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半导体结构及半导体制造方法技术
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文档序号:38752485
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一种半导体结构包括半导体基材、位于半导体基材的沟槽中的间隔物,其中间隔物包括两个沟槽氮化物层和夹在两个沟槽氮化物层之间的空隙。第一氮化物层用以密封两个沟槽氮化物层之间的空间隙的暴露开口。第二氮化物层在第一氮化物层之上,其中第二氮化物层具有比...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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