制造半导体装置的方法制造方法及图纸

一种制造半导体装置的方法包括形成第一导体结构在基材上、形成第一间隔物在第一导体结构的侧壁上、形成牺牲层在第一间隔物的侧壁上、形成第二间隔物在牺牲层的侧壁上、形成第二导体结构相邻于第二间隔物、以及移除牺牲层以形成气隙。移除牺牲层以形成气隙的方法包括提供第一气体以形成在第一气压的第一阶段、提供第二气体和第一气体以形成在第一气压的第二阶段、提供第三气体、第二气体和第一气体以形成在第一气压的第三阶段、以及提供第一气体以形成在第二气压的第四阶段，其中第二气压低于第一气压。牺牲层在第三阶段中移除。提升气相蚀刻工艺的稳定性而改善蚀刻选择比，借此降低间隔物的损失从而提升半导体装置良率。低间隔物的损失从而提升半导体装置良率。低间隔物的损失从而提升半导体装置良率。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法


[0001]本专利技术是关于一种制造半导体的方法，尤其是关于一种制造具有气隙的半导体的方法。

技术介绍

[0002]随着科技进步，半导体装置变得更加高度整合，半导体装置内的导体之间的距离越来越靠近，导致导体之间产生的寄生电容(parasitic capacitance)和电阻电容延迟(RC delay)变得显著。由于空气具有低介电常数(约等于1)，使用气隙在半导体装置中可有效地降低寄生电容和阻容延迟。因此，优化气隙工艺可有助于半导体装置的生产质量。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的一些实施方式，一种制造半导体装置的方法包括形成第一导体结构在基材上、形成第一间隔物在第一导体结构的侧壁上、形成牺牲层在第一间隔物的侧壁上、形成第二间隔物在牺牲层的侧壁上使得牺牲层介于第一间隔物和第二间隔物之间、形成第二导体结构相邻于第二间隔物、以及借由气相蚀刻工艺移除牺牲层以形成气隙。移除牺牲层以形成气隙的方法包括提供第一气体以形成在第一气压的第一阶段、提供第二气体和第一气体以形成维持在第一气压的第二阶段、提供第三气体、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：形成第一导体结构在基材上；形成第一间隔物在该第一导体结构的侧壁上；形成牺牲层在该第一间隔物的侧壁上；形成第二间隔物在该牺牲层的侧壁上，其中该牺牲层介于该第一间隔物和该第二间隔物之间；形成第二导体结构相邻于该第二间隔物；以及借由气相蚀刻工艺移除该牺牲层以形成气隙，包括：提供第一气体以形成第一阶段，其中该第一阶段在第一气压；提供第二气体和该第一气体以形成第二阶段，其中该第二阶段维持在该第一气压；提供第三气体、该第二气体和该第一气体，以形成第三阶段，其中该第三阶段维持在该第一气压，并且该牺牲层在该第三阶段中经移除而形成该气隙；以及提供该第一气体以形成第四阶段，其中该第四阶段气体环境在第二气压，该第二气压低于该第一气压。2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中还包含在形成该气隙之后，排出该第二气体与该第三气体。3.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中该第三气体包括含氟的气体。4.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中该第二气体包括含氮的气体。5.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中该第一气体包括惰性气体、含氮的气体、或上述的组合。6.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中借由调整该第一气体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王治权，赖振益，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：