半导体元件及其制备方法技术

技术编号:39638667 阅读:7 留言:0更新日期:2023-12-09 11:00
本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一电子元件、一接合线以及一支撑件。该电子元件设置在该基底上。该接合线包括一第一端子以及一第二端子,该第一端子连接到该电子元件,该第二端子连接到该基底。该接合线抵靠该支撑件而设置。该接合线抵靠该支撑件而设置。该接合线抵靠该支撑件而设置。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制备方法


[0001]本申请案主张美国第17/829,515及17/829,601号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年6月1日”),其内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开关于一种半导体元件以及其制备方法。特别是有关于一种半导体元件,该半导体元件具有一支撑件,该支撑件抵靠一接合线而设置。

技术介绍

[0003]随着电子产业的快速发展,集成电路(IC)已实现高效能以及小型化。在IC材料与设计方面的技术进步已产生数个世代的IC,其中每一代都具有更小以及更复杂的电路。
[0004]已经开发许多用于整合一电子元件以及一基板的技术。举例来说,该电子元件以及该基板可借由一接合线进行连接。为了避免该接合线抵靠该电子元件的角落而设置,则延长该接合线,从而增大半导体元件的尺寸及其电阻。因此,需要一种新的半导体元件以及改善这些问题的方法。
[0005]上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
,并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的,不构成本公开的先前技术,且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

技术实现思路

[0006]本公开的一实施例提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一电子元件、一接合线以及一支撑件。该电子元件设置在该基底上。该接合线包括一第一端子以及一第二端子,该第一端子连接到该电子元件,该第二端子连接到该基底。该接合线抵靠该支撑件设置。
[0007]本公开的另一实施例提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一电子元件、一接合线以及一支撑件。该电子元件设置在该基底上。该接合线包括一第一端子以及一第二端子,该第一端子连接到该电子元件,该第二端子连接到该基底。该支撑件设置在该接合线的该第一端子与该第二端子之间。
[0008]本公开的再另一实施例提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底。该制备方法亦包括将一电子元件贴附到该基底。该制备方法还包括将一支撑件贴附到该基底。此外,该制备方法包括形成一接合线以连接该基底与该电子元件。该接合线抵靠该支撑件设置。
[0009]在本公开的实施例中,该半导体元件可包括用于固定接合线的一支撑件。该支撑件可设置在该接合线的两个端子之间。该支撑件可提供一平滑区域,例如一平滑表面、一平滑边缘或其上设置有该接合线的一平滑角落。因此,该接合线可以一可容忍的张力而抵靠该支撑件设置。可以减少该接合线的长度,导致该半导体元件的一相对较小尺寸以及该接合线的相对低的电阻。
[0010]上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点,使下文的本公开详细描述得以
获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解,可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解,这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
附图说明
[0011]借由参考详细描述以及权利要求可获得对本公开的更完整的理解。本公开还应理解为与图式的元件编号相关联,图式的元件编号是在整个描述中代表类似的元件。
[0012]图1A是顶视示意图,例示本公开一些实施例的半导体元件。
[0013]图1B是剖视示意图,例示本公开一些实施例沿如图1A所示的半导体元件的剖线A

A

的剖面。
[0014]图2是剖视示意图,例示本公开一些实施例的半导体元件。
[0015]图3是剖视示意图,例示本公开一些实施例的半导体元件。
[0016]图4是剖视示意图,例示本公开一些实施例的半导体元件。
[0017]图5是剖视示意图,例示本公开一些实施例的半导体元件。
[0018]图6是顶视示意图,例示本公开一些实施例的半导体元件。
[0019]图7是流程示意图,例示本公开一些实施例的半导体元件的制备方法。
[0020]图8A是剖视示意图,例示本公开一些实施例用于制备半导体元件的一例示方法的一或多个阶段。
[0021]图8B是剖视示意图,例示本公开一些实施例用于制备半导体元件的一例示方法的一或多个阶段。
[0022]图8C是剖视示意图,例示本公开一些实施例用于制备半导体元件的一例示方法的一或多个阶段。
[0023]图8D是剖视示意图,例示本公开一些实施例用于制备半导体元件的一例示方法的一或多个阶段。
[0024]图8E是剖视示意图,例示本公开一些实施例用于制备半导体元件的一例示方法的一或多个阶段。
[0025]图8F是剖视示意图,例示本公开一些实施例用于制备半导体元件的一例示方法的一或多个阶段。
[0026]其中,附图标记说明如下:
[0027]100a:半导体元件
[0028]100b:半导体元件
[0029]100c:半导体元件
[0030]100d:半导体元件
[0031]100e:半导体元件
[0032]100f:半导体元件
[0033]110:基底
[0034]110s1:表面
[0035]110s2:表面
[0036]112:导电垫
[0037]120:粘着层
[0038]130:电子元件
[0039]130s1:表面
[0040]130s2:表面
[0041]130s3:表面
[0042]132:导电垫
[0043]140a:支撑件
[0044]140b:支撑件
[0045]140c:支撑件
[0046]140d:支撑件
[0047]140e:支撑件
[0048]140f:支撑件
[0049]140s1:平滑区域
[0050]142a:间隙子
[0051]142b:间隙子
[0052]144a:粘着元件
[0053]150:接合线
[0054]150t1:端子
[0055]150t2:端子
[0056]160:囊封件
[0057]170:电性连接件
[0058]200:制备方法
[0059]202:步骤
[0060]204:步骤
[0061]206:步骤
[0062]208:步骤
[0063]210:步骤
[0064]212:步骤
[0065]L1:长度
[0066]L2:长度
[0067]L3:长度
[0068]L4:长度
[0069]X:轴
[0070]Y:轴
[0071]Z:轴
具体实施方式
[0072]现在使用特定语言描述附图中所示的本公开的实施例或例子。应当理解,本公开的范围无意由此受到限制。所描述的实施例的任何修改或改良,以及本文件中描本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件,包括:一基底;一电子元件,设置在该基底上;一接合线,包括一第一端子以及一第二端子,该第一端子连接到该电子元件,该第二端子连接到该基底;以及一支撑件,设置在该基底上,其中该接合线抵靠该支撑件设置。2.如权利要求1所述的半导体元件,其中该支撑件与该电子元件并排设置。3.如权利要求1所述的半导体元件,其中该支撑件接触该电子元件。4.如权利要求3所述的半导体元件,其中该支撑件接触该电子元件的一上表面。5.如权利要求3所述的半导体元件,其中该支撑件接触该电子元件的一侧表面。6.如权利要求5所述的半导体元件,其中该支撑件部分接触该电子元件的一侧表面。7.如权利要求5所述的半导体元件,其中该支撑件完全接触该电子元件的一侧表面。8.如权利要求3所述的半导体元件,其中该支撑件抵靠该电子元件设置。9.如权利要求1所述的半导体元件,其中该支撑件与该电子元件分隔开。10.如权利要求1所述的半导体元件,其中该支撑件与该基底分隔开。11.如权利要求1所述的半导体元件,其中该支撑件包括一间隙子以及一粘着元件,该粘着元件覆盖该间隙子。12.如权利要求1所述的半导体元件,其中该接合线的该第一端子与该电...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨吴德
申请(专利权)人:南亚科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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