低耗损线性介质陶瓷材料、低耗损线性介质陶瓷粉料及制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种低耗损线性介质陶瓷材料、低耗损线性介质陶瓷粉料及制备方法和应用，所述陶瓷材料的化学通式为：(Sr<subgt;a</subgt;Ca<subgt;b</subgt;Mg<subgt;c</subgt;Zn<subgt;0.03</subgt;)(Ti<subgt;d</subgt;Bi<subgt;e</subgt;Ce<subgt;0.002</subgt;)O<subgt;3</subgt;，其中，0.37≤a≤0.77，0.12≤b≤0.34，0.08≤c≤0.26，0.958≤d≤0.996，0.002≤e≤0.06，低损耗线性介质陶瓷粉料用于制备脉冲功率电容器进行验证，与钯银内电极匹配良好，容量随温度变化小，额定电压为1250V的脉冲功率电容器其击穿电压大于2760V，耐电压余量大于2倍。低损耗线性介质陶瓷粉料用于制备脉冲功率电容器，放电电流大于4000A以上，高于钛酸钡系高压X7R电容器的放电电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子信息功能材料与器件，具体涉及一种低耗损线性介质陶瓷材料、低耗损线性介质陶瓷粉料及制备方法和应用。

技术介绍

1、具有低损耗、稳定电容电压变化率和稳定容量温度特性的高介线性介质粉料可用于制备脉冲功率电容器，具有额定电压高、耐电压余量大、容量温度稳定性好等特点。广泛应用于引信电子安全与解除保险装置中、固体火箭发动机点火系统、各种航天飞行器分离系统、引爆电路、核弹、激光、电源中断和电力存储模块，在线路中起作为开关、点火的关键核心元件。

2、目前，国内脉冲功率多层瓷介电容器使用反铁电陶瓷粉料或高压电容器陶瓷粉料进行制备，反铁电陶瓷粉料制备的脉冲功率电容器放电电流大，但容量温度稳定性差、耐电压余量小，且多为含铅体系，对环境有污染，高压电容器陶瓷粉料制备的脉冲功率电容器其容量随着电压升高急剧下降，放电电流小。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是现有陶瓷粉料存在的上述问题。

2、本专利技术的第一目的在于提供一种低耗损线性介质陶瓷材料，所述陶瓷材料的化学通式为：(sra本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低耗损线性介质陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料的化学通式为：(SraCabMgcZn0.03)(TidBieCe0.002)O3，其中，0.37≤a≤0.77，0.12≤b≤0.34，0.08≤c≤0.26，0.958≤d≤0.996，0.002≤e≤0.06。

2.根据权利要求1所述的低耗损线性介质陶瓷材料，其特征在于，0.50≤a≤0.60，0.20≤b≤0.30，0.15≤c≤0.20，0.975≤d≤0.996，0.002≤e≤0.02。

3.根据权利要求2所述的低耗损线性介质陶瓷材料，其特征在于，a＝0.52，b＝0.29，c＝0.16，d＝0...

【技术特征摘要】

1.一种低耗损线性介质陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料的化学通式为：(sracabmgczn0.03)(tidbiece0.002)o3，其中，0.37≤a≤0.77，0.12≤b≤0.34，0.08≤c≤0.26，0.958≤d≤0.996，0.002≤e≤0.06。

2.根据权利要求1所述的低耗损线性介质陶瓷材料，其特征在于，0.50≤a≤0.60，0.20≤b≤0.30，0.15≤c≤0.20，0.975≤d≤0.996，0.002≤e≤0.02。

3.根据权利要求2所述的低耗损线性介质陶瓷材料，其特征在于，a＝0.52，b＝0.29，c＝0.16，d＝0.996，e＝0.002。

4.权利要求1-3任一项所述低耗损线性介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

5.一种低耗损线性介质陶瓷粉料，其特征在于，包括以下质量百分数的组分：0.08～1.2％zn-b玻璃粉...

【专利技术属性】
技术研发人员：那文菊，康建宏，谢波，岳萍，黎志刚，
申请(专利权)人：成都宏科电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：