SiC晶体的剥离方法技术

本申请公开了一种SiC晶体的剥离方法。该方法包括提供SiC晶体，SiC晶体在距SiC晶体的第一端面的第一距离处有一改质层；采用电解的方法使SiC晶体中靠近所述第一端面的第一部分沿改质层从SiC晶体剥离，其中电解的方法采用的是碱性电解液，第一部分为剥离后得到的第一晶片。剥离工艺简单，剥离过程中使用的设备和耗材便宜，成本较低，且可以减少剥离过程中对晶片的损伤，提高了剥离良率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体加工，具体涉及一种sic晶体的剥离方法。

技术介绍

1、新兴的激光剥片技术能够大幅降低待剥离件的加工损耗，进而降低成本，逐渐取代传统的多线切割。激光剥片技术首先要对晶体表面进行抛光，之后用激光聚焦于晶体表面以下特定厚度的位置，形成改质层，之后通过机械剥离方式将晶片与晶体从改质层分开。

2、对于激光剥片技术，激光改质后的剥离步骤十分关键。目前，常用的一种剥离方式为机械剥离，即激光改质后，晶片的表面通过粘结层粘附于治具上，通过治具施加外力，使得改质层两边的晶片和晶体产生相对运动，从而实现晶片剥离；该机械剥离方式，容易造成晶片开裂、崩角等缺陷，良率较低(良率小于70％)及造成晶片损失。

技术实现思路

1、本申请提供的晶片的剥离方法，以提供一种减少剥离过程中对晶片的损伤，从而提高剥离良率的剥离方法。

2、为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种sic晶体的剥离方法，包括：提供sic晶体，所述sic晶体在距所述sic晶体的第一端面的第一距离处有一改质层；采用电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC晶体的剥离方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用电解的方法使所述SiC晶体中靠近所述第一端面的第一部分沿所述改质层从所述SiC晶体剥离的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述SiC晶体具有与所述第一端面朝向相反的第二端面，所述SiC晶体的第二端面与所述电源的正极相连。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电解池包括第一侧壁，所述第一侧壁上开设有电连接口，所述SiC晶体的第二端面贴合在所述第一侧壁上并通过所述电连接口与所述电源的正极相连。

5.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种sic晶体的剥离方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用电解的方法使所述sic晶体中靠近所述第一端面的第一部分沿所述改质层从所述sic晶体剥离的步骤包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述sic晶体具有与所述第一端面朝向相反的第二端面，所述sic晶体的第二端面与所述电源的正极相连。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电解池包括第一侧壁，所述第一侧壁上开设有电连接口，所述sic晶体的第二端面贴合在所述第一侧壁上并通过所述电连接口与所述电源的正极相连。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用电解的方法使所述sic晶体中靠近所述第一端面的第一部分沿所述改质层从所述sic晶体剥离的步骤包括：

6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：江文宇，汪良，张洁，
申请(专利权)人：湖南三安半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：