反熔丝感测装置及其操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种反熔丝感测装置及其操作方法。反熔丝感测装置包括反熔丝感测电路、电压生成电路以及上电检测电路。在电压生成电路的上电瞬时期间，上电检测电路提供初始化电压给反熔丝感测电路的控制端，以避免反熔丝感测电路的控制端的电压电平处于未知状态。在上电瞬时期间结束后，电压生成电路提供控制电压给反熔丝感测电路的控制端。反熔丝感测电路基于控制电压感测反熔丝的阻态。在电压生成电路提供控制电压的期间，上电检测电路停止提供初始化电压至反熔丝感测电路的控制端。化电压至反熔丝感测电路的控制端。化电压至反熔丝感测电路的控制端。

【技术实现步骤摘要】
反熔丝感测装置及其操作方法


[0001]本专利技术涉及一种电子电路，尤其涉及一种反熔丝(anti
‑
fuse)感测装置及其操作方法。

技术介绍

[0002]反熔丝(anti
‑
fuse)可以被应用于各种电子电路中，以闩锁不同信息。例如，动态随机存取内存(dynamic random
‑
access memory，DRAM)芯片使用反熔丝来决定开启(turn on)哪一条冗余列(redundant row)和/或冗余行(redundant column)。以反熔丝来说，经刻录反熔丝(blown anti
‑
fuse)具有低阻值，而未刻录反熔丝(un
‑
blown anti
‑
fuse)具有高阻值。基于反熔丝的材质，在一些实施例中，经刻录反熔丝的阻值可以在2～100千奥姆(kiloohm，KΩ)范围中，而未刻录反熔丝的阻值可以在5000～20000KΩ范围中。
[0003]图1是现有的一种集成电路100的电路方块(circuit block)示意图。图1所示集成电路100包括电压生成电路110、多个反熔丝感测电路(例如反熔丝感测电路120_1、120_2与120_n)以及多个反熔丝(例如反熔丝130_1、130_2与130_n)。电压生成电路110耦接至反熔丝感测电路120_1～120_n的控制端，以提供控制电压V11。反熔丝感测电路120_1可以基于控制电压V11感测反熔丝130_1的阻态，进而获知反熔丝130_1的刻录状态(经刻录或未刻录)。其他反熔丝感测电路120_2～120_n)以及其他反熔丝130_2～130_n可以参照反熔丝感测电路120_1以及反熔丝130_1的相关说明。
[0004]一般而言，集成电路(例如DRAM芯片)中具有大量反熔丝。反熔丝数量越多，所述控制电压V11的传输路径的寄生电容越大。当电源开启时，亦即在上电瞬时期间中，电压生成电路110的输出尚未备妥，使得控制电压V11被寄生电容耦合至不可预期的电平(耦合噪声)。处于未知状态的控制电压V11可能导致反熔丝130_1～130_n中的一个或多个发生非预期的阻态改变。
[0005]须注意的是，“
技术介绍
”段落的内容是用来帮助了解本专利技术。在“
技术介绍
”段落所公开的部分内容(或全部内容)可能不是所属
中技术人员所知道的现有技术。在“
技术介绍
”段落所公开的内容，不代表该内容在本专利技术申请前已被所属
中技术人员所知悉。

技术实现思路

[0006]本专利技术提供一种反熔丝(anti
‑
fuse)感测装置及其操作方法，以在上电瞬时期间中(亦即在电压生成电路的输出尚未备妥期间)避免反熔丝感测电路的控制端的电压电平处于未知状态。
[0007]在根据本专利技术的实施例中，上述的一种反熔丝感测装置包括反熔丝感测电路、电压生成电路以及上电检测电路。反熔丝感测电路适于基于控制电压感测反熔丝的阻态。电压生成电路的输出端耦接至反熔丝感测电路的控制端，以提供控制电压。上电检测电路的输出端耦接至反熔丝感测电路的控制端。在电压生成电路的上电瞬时期间，上电检测电路
提供初始化电压给反熔丝感测电路的控制端，以避免反熔丝感测电路的控制端的电压电平处于未知状态。在上电瞬时期间结束后电压生成电路提供控制电压的期间，上电检测电路停止提供初始化电压至反熔丝感测电路的控制端。
[0008]在根据本专利技术的实施例中，上述的操作方法包括：在反熔丝感测装置的电压生成电路的上电瞬时期间，由反熔丝感测装置的上电检测电路提供初始化电压给反熔丝感测装置的反熔丝感测电路的控制端，以避免反熔丝感测电路的控制端的电压电平处于未知状态；在上电瞬时期间结束后，由上电检测电路停止提供初始化电压至反熔丝感测电路的控制端，以及由电压生成电路提供控制电压给反熔丝感测电路的控制端；以及由反熔丝感测电路基于控制电压感测反熔丝的阻态。
[0009]基于上述，本专利技术诸实施例所述反熔丝感测装置在上电瞬时期间中利用上电检测电路提供初始化电压给反熔丝感测电路的控制端。因此，在电压生成电路的输出尚未备妥的期间中，上电检测电路可以避免反熔丝感测电路的控制端的电压电平处于未知状态。在上电瞬时期间结束后，因为电压生成电路的输出已经备妥，因此上电检测电路可以停止提供初始化电压，而改由电压生成电路提供常规的控制电压给反熔丝感测电路的控制端。
附图说明
[0010]图1是现有的一种集成电路的电路方块(circuit block)示意图；
[0011]图2是依照本专利技术的一实施例的一种反熔丝感测装置的电路方块示意图；
[0012]图3是依照本专利技术的一实施例的一种反熔丝感测装置的操作方法的流程示意图；
[0013]图4是依照一实施例所示出，反熔丝感测电路的电路示意图；
[0014]图5是依照一实施例所示出，电压生成电路的电路方块示意图；
[0015]图6是依照一实施例所示出，上电检测电路的电路方块示意图；
[0016]图7是依照一实施例所示出，电压检测电路的电路示意图；
[0017]图8是依照另一实施例所示出，电压检测电路的电路示意图；
[0018]图9是依照再一实施例所示出，电压检测电路的电路示意图；
[0019]图10是依照更一实施例所示出，电压检测电路的电路示意图；
[0020]图11是依照又一实施例所示出，电压检测电路的电路示意图。
[0021]附图标记说明
[0022]20_1、20_2、20_n、130_1、130_2、130_n:反熔丝
[0023]100:集成电路
[0024]110、220:电压生成电路
[0025]120_1、120_2、120_n、230_1、230_2、230_n:反熔丝感测电路
[0026]200:反熔丝感测装置
[0027]210:上电检测电路
[0028]211:电压检测电路
[0029]221:多任务器(MUX)
[0030]C71、C81、C111:电容
[0031]CTRL:控制信号
[0032]D1、D2、Dn:二极管
[0033]N41、N71、N81、N82、N91、N92、N101_1、N101_2、N101_M、N102、N103、N111、N112、P41、P42、P71、P81、P91_1、P91_2、P91_m、P92、P101、P102、P111:晶体管
[0034]N61:初始化开关
[0035]R71、R81、RB1、RB2、RBN:电阻
[0036]S310、S320、S330:步骤
[0037]V11:控制电压
[0038]VDD:电源电压
[0039]VSS:接地电压
具体实施方式
[0040]现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反熔丝感测装置，其特征在于，所述反熔丝感测装置包括：反熔丝感测电路，适于基于控制电压感测反熔丝的阻态；电压生成电路，具有输出端耦接至所述反熔丝感测电路的控制端以提供所述控制电压；以及上电检测电路，具有输出端耦接至所述反熔丝感测电路的所述控制端，其中，在所述电压生成电路的上电瞬时期间，所述上电检测电路提供初始化电压给所述反熔丝感测电路的所述控制端；以及在所述上电瞬时期间结束后所述电压生成电路提供所述控制电压的期间，所述上电检测电路停止提供所述初始化电压至所述反熔丝感测电路的所述控制端。2.根据权利要求1所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述反熔丝感测电路包括：第一晶体管，具有控制端作为所述反熔丝感测电路的所述控制端以耦接至所述电压生成电路与所述上电检测电路，其中所述第一晶体管的第一端耦接至电源电压，以及所述第一晶体管的第二端用以耦接至所述反熔丝；第二晶体管，具有控制端耦接至所述第一晶体管的所述第二端，其中所述第二晶体管的第一端耦接至所述电源电压；以及第三晶体管，具有控制端耦接至所述第一晶体管的所述第二端，其中所述第三晶体管的第一端耦接至参考电压，以及所述第三晶体管的第二端耦接至所述第二晶体管的第二端。3.根据权利要求1所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述电压生成电路包括：电阻串，具有第一端与第二端分别耦接至电源电压与参考电压；以及多任务器，具有多个选择端分别耦接至在所述电阻串中的多个分压节点，其中所述多任务器的共同端耦接至所述反熔丝感测电路的所述控制端以提供所述控制电压。4.根据权利要求3所述的反熔丝感测装置，其特征在于，在所述上电瞬时期间所述多任务器的所述共同端为高阻抗态，以及在所述上电瞬时期间结束后所述多任务器的所述共同端输出所述多个分压节点其中一个的分压电压作为所述控制电压。5.根据权利要求1所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述上电检测电路包括：初始化开关，具有第一端耦接至所述初始化电压，其中所述初始化开关的第二端作为所述上电检测电路的所述输出端以耦接至所述反熔丝感测电路的所述控制端；以及电压检测电路，具有输出端耦接至所述初始化开关的控制端，用以检测电源电压的所述上电瞬时期间，其中在所述上电瞬时期间所述电压检测电路导通所述初始化开关，以及在所述上电瞬时期间结束后所述电压检测电路截止所述初始化开关。6.根据权利要求5所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述电压检测电路包括：电阻，具有第一端耦接至所述电源电压；电容，具有第一端耦接至所述电阻的第二端，其中所述电容的第二端耦接至参考电压；第一晶体管，具有第一端耦接至所述电源电压，其中所述第一晶体管的控制端耦接至所述电容的所述第一端，以及所述第一晶体管的第二端耦接至所述电压检测电路的所述输出端；以及第二晶体管，具有第一端耦接至所述参考电压，其中所述第二晶体管的控制端耦接至所述电容的所述第一端，以及所述第二晶体管的第二端耦接至所述电压检测电路的所述输
出端。7.根据权利要求5所述的反熔丝感测装置，其特征在于，所述电压检测电路包括：电容，具有第一端耦接至所述电源电压；电阻，具有第一端耦接至所述电容的第二端，其中所述电阻的第二端耦接至参考电压；第一晶体管，具有控制端耦接至所述电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志航，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：