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本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一半导体基底，该半导体基底包括一主动区与一隔离结构。该制备方法还包括在该半导体基底的该主动区上形成一接触结构。该制备方法还包括在该接触结构的相对两侧形成一介电间隙子。该制备方法还包括在该...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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