半导体装置与其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置与其制造方法

【技术实现步骤摘要】
半导体装置与其制造方法


[0001]本专利技术是关于一种半导体装置与其制造方法
。

技术介绍

[0002]基板通孔件可用于将一个半导体晶片连接至另一个半导体晶片或封装体基板
。
举例而言，基板通孔件可用在各种半导体装置中，例如影像传感器
、
存储器堆叠或中介层
。
相较于使用打线接合来连接半导体晶片，使用基板通孔件来连接半导体晶片可在速度
、
动力消耗与
/
或微型化方面具有优势
。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一些实施方式提供一种制造半导体装置的方法，包含将第一晶圆接合至第二晶圆，其中第二晶圆包含基板
、
嵌入于基板的隔离结构
、
在基板上的晶体管与在晶体管上的互连结构
。
执行第一蚀刻工艺，以形成第一通孔开口与第二通孔开口于基板中，其中第二通孔开口延伸至隔离结构，晶体管在第一通孔开口与第二通孔开口之间，且第二通孔开口比第一通孔开口还深
。
>执行第二蚀刻工艺，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：将第一晶圆接合至第二晶圆，其中该第二晶圆包含基板
、
嵌入于该基板的隔离结构
、
在该基板上的晶体管与在该晶体管上的互连结构；执行第一蚀刻工艺，以形成第一通孔开口与第二通孔开口于该基板中，其中该第二通孔开口延伸至该隔离结构，该晶体管在该第一通孔开口与该第二通孔开口之间，且该第二通孔开口比该第一通孔开口还深；执行第二蚀刻工艺，使得该第一通孔开口延伸至该基板的底部；执行第三蚀刻工艺，使得该第一通孔开口与该第二通孔开口暴露该互连结构，且该第二通孔开口贯穿该隔离结构；以及形成第一通孔件于该第一通孔开口中，且形成第二通孔件于该第二通孔开口中
。2.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第二通孔开口比该第一通孔开口还宽
。3.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在执行该第一蚀刻工艺之前，该方法还包含：研磨该第二晶圆的该基板的背侧表面；以及形成介电层于该基板的该背侧表面
。4.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：形成光阻层于该第二晶圆的该基板的背侧表面，其中该光阻层包含第一开口与第二开口，且该第一开口比该第二开口还窄；以及执行该第一蚀刻工艺，以形成连接该光阻层的该第一开口的该第一通孔开口，且形成连接该光阻层的该第二开口的该第二通孔开口
。5.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：在执行该第三蚀刻工艺与形成该第一通孔件与该第二通孔件之前，沿着该第一通孔开口与该第二通孔开口的多个侧壁形成衬垫层
。6.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中形成该第一通孔件与该第二通孔件包含：沉积导电材料于该第一通孔开口与该第二通孔开口中及该第二晶圆上；以及平坦化该第二晶圆以移除该导电材料的多余部分，以形成该第一通孔件与该第二通孔件
。7.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一蚀刻工艺蚀刻该基板比蚀刻该隔离结构还快
。8.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一蚀刻工艺与该第二蚀刻工艺使用相同的蚀刻气体
。9.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在该第二蚀刻工艺中，该第二通孔开口的深度保持相同
。10.
如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中执行该第一蚀刻工艺以形成该第一通孔开口包含：通过包含开口的光阻层，形成该第一通孔开口于该基板中；沿着该第一通孔开口的多个侧壁与底部表面形成钝化层；
移除在该第一通孔开口的该底部表面的该钝化层；蚀刻该第一通孔开...

【专利技术属性】
技术研发人员：施信益，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：