半导体元件结构制造技术

本公开提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构包括一第一金属化线、一第二金属化线、一第一隔离特征、一第二隔离特征、一轮廓修饰子以及一触点特征。该第一金属化线及该第二金属化线沿一第一方向延伸。该第一隔离特征及该第二隔离特征设置在该第一金属化线与该第二金属化线之间。该第一金属化线、该第二金属化线、该第一隔离特征以及该第二隔离特征定义一孔径。该轮廓修饰子设置在该孔径内以修饰孔径在平面视图中的轮廓。该触点特征经设置在孔径内。径内。径内。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件结构
[0001]本专利技术主张美国第17/665,722及17/666,037号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年2月7日”)，其内容以全文引用的方式并入本专利技术中。


[0002]本公开涉及一种半导体元件结构，尤其涉及一种具有轮廓修饰子的半导体元件结构。

技术介绍

[0003]随着电子产业的迅速发展，集成电路(IC)实现了高性能及小型化。由于材料与设计技术的进步，因此相较于前一代，当前的集成电路更小且更复杂。
[0004]触点(contact)用在半导体结构中的不同特征内或之间进行连接。例如，触点是用来连接一个导电特征与另一个导电特征。在一些情况下，触点材料填充的开口可能有空隙形成，因此对导电特征之间的电连接有不利的影响。因此，需要一种新的半导体元件结构及方法来改善这种问题。
[0005]上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

技术实现思路

[0006]本公开的一个方面提供一种半导体元件结构。该半导体元件结构包括一第一金属化线、一第二金属化线、一第一隔离特征、一第二隔离特征、一轮廓修饰子以及一触点特征。该第一金属化线及该第二金属化线沿一第一方向延伸。该第一隔离特征及该第二隔离特征设置在该第一金属化线与该第二金属化线之间。该第一金属化线、该第二金属化线、该第一隔离特征以及该第二隔离特征定义一孔径。该轮廓修饰子设置在该孔径内以修饰该孔径在一平面视图中的轮廓。该触点特征设置在该孔径内。
[0007]本公开的另一个方面提供另一种半导体元件结构。该半导体元件结构包括一第一金属化线、一第二金属化线、一第一隔离特征、一第二隔离特征、一轮廓修饰子以及一触点特征。该第一金属化线及该第二金属化线沿一第一方向延伸。该第一隔离特征及该第二隔离特征设置在该第一金属化线与该第二金属化线之间。该第一金属化线、该第二金属化线、该第一隔离特征以及该第二隔离特征定义一孔径。该轮廓修饰子设置在该孔径内。该轮廓修饰子包括多个相互分开的分段。每个分段位于该孔径的边角。该触点特征设置在该孔径内。
[0008]本公开的另一个方面提供一种半导体元件结构的制备方法。该制备方法包括：提供一基底；在该基底上形成一第一金属化线及一第二金属化线，其中该第一金属化线及该第二金属化线沿一第一方向延伸；在该第一金属化线与该第二金属化线之间形成一第一隔离特征及一第二隔离特征，其中该第一金属化线、该第二金属化线、该第一隔离特征以及该
第二隔离特征定义一孔径；形成一轮廓修饰子以修饰该孔径在平面视图中的轮廓；以及在该孔径内形成一触点特征。
[0009]本公开的实施例说明一种具有轮廓修饰子的半导体元件结构。在一些实施例中，可利用轮廓修饰子以使孔径变圆，以容纳触点特征，因此触点特征在平面视图中具有部分圆、部分椭圆或部分椭圆形的轮廓。当导电材料被填充到圆形孔径中以形成触点特征时，其中可以不形成或少形成空隙，因此可以提高半导体元件结构的制备产量。
[0010]上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，以使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离随附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
附图说明
[0011]参阅实施方式与权利要求合并考虑附图时，可得以更全面了解本申请案的公开内容，附图中相同的元件符号指相同的元件。
[0012]图1是俯视图，例示本公开一些实施例的半导体元件结构的布局。
[0013]图2是局部放大图，例示本公开一些实施例如图1所示的半导体元件结构的区域G。
[0014]图3A是剖面图，例示本公开一些实施例沿图1中A
‑
A'线的半导体元件结构。
[0015]图3B是剖面图，例示本公开一些实施例沿图1中B
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B'线的半导体元件结构。
[0016]图3C是剖面图，例示本公开一些实施例沿图1中C
‑
C'线的半导体元件结构。
[0017]图4是示意图，例示本公开一些实施例的半导体元件结构的制备方法。
[0018]图5、图5A、图5B及图5C是例示本公开一些实施例的半导体结构的制备方法的一个或多个阶段。
[0019]图6、图6A、图6B及图6C是例示本公开一些实施例的半导体结构的制备方法的一个或多个阶段。
[0020]图7、图7A、图7B及图7C是例示本公开一些实施例的半导体结构的制备方法的一个或多个阶段。
[0021]图8、图8A、图8B及图8C是例示本公开一些实施例的半导体结构的制备方法的一个或多个阶段。
[0022]图9、图9A、图9B及图9C是例示本公开一些实施例的半导体结构的制备方法的一个或多个阶段。
[0023]图10、图10A、图10B及图10C是例示本公开一些实施例的半导体结构的制备方法的一个或多个阶段。
[0024]图11、图11A、图11B及图11C是例示本公开一些实施例的半导体结构的制备方法的一个或多个阶段。
[0025]附图标记如下：
[0026]100:半导体元件结构
[0027]110:基底
[0028]120
‑
1:金属化线
[0029]120
‑
2:金属化线
[0030]120
‑
3:金属化线
[0031]120s1:侧壁
[0032]120s2:侧壁
[0033]122
‑
1:间隙子
[0034]122
‑
2:间隙子
[0035]122s1:侧壁
[0036]124
‑
1:间隙子
[0037]124
‑
2:间隙子
[0038]126
‑
1:间隙子
[0039]126
‑
2:间隙子
[0040]130
‑
1:金属化线
[0041]130
‑
2:金属化线
[0042]130
‑
3:金属化线
[0043]130
‑
4:金属化线
[0044]140
‑
1:隔离特征
[0045]140
‑
2:隔离特征
[0046]140
‑
3:隔离特征
[0047]140
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4:隔离特征
[0048]140s1:侧壁
[0049]140s2:侧壁
[0050]150:轮廓修饰本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件结构，包括：一第一金属化线及一第二金属化线，沿着一第一方向延伸；一第一隔离特征及一第二隔离特征，设置在该第一金属化线与该第二金属化线之间，其中该第一金属化线、该第二金属化线、该第一隔离特征以及该第二隔离特征定义一孔径；一轮廓修饰子，设置在该孔径内，以修饰该孔径在平面视图中的轮廓；以及一触点特征，设置在该孔径内。2.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该轮廓修饰子在平面视图中使该孔径的轮廓变圆。3.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该轮廓修饰子位于由该第一金属化线及该第一隔离特征定义的边角。4.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该轮廓修饰子设置在该第一金属化线的侧壁上。5.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该轮廓修饰子设置在该第一隔离特征的侧壁上。6.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该第一隔离特征的侧壁及该第二隔离特征的侧壁相互凸出。7.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该轮廓修饰子具有相对于该触点特征的一侧壁凹陷。8.如权利要求1所述的半导体元件结构，还包括：一第一间隙子，位于该第一金属化线的侧壁上；以及一第二间隙子，位于该第二金属化线的侧壁上，并且该孔径由该第一间隙子、该第二间隙子、该第一隔离特征以及该第二隔离特征定义。9.如权利要求8所述的半导体元件结构，其中该轮廓修饰子在该第一间隙子的侧壁处沿该第一方向具有一第一宽度，在该第一间隙子与该第二间隙子之间沿该第一方向具有一第二宽度，且该第一宽度大于该第二宽度。10.如权利要求8所述的半导体元件结构，其中该孔径在该第一间隙子的侧壁处沿该第一方向具有一第一宽度，在该第一间隙子与该第二间隙子之间沿该第一方向具有一第二宽度，并且该第一宽度大于该第二宽度。11.如权利要求8所述的半导体元件结构，其中该第一间隙子的部分侧壁从该轮廓修饰子中暴露。12.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：林诗恩，秦瑞临，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：