冗余存储单...

本公开提供一种半导体存储器。该半导体存储器包括一数据存储元件、一数据处理元件以及一接触元件。该数据处理元件设置在该数据存储元件上。该接触元件设置在该数据存储元件与该数据处理元件之间。该接触元件将该数据存储元件与该数据处理元件电性连接。件...

本申请公开一种半导体元件及半导体元件的制造方法，该半导体元件包含：一第一层结构，位于一基板上，且包含：位于该基板上方的该第一层结构的多个导电部件；及位于该第一层结构的该等导电部件之间的该第一层结构的一去耦合单元，且该去耦合单元包含一瓶形...

本公开提供一种半导体元件结构的制备方法。该制备方法包括提供一基底；形成一第一字元线以及一第二字元线而沿着一第一方向延伸；共形地形成一介电材料在该第一字元线的一第一侧壁上以及在该第二字元线的一第二侧壁上，其中该第二字元线的该第二侧壁面对该...

一种半导体元件的制造方法包含：形成硬遮罩层于半导体结构上，其中硬遮罩层具有第一镂空部以及第二镂空部；形成光阻层于硬遮罩层上方并填充第一镂空部以及第二镂空部；在光阻层远离半导体结构的一侧形成第一凹陷以及第二凹陷，其中第一凹陷与第二凹陷具有...

一种存储器结构包括基板、隔离区、复数个主动区以及第一字元线。隔离区与复数个主动区形成于基板上。隔离区围绕该主动区。隔离区包括隔离结构，并且隔离结构形成于从隔离区凹陷的隔离沟槽。第一字元线横跨主动区的第一主动区与隔离区形成。第一字元线在第...

本公开提供一种叠对测量设备，适合于确定一元件的二或多个连续图案化层的相对位置。该叠对测量设备包括一平台以及一成像组件。该元件置放在该平台上。该成像组件包括多个光学头以及多个叠对标记，该多个叠对标记组装在该多个光学头上。该元件的二或多个连...

提供一种光学系统及其操作方法。该光学系统包括一元件以及一叠对测量设备。该元件包括一第一图案化层、一第二图案化层以及一第一钝化膜。该第二图案化层设置在该第一图案层上，且该第一钝化膜覆盖该第一图案化层。该叠对测量设备，用以确定该第一与第二图...