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一种制造半导体装置的方法包括形成第一导体结构在基材上、形成第一间隔物在第一导体结构的侧壁上、形成牺牲层在第一间隔物的侧壁上、形成第二间隔物在牺牲层的侧壁上、形成第二导体结构相邻于第二间隔物、以及移除牺牲层以形成气隙。移除牺牲层以形成气隙的方...
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