【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第17/853,973及17/854,561号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年6月30日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种半导体测试结构及其制备方法，特别是有关于一种经配置以检测垂直漏电的半导体测试结构。
技术介绍
1、随着电子工业的迅速发展，集成电路(ic)已经实现了高性能和小型化。集成电路材料和设计方面的技术进步已经产生了几代具有更小和更复杂电路的集成电路。
2、在形成导电迹线(conductive trace)，如零金属(m0)或第一金属(m1)层时，需进行多种半导体制备过程，如蚀刻和微影(lithography)，以形成金属化层。在一些情况下，金属化层下面的介电层可能被过度蚀刻，导致不同水平面的金属层因金属化层的残留物(即腐蚀的结果)而连接，产生垂直漏电。为了解决这个问题，需要一种新的半导体测试结构。
3、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本
【技术保护点】
1.一种半导体测试结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体测试结构，更包括：
3.如权利要求2所述的半导体测试结构，其中该导电层设置于该介电结构的该侧壁上。
4.如权利要求2所述的半导体测试结构，其中该介电结构包括一第一介电层及该第一介电层上的一第二介电层。
5.如权利要求4所述的半导体测试结构，其中该第一介电层具有与该第二介电层接触的一第一上表面及从该第一上表面凹入的一第二上表面，并且该第一介电层的该第二上表面的一部分不与该导电层垂直重迭。
6.如权利要求4所述的半导体测试结构，其中该第一介电层的一侧向表...
【技术特征摘要】
1.一种半导体测试结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体测试结构，更包括：
3.如权利要求2所述的半导体测试结构，其中该导电层设置于该介电结构的该侧壁上。
4.如权利要求2所述的半导体测试结构，其中该介电结构包括一第一介电层及该第一介电层上的一第二介电层。
5.如权利要求4所述的半导体测试结构，其中该第一介电层具有与该第二介电层接触的一第一上表面及从该第一上表面凹入的一第二上表面，并且该第一介电层的该第二上表面的一部分不与该导电层垂直重迭。
6.如权利要求4所述的半导体测试结构，其中该第一介电层的一侧向表面与该第二介电层的一侧向表面实质上共面。
7.如权利要求6所述的半导体测试结构，其中该第一介电层的该侧向表面与该第二金属层的一侧向表面不共面，且该第二介电层的该侧向表面与该第二金属层的一侧向表面不共面。
8.如权利要求1所述的半导体测试结构，更包括多个第二金属层，所述多个第二金属层的一第一部分具有一第一间距，且所述多个第二金属层的一第二部分具有不同于该第一间距的一第二间距。
9.如权利要求1所述的半导体测试结构，更包括多个第二金属层，且该多个第二金属层中的每一个皆具有一第一终端以电连接一第一导电垫及一第二终端以电连接一第二导电垫。
10.一种半导体测试结构，包括：
11.如权利要求10所述的半导体测试结构，其中所述多个第二金属层的一第一部分...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄崇勋，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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