信号路由结构及包含其的半导体装置组合件制造方法及图纸

本公开涉及信号路由结构及包含其的半导体装置组合件。半导体装置组合件，其包含：第一半导体装置，其具有具有第一平均节距的第一多个电触点；第二半导体装置，其位于所述第一半导体装置上方且具有具有第二平均节距的第二多个电触点；及信号路由结构，其介于所述第一与第二半导体装置之间，且包含：第一多个导电结构，每一者与所述第一多个电触点中的一者接触；第二多个导电结构，每一者与所述第二多个电触点中的一者接触，及平行导电线图案，其安置在所述第一与第二多个导电结构之间。所述平行导电线图案具有比所述第一及第二平均节距小的第三平均节距，且来自所述第一及第二多个导电结构的数对导电结构由所述平行导电线中的不同者电耦合。的不同者电耦合。

【技术实现步骤摘要】
信号路由结构及包含其的半导体装置组合件
[0001]相关申请案的交叉参考
[0002]本申请案主张于2022年1月26日提交申请的美国临时专利申请案第63/303，490号的优先权，所述美国临时专利申请案的公开内容以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本公开通常涉及半导体装置组合件，并更特定地涉及包含多个平行导电线的信号路由结构及包含其的半导体装置组合件。

技术介绍

[0004]微电子装置通常具有裸片(即，芯片)，所述裸片包含具有高密度非常小组件的集成电路系统。通常，裸片包含电耦合到集成电路系统的非常小的接合垫的阵列。接合垫为外部电触点，通过所述外部电触点将供应电压、信号等传输到集成电路系统并从集成电路系统传输。在形成裸片之后，将其“封装”以将接合垫耦合到更大的电端子阵列，所述电端子阵列可更容易地耦合到各种电源线、信号线及接地线。封装裸片的常规工艺包含将裸片上的接合焊盘电耦合到引线、球形焊盘或其它类型的电端子阵列，且囊封裸片以保护其免受环境因素(例如，水分、颗粒、静电，及物理影响)。

技术实现思路

[0005]根据本公开的一个实施例，提供一种半导体装置组合件。半导体装置组合件包括：第一半导体装置，其具有第一多个电触点，所述第一多个电触点具有第一平均节距；第二半导体装置，其安置在所述第一半导体装置上方且具有第二多个电触点，所述第二多个电触点具有一第二平均节距；及信号路由结构，其安置在所述第一半导体装置与所述第二半导体装置之间。信号路由结构包括：第一多个导电结构，每一导电结构与所述第一多个电触点中的对应者接触，第二多个导电结构，每一导电结构与所述第二多个电触点中的对应者接触，及安置在所述第一多个导电结构与所述第二多个导电结构之间的平行导电线图案，所述平行导电线图案具有比所述第一平均节距及所述第二平均节距两者小的第三平均节距。来自所述第一多个导电结构及所述第二多个导电结构的数对对应的导电结构通过所述多个平行导电线中的不同者电耦合。
[0006]根据本公开的另一实施例，提供一种信号路由结构。信号路由结构包括：介电材料层；第一多个通孔，其具有第一平均节距，安置在所述介电材料层的上部区域中，每一通孔具有暴露上部表面；第二多个导电结构，其具有第二平均节距，在所述介电材料层的下部区域中，每一通孔具有暴露下部表面；及平行导电线图案，其安置在所述第一多个导电结构与所述第二多个导电结构之间的所述介电材料层的中间区域中，所述平行导电线图案具有比所述第一平均节距及第二平均节距两者小的第三平均节距。来自所述第一多个导电结构及所述第二多个导电结构的数对对应的导电结构通过所述多个平行导电线中的不同者电耦合。
[0007]根据本公开的又一实施例，提供一种形成半导体装置组合件的方法。方法包括：提供第一半导体装置及第二半导体装置，所述第一半导体装置具有第一多个电触点，所述第一多个电触点具有第一平均节距，所述第二半导体装置具有第二多个电触点，所述第二多个电触点具有第二平均节距；提供信号路由结构，所述信号路由结构包含介电材料层及安置在所述介电材料层的中间区域中的平行导电线图案；在所述介电材料层的上部区域中形成第一多个导电结构，每一导电结构经配置以接触所述第一多个电触点中的对应者；；在所述介电材料层的下部区域中形成第二多个导电结构，每一导电结构经配置以接触所述第二多个电触点中的对应者；及由所述第一半导体装置、所述信号路由结构及所述第二半导体装置形成堆叠，其中所述第一多个导电结构中的每一个与所述第一多个电触点中的所述对应者接触且其中所述第二多个导电结构中的每一个与所述第二多个电触点中的所述对应者接触。来自所述第一多个导电结构及所述第二多个导电结构的数对对应的导电结构通过所述多个平行导电线中的不同者电耦合且其中所述平行导电线图案具有比所述第一平均节距及所述第二平均节距两者小的第三平均节距。
附图说明
[0008]图1A及1B分别为根据本公开的一个实施例的信号路由结构的简化示意平面图及剖面图。
[0009]图2及3为根据本公开的一个方面的半导体装置的简化示意平面图，各半导体装置具有多个电触点，所述多个电触点具有不同平均节距。
[0010]图4A及4B分别为根据本公开的一个实施例的包含信号路由结构的半导体装置组合件的简化示意平面图及剖面图。
[0011]图5为根据本公开的另一实施例的包含信号路由结构的半导体装置组合件的简化示意平面图。
[0012]图6为根据本公开的另一实施例的信号路由结构的简化示意平面图。
[0013]图7为说明根据本技术的实施例的制作半导体装置组合件的方法的流程图。
[0014]图8为展示包含根据本技术的实施例配置的半导体装置组合件的系统的示意图。
具体实施方式
[0015]下文描述半导体装置的若干实施例以及相关联系统及方法的具体细节。所属领域的技术人员将认识到，本文中所描述方法的合适阶段可以晶片级或裸片级执行。因此，取决于使用的上下文，术语“衬底”可指晶片级衬底或经单个化裸片级衬底。此外，除非上下文另有指示，否则可使用常规半导体制造技术形成本文中所公开的结构。可例如使用化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积、电镀、化学镀、旋涂及/或其它合适的技术来沉积材料。类似地，可例如使用等离子蚀刻、湿法蚀刻、化学机械平面化或其它合适的技术来移除材料。
[0016]一些半导体装置组合件可涉及具有各种功能及装置布局的半导体装置(例如，裸片)的电集成。此类异质组合件集成的挑战可涉及半导体装置与不同触点(例如，立柱、焊盘、引脚，等)布局电连接，其中一些可具有不同大小、节距，等。为了促进这些不同接触方案的连接，中间结构(例如中介层、远程分布层(RDL)等等)可设置在具有不同触点及/或焊盘布局的装置之间。这些中间结构可增加封装集成的成本及复杂性，尤其考虑到可需要将多
少不同触点及/或焊盘布局以不同方式组合成不同封装一中间结构的设计数目可几乎为无限的。因为这些中间结构是在封装集成之前制造的，所以对于几乎无数的中间结构来说，设计、制造、库存控制及其它类似的问题可给制造商或集成商带来巨大的挑战。
[0017]为解决这些缺点及其它缺点，本申请案的各种实施例提供半导体装置组合件，其中信号路由结构可使用直接处理技术(例如，掩蔽、蚀刻、电镀、介电层形成，通孔形成等)在封装集成期间轻松定制以在具有不同触点布局方案的邻近半导体装置之间提供电互连。所公开的信号路由结构的额外益处包含当与其它互连结构相比时其相对薄度，对整体组装高度贡献很小，以及其与高吞吐量及低或零接合线厚度附接技术(例如混合接合)的兼容性。
[0018]就此来说，图1A及1B分别为根据本公开的一个实施例的信号路由结构100的简化示意平面图及剖面图。信号路由结构100包含安置在介电材料102层的中间区域内的多个平行导电线，例如导电线101。导电结构103(例如，通孔)安置在介电材料层102的下部区域102a中，每一导电结构与多个平行导电线101中的对应者物理及电接触。导电结构104(例如，通孔)安本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置组合件，其包括：第一半导体装置，其具有第一多个电触点，所述第一多个电触点具有第一平均节距；第二半导体装置，其安置在所述第一半导体装置上方且具有第二多个电触点，所述第二多个电触点具有一第二平均节距；及信号路由结构，其安置在所述第一半导体装置与所述第二半导体装置之间，所述信号路由结构包括：第一多个导电结构，每一导电结构与所述第一多个电触点中的对应者接触，第二多个导电结构，每一导电结构与所述第二多个电触点中的对应者接触，及安置在所述第一多个导电结构与所述第二多个导电结构之间的平行导电线图案，所述平行导电线图案具有比所述第一平均节距及所述第二平均节距两者小的第三平均节距，其中来自所述第一多个导电结构及所述第二多个导电结构的数对对应的导电结构通过所述多个平行导电线中的不同者电耦合。2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述平行导电线安置在一介电材料层中，所述第一多个导电结构及所述第二多个导电结构延伸穿过所述介电材料层。3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述平行导电线为金属迹线。4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述图案的所述平行导电线各自具有相同迹线宽度。5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一平均节距及所述第二平均节距两者是所述第三平均节距的两倍多。6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一平均节距比所述第二平均节距大。7.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第三平均节距比所述第一多个电触点中的一个小的宽度。8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一多个电触点中的每一个具有比所述第二多个电触点中的每一个大的横截面积。9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一多个导电结构中的每一个具有比所述第一多个电触点中的对应者小的横截面积，且其中所述第二多个导电结构中的每一个具有比所述第二多个电触点中的对应者小的横截面积。10.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述数对对应的导电结构彼此侧向偏移，使得其未垂直对准。11.一种信号路由结构，其包括：介电材料层；第一多个通孔，其具有第一平均节距，安置在所述介电材料层的上部区域中，每一通孔具有暴露上部表面；第二多个导电结构，其具有第二平均节距，在所述介电材料层的下部区域中，每一通孔具有暴露下部表面；及平行导电线图案，其安置在所述第一多个导电结构与所述第二多个导电结构之间的所述介电材料层的中间区域中，所述平行导电线图案具有比所述第一平均节...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：