具有接触结构的半导体元件的制备方法技术

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一半导体基底，该半导体基底包括一主动区与一隔离结构。该制备方法还包括在该半导体基底的该主动区上形成一接触结构。该制备方法还包括在该接触结构的相对两侧形成一介电间隙子。该制备方法还包括在该半导体基底的该隔离结构上形成一导电元件，其中该介电间隙子具有面向该导电元件的一凹面。电间隙子具有面向该导电元件的一凹面。电间隙子具有面向该导电元件的一凹面。

【技术实现步骤摘要】
具有接触结构的半导体元件的制备方法
[0001]交叉引用
[0002]本申请案主张美国第17/723,764及17/724,161号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年4月19日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本公开关于一种半导体元件的制备方法，特别涉及一种具有接触结构的半导体元件的制备方法。

技术介绍

[0004]随着电子工业的快速发展，半导体元件的发展已经实现了高性能与小型化。随着半导体元件尺寸的缩小，导电特征之间的非预期短路已成为一个关键问题。
[0005]上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

技术实现思路

[0006]本公开的一个方面提供一种半导体元件。该半导体元件包括一半导体基底、一接触结构、一第一导电元件、以及一第一介电间隙子结构。该半导体基底包括一主动区与一隔离结构。该接触结构位于该半导体基底的该主动区上。该第一导电元件位于该半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制备方法，包括：提供一半导体基底；在该半导体基底上形成一接触结构，该接触结构具有一第一侧以及与该第一侧相对的一第二侧；以及形成与该接触结构相邻并具有一第一凹面的一介电间隙子。2.如权利要求1所述的制备方法，其中形成该介电间隙子包括：在该接触结构的该第一侧形成一第一介电间隙子结构，并具有该第一凹面。3.如权利要求2所述的制备方法，其中形成该介电间隙子还包括：在该接触结构的该第二侧形成一第二介电间隙子结构，并具有一第二凹面，其中该第一凹面与该第二凹面朝向相反方向。4.如权利要求3所述的制备方法，其中形成该第一介电间隙子结构与该第二介电间隙子结构从一顶视角度看具有一U形结构。5.如权利要求1所述的制备方法，其中该接触结构具有一第一侧表面，在该第一侧与该第二侧之间延伸，并且该第一侧表面包括一凹陷弧形表面。6.如权利要求5所述的制备方法，其中该接触结构具有一第二侧表面，与该第一侧表面相对，并且该第二侧表面包括一凹陷弧形表面。7.如权利要求6所述的制备方法，其中该第一侧表面与该第二侧表面朝向相反方向凹陷。8.如权利要求1所述的制备方法，还包括：在该半导体基底上形成一第一导电元件，其中该第一导电元件部分地由该介电间隙子的该第一凹面包围。9.如权利要求8所述的制备方法，其中该第一导电元件具有一弧形表面，并且该第一导电元件的该弧形表面的一曲率大于该介电间隙子的该凹面的一曲率。10.如权利要求8所述的制备方法，其中形成该介电间隙子包括：在该接触结构的该第一侧形成一第一介电层；以及在该第一介电层上形成一第二介电层，其中该第二介电层从一顶视角度看具有一U形结构。11.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡志楹，王瑞僧，陈益义，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：