本公开提供一种凹槽式栅极结构的制备方法，包括：形成一凹槽结构；形成一第一功能层，以至少覆盖该凹槽结构该凹槽的一侧壁；形成一第二功能层，以覆盖该第一功能层；执行一快速热处理，以形成沿着该第一功能层与该第二功能层之间的一界面延伸的一界面层；...

本公开提供一种凹槽式栅极结构。凹槽式栅极结构包括一凹槽结构，其中该凹槽结构包括一基底，具有从该基底的一最上表面延伸到该基底中的一凹槽；一导电特征，填充在该凹槽结构的该凹槽中；一第一功能层，在该导电特征与该凹槽结构之间延伸，并包括一第一元...

一种半导体元件，包括设置在一半导体基底中的一第一源极或漏极区及一第二源极或漏极区。该半导体元件还包括设置在该半导体基底中并位于该第一源极或漏极区与该第二源极或漏极区之间的一字元线结构。该字元线结构包括一复合栅极介电质，以及设置在该复合栅...

本公开提供一种具有复合导电特征和气隙的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包含一第一导电部件和一第二导电部件，设置于一半导体基板的一图案密集区上方。该半导体元件也包含一第三导电部件和一第四导电部件，设置于该半导体基板的一图案稀疏区上方。...

本公开提供一种接触结构及其制备方法。该接触结构包括一凹槽结构，其中该凹槽结构包括一基底，具有从该基底的一最上表面延伸到该基底中的一凹槽；一导电特征，填充在该凹槽结构的该凹槽中；一第一功能层，在该导电特征与该凹槽结构之间延伸，并包括一第一...

本公开提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构包括一第一金属化线、一第二金属化线、一第一隔离特征、一第二隔离特征、一轮廓修饰子以及一触点特征。该第一金属化线及该第二金属化线沿一第一方向延伸。该第一隔离特征及该第二隔离特征设置在该第一金属...

本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底，包括一阵列区及一周围区，该周围区围绕该阵列区；一字元线结构，设置在该阵列区中；以及一第一栅极堆叠，设置在该周围区上并包括：一第一栅极介电层，设置在该周围区上；一第一栅极保护层...

本公开提供一种光学半导体元件。该光学半导体元件具有一逻辑晶粒，包括一核心电路区以及一逻辑周围电路区；一存储器晶粒，设置在该逻辑晶粒上并包括一存储器胞区以及一存储器周围区，且一第一晶粒内(inter

本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底；以及一第一栅极堆叠，设置在该基底上，并包括：一第一栅极介电层，设置在该基底上；一第一栅极保护层，设置在该第一栅极介电层上并包括氮化硅钛；一第一功函数层，设置在该第一栅极保护层上；以及一第...

本公开提供一种基板的处理方法。该方法包括下列步骤：提供一基板，其包括一牺牲层和一绝缘层；形成一多晶硅硬掩模于该绝缘层上；通过该多晶硅硬掩模中的多个开口蚀刻该绝缘层和该牺牲层以形成多个通道；沉积一金属膜和一钝化膜于该多晶硅硬掩模上和这些通...

一种半导体装置包括具有半导体元件的装置层、在装置层上的第一介电层，以及在装置层上的第一导线，其中第一介电层围绕第一导线。一种半导体装置还包括在第一介电层上并在第一导线周围的第二介电层，其中第二介电层的上表面高于第一导线的上表面。一种半导...

本发明提供一种芯片外驱动(OCD)装置，包括信号转态检测器、前端驱动器、第一主驱动器、第二主驱动器、第一阻抗供应器和第二阻抗供应器。信号转态检测器用于检测输入信号的转态状态以产生决策信息。前端驱动器根据决策信息产生控制信号，并根据输入信...

本公开提供一种半导体元件结构的制备方法。该制备方法包括：提供一基底；在该基底上形成一第一金属化线及一第二金属化线，其中该第一金属化线及该第二金属化线沿一第一方向延伸；在该第一金属化线与该第二金属化线之间形成一第一隔离特征及一第二隔离特征...

本公开提供一种临界尺寸的测量方法。该临界尺寸的测量方法包括：提供一基底；形成一光阻层在该基底上；监测从该光阻层所产生的一挥发性副产物以获得该挥发性副产物的一第一数量；将该光阻层暴露在一辐射源；加热该光阻层；监测从该光阻层所产生的该挥发性...

本公开提供一种具有围绕位元线下部的气隙的半导体结构。该半导体结构包括一基底；设置在该基底上的一位元线结构；围绕该位元线结构的一第一介电质层；围绕该第一介电质层的一下部的一第二介电质层，其中该第二介电质层借由一第一气隙与该第一介电质层分开...

本申请提供一种存储器元件。该存储器元件包括一半导体基底，该基底的一表面突出有一鳍部；与该鳍部共形的一半导电层；配置在该半导电层上的一导电层；配置在该导电层上的一绝缘层；以及一突起，该突起包括从该半导电层横向突出并沿着该表面的一第一突起部...

提供一种制造半导体结构的方法，包含根据硬遮罩蚀刻基板，以在基板中形成多个主动区域以及多个沟槽；将第一氧化物以原子层沉积方式设于这些主动区域上与这些沟槽内，形成第一氧化物层；将第二氧化物以临场蒸气产生方式设于第一氧化物层上，形成第二氧化物...

本公开提供一种具有改善在一功函数组件与一导电层之间的粘着性的一字元线的存储器元件。该存储器元件包括一半导体基底，界定有一主动区且具有一凹陷，该凹陷延伸进入该半导体基底中；以及一字元线，设置在该凹陷内，其中该字元线具有一第一隔离层、一导电...

一种电容阵列的制备方法。该方法包括：沉积一牺牲层于一底部电极上；沉积一绝缘层于牺牲层上；形成一多晶硅硬掩膜于绝缘层上；蚀刻通过多晶硅硬掩膜中的多个开口暴露出来的绝缘层和牺牲层以形成多个通道；沉积一金属膜于多晶硅硬掩膜上和该些通道中；沉积...

本公开提供一种临界尺寸的测量方法。该临界尺寸的测量方法包括：提供一基底；形成一光阻层在该基底上，其中该光阻层包括一溶剂、一未活化的聚合物树脂、一光酸产生剂以及一感光剂产生剂；将该光阻剂暴露在一第一波长的一辐射源；将该光阻剂暴露在一第二波...