半导体结构及半导体制造方法技术

一种半导体结构包括半导体基材、位于半导体基材的沟槽中的间隔物，其中间隔物包括两个沟槽氮化物层和夹在两个沟槽氮化物层之间的空隙。第一氮化物层用以密封两个沟槽氮化物层之间的空间隙的暴露开口。第二氮化物层在第一氮化物层之上，其中第二氮化物层具有比第一氮化物层高的密度。第三氮化物层具有位于第二氮化物层上方的第一部分和设置在两个沟槽氮化物层的侧壁上的第二部分。通过氮化物层的原子层沉积来修复两个沟槽氮化物层的蚀刻损伤，以减少从位元线结构到电池容器接触和电池容器的电流泄漏。的电流泄漏。的电流泄漏。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体制造方法


[0001]本揭露是关于半导体结构及半导体制造方法。

技术介绍

[0002]半导体元件应用于各种电子装置，例如个人计算器、手机、数码相机和其他电子设备。半导体元件通常通过在半导体基材上顺序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路元件和组件来制造。
[0003]半导体工业通过不断缩小最小特征尺寸来继续提高各种电子元件(例如电晶体、二极体、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多元件被集成到给定区域中。然而，随着最小特征尺寸的缩小，出现了欲解决的其他问题。例如，IC尺寸的大幅缩小导致寄生电容增加(例如，位元线和电池容器触点之间)。由于这种附加的寄生电容，电子元件性能下降。因此，现有半导体技术并未在所有方面都完全令人满意。

技术实现思路

[0004]本揭露提出一种创新的半导体结构及半导体制造方法，解决现有技术的问题。
[0005]于本揭露的一些实施例中，一种半导体制造方法包含以下步骤：提供半导体基材；形成设置在该半导体基材的沟槽中的间隔物，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造方法，其特征在于，包含：提供半导体基材；形成设置在该半导体基材的沟槽中的间隔物，其中该间隔物包括两个沟槽氮化物层和夹在该两个沟槽氮化物层之间的氧化物层；蚀刻该氧化物层以在该两个沟槽氮化物层之间形成空隙；形成第一氮化物层以覆盖该两个沟槽氮化物层之间的该空隙；形成第二氮化物层在该第一氮化物层上方，其中该第二氮化物层具有比该第一氮化物层更高的密度；以及使用原子层沉积在该第二氮化物层上方形成第三氮化物层，其中该第三氮化物层的至少一部分扩散穿越该第一氮化物层和该第二氮化物层到该空隙中。2.根据权利要求1所述的方法，其中该第三氮化物层具有比该第一氮化物层更高的密度。3.根据权利要求1所述的方法，其中该第三氮化物层具有比该第二氮化物层更高的密度。4.根据权利要求1所述的方法，其中扩散穿越该第一氮化物层和该第二氮化物层的该第三氮化物层的该至少一部分形成该两个沟槽氮化物层的侧壁上的薄膜。5.根据权利要求1所述的方法，其中该第一氮化物层的沉积速度快于该第二氮化物层的沉积速度。6.根据权利要求1所述的方法，其中该第三氮化物层的沉积速度慢于该第一氮化物层的沉积速度。7.根据权利要求1所述的方法，其中该第三氮化物层的沉积速度慢于该第二氮化物层的沉积速度。8.根据权利要求1所述的方法，其中该第一氮化物层的氢氟酸蚀刻速率高于该第二氮化物层的氢氟酸蚀刻速率。9.根据权利要求1所述的方法，其中该第一氮化物层的氢氟酸蚀刻速率高于该第三氮化物层的氢氟酸蚀刻速率。10.根据权利要求1所述的方法，其中该第二氮化物层的氢氟酸蚀刻速率高于该第三氮化物层的氢氟酸蚀刻速率。11.一种半导体制造方法，其特征在于，包含：提供半导体基材；在该半导体基材中形成电池容器触点；在该半导体基材中形成位元线结构；形成设置在该半导体基材的沟槽中的间隔物，其中该间隔物夹在该电池容器触点和该位元线结构之间，该间隔物包括两个沟槽氮化物层和夹在该两个沟槽氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：林猷颖，黄仲麟，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：