【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第17/849,768号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年6月27日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开是关于一种半导体元件及其制备方法。特别是关于一种具有环形电极的半导体元件及其制备方法。
技术介绍
1、半导体元件对于许多现代应用至关重要。随着电子技术的进步，半导体元件的尺寸越来越小的同时，也提供更多的功能且包括更大量的集成电路。由于半导体元件的小型化，提供不同功能的各种类型和尺寸的半导体元件被整合并封装到单一模块中。此外，实行多种制造操作以将各种类型的半导体元件整合在一起。
2、然而，半导体元件的制造和整合涉及许多复杂的步骤和操作。半导体元件中的整合变得越来越复杂。半导体元件在制造和整合上复杂性的增加可能引起缺陷。因此，需要持续改进半导体元件的制造制程，才能解决所述缺陷。
3、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不形成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应做为本案的任一部分。
技<本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一底部电极层和该第二底部电极层包括不同的材料。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一底部电极层延伸于该第二底部电极层的一顶表面之上。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该绝缘层延伸于该第二底部电极层的一顶表面之上。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该些绝缘部分包括一内绝缘部分和与该内绝缘部分隔开的一外绝缘部分，且该顶部电极设置于该内绝缘部分和该外绝缘部分之间。
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该内绝缘部分和该外绝缘部
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一底部电极层和该第二底部电极层包括不同的材料。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一底部电极层延伸于该第二底部电极层的一顶表面之上。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该绝缘层延伸于该第二底部电极层的一顶表面之上。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该些绝缘部分包括一内绝缘部分和与该内绝缘部分隔开的一外绝缘部分，且该顶部电极设置于该内绝缘部分和该外绝缘部分之间。
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该内绝缘部分和该外绝缘部分为环形。
7.如权利要求1所述的半导体元件，更包括：
8.一种半导体元件，包括：
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该第一底部电极层延伸于该绝缘层和该半导体基板之间。
10.如权利要求8所述的半导体元件，其中该第一底部电极层包括氮化钛(tin)，且该第二底部电极层包括多晶硅、硅锗(sige)、或前述的组合。
11....
【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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