半导体元件制造技术

技术编号:39929383 阅读:19 留言:0更新日期:2024-01-08 21:42
本公开提供一种半导体元件,包括一基底、一下支撑层、一上支撑层以及一下电极。该下支撑层设置在该基底上。该上支撑层设置在该下支撑层上。该上支撑层界定有一开口。该下电极设置在该上支撑层的该开口内。该下电极具有一第一部分以及一第二部分,该第一部分具有一第一垂直长度,该第二部分具有一第二垂直长度,该第二垂直长度不同于该第一垂直长度。

【技术实现步骤摘要】

本申请案主张美国第17/855,936及17/856,399号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年7月1日”),其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种半导体元件。特别是有关于一种具有不同长度下电极的电容器结构的半导体元件。


技术介绍

1、随着电子产业的快速发展,集成电路(ics)的发展已经达到高效能以及小型化。在ic材料以及设计的技术进步产生了数代的ics,而其每一代均具有比上一代更小、更复杂的电路。

2、在电容器结构的形成期间,执行多个蚀刻制程以图案化各种层,例如介电层或金属化层。在某些情况下,所述层在一中心区与一外围区的均匀性并不能满足制程裕度的要求。为了解决所述问题,则提出一种新的半导体元件。

3、上文的“先前技术”说明仅提供
技术介绍
,并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的,不构成本公开的先前技术,且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。


技术实现思路

1、本公开的一实施例提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一下支撑层、一上支撑层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体元件,包括:

2.如权利要求1所述的半导体元件,其中该下电极的该第一部分比该下电极的该第二部分更靠近该上支撑层的一侧壁。

3.如权利要求2所述的半导体元件,其中该第一垂直长度大于该第二垂直长度。

4.如权利要求2所述的半导体元件,其中该下电极的该第一部分接触该上支撑层的该侧壁。

5.如权利要求4所述的半导体元件,其中该下电极的该第二部分与该上支撑层的该侧壁间隔设置。

6.如权利要求2所述的半导体元件,其中该下电极的该第一部分具有位于一第一水平位面的一第一上表面,且该下电极的该第二部分具有位于一第二水平位面的一第二上...

【技术特征摘要】

1.一种半导体元件,包括:

2.如权利要求1所述的半导体元件,其中该下电极的该第一部分比该下电极的该第二部分更靠近该上支撑层的一侧壁。

3.如权利要求2所述的半导体元件,其中该第一垂直长度大于该第二垂直长度。

4.如权利要求2所述的半导体元件,其中该下电极的该第一部分接触该上支撑层的该侧壁。

5.如权利要求4所述的半导体元件,其中该下电极的该第二部分与该上支撑层的该侧壁间隔设置。

6.如权利要求2所述的半导体元件,其中该下电极的该第一部分具有位于一第一水平位面的一第一上表面,且该下电极的该第二部分具有位于一第二水平位面的一第二上表面,该第二水平位面不同于该第一水平位面。

7.如权利要求6所述的半导体元件,其中该第一水平位面高于该第二水平位面。

8.如权利要求6所述的半导体元件,还包括:

9.如权利要求8所述的半导体元件,其中该电容器介电质具有位于一第三水平位面的一第一上表面以及位于一第四水平位面的一第二上表面,该第四水平位面不同于该第三水平位面。

10.如权利要求6所述的半导体元件,其中该下电极的该第一上表面与该上支撑层的一上表面大致呈共面。

11.如权利要求1所述的半导体元件,其中在一顶视图中,该下电极的该第一部分与该第二部分...

【专利技术属性】
技术研发人员:林炜杰
申请(专利权)人:南亚科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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