过度电性应力防护装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种过度电性应力防护装置

【技术实现步骤摘要】
过度电性应力防护装置


[0001]本专利技术涉及一种防护装置，尤其涉及一种过度电性应力防护装置
。

技术介绍

[0002]过度电性应力
(EOS,Electrical Over Stress)
事件可产生高的电场而致使电路暂时地或永久地丧失功能，过度电性应力事件可例如由电磁脉波
(electromagnetic pulse)、
静电放电
、
雷电
(lightning)
等引起或由其他电子组件的运作所诱发
。
[0003]一般对于过度电性应力事件，通常是依靠芯片外设置的电路来避免过度电性应力事件发生
。
然当芯片外部的电路防护不足，或者是芯片外未配置相关防护电路，则仅能依靠芯片自身内部的电路来进行防护
。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种过度电性应力防护装置，可针对过度电性应力事件，进行电压或电流的检测以及宣泄，以避免伤害芯片内部组件
。
[0005]本专利技术的过度电性应力防护装置用以防护芯片的内部电路，内部电路透过焊垫接收输入电压，过度电性应力防护装置包括第一防护电阻电路
、
检测电路
、
分压电路以及放电防护电路
。
第一防护电阻电路耦接芯片的该焊垫
。
检测电路耦接第一防护电阻电路，检测输入电压，于输入电压高于默认电压时，提供开启电压
。
分压电路耦接检测电路与接地端，第一防护电阻电路
、
检测电路以及分压电路于输入电压高于默认电压时形成第一放电路径
。
放电防护电路耦接焊垫
、
检测电路以及接地端，依据开启电压提供至少一第二放电路径
。
[0006]在本专利技术的一实施例中，上述的检测电路包括晶体管，其第一端与第二端分别耦接第一防护电阻电路与分压电路，晶体管的控制端耦接控制电压，晶体管于输入电压高于默认电压时被导通
。
[0007]在本专利技术的一实施例中，上述的放电防护电路包括第二防护电阻电路
、
开关电路以及第三防护电阻电路
。
第二防护电阻电路耦接芯片的焊垫
。
开关电路耦接第二防护电阻电路与检测电路
。
第三防护电阻电路耦接于开关电路与接地端之间，开关电路受控于开启电压而被导通，以提供第二放电路径
。
[0008]在本专利技术的一实施例中，上述的开关电路包括晶体管，晶体管耦接于第二防护电阻电路与第三防护电阻电路之间，晶体管的控制端耦接检测电路，晶体管受控于开启电压而被导通，以提供第二放电路径
。
[0009]在本专利技术的一实施例中，上述的放电防护电路包括第二防护电阻电路
、
多个开关电路以及多个第三防护电阻电路
。
第二防护电阻电路耦接芯片的该焊垫
。
多个开关电路耦接第二防护电阻电路与检测电路
。
多个第三防护电阻电路分别耦接于对应的开关电路与接地端之间，多个开关电路受控于开启电压而被导通，以提供多个第二放电路径
。
[0010]在本专利技术的一实施例中，各开关电路包括一晶体管，各晶体管分别耦接于第二防护电阻电路与对应的第三防护电阻电路之间，各晶体管的控制端耦接检测电路，各晶体管
受控于开启电压而被导通，以提供多个第二放电路径
。
[0011]在本专利技术的一实施例中，上述的多个晶体管具有不同的临界电压
。
[0012]在本专利技术的一实施例中，上述的分压电路分压开启电压而产生至少一分压电压，放电防护电路包括第二防护电阻电路
、
多个开关电路以及多个第三防护电阻电路
。
第二防护电阻电路耦接芯片的焊垫
。
多个开关电路耦接第二防护电阻电路
、
检测电路以及分压电路
。
多个第三防护电阻电路分别耦接于对应的开关电路与接地端之间，各开关电路受控于开启电压或对应的分压电压而被导通，以提供多个第二放电路径
。
[0013]在本专利技术的一实施例中，各开关电路包括晶体管，各晶体管分别耦接于第二防护电阻电路与对应的第三防护电阻电路之间，各晶体管的控制端耦接检测电路或对应的分压电压，各晶体管受控于开启电压或对应的分压电压而被导通，以提供多个第二放电路径
。
[0014]在本专利技术的一实施例中，上述的控制电压为系统电源电压
。
[0015]基于上述，本专利技术实施例的检测电路可检测输入电压，于输入电压高于默认电压时，提供第一放电路径，并提供开启电压给放电防护电路，以控制放电防护电路提供第二放电路径
。
如此可有效地在过度电性应力事件发生时，通过第一放电路径与第二放电路径快速地泄除过高的电压或电流，避免内部电路受到损害
。
[0016]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下
。
附图说明
[0017]图1是依照本专利技术的实施例的一种过度电性应力防护装置的示意图；
[0018]图2是依照本专利技术另一实施例的过度电性应力防护装置的示意图；
[0019]图3是依照本专利技术另一实施例的过度电性应力防护装置的示意图；
[0020]图4是依照本专利技术另一实施例的过度电性应力防护装置的示意图
。
具体实施方式
[0021]为了使本专利技术的内容可以被更容易明了，以下特举实施例做为本专利技术确实能够据以实施的范例
。
另外，凡可能之处，在附图及实施方式中使用相同标号的组件
/
构件，代表相同或类似部件
。
[0022]图1是依照本专利技术实施例的一种过度电性应力防护装置的示意图，请参考图
1。
过度电性应力防护装置
100
设置于芯片内部，用以防护芯片的内部电路
110
，芯片的内部电路
110
可通过焊垫
P1
接收输入电压
VIN。
过度电性应力防护装置
100
可包括防护电阻电路
102、
检测电路
104、
分压电路
106
以及放电防护电路
108
，防护电阻电路
102
耦接芯片的焊垫
P1
以及检测电路
104
，检测电路
104
耦接分压电路
106
以及放电防护电路
108
，分压电路
106
还耦接接地端
VSS
，此外，放电防护电路
108
耦接焊垫
P1
与接地端
VSS。
[0023]检测电路
104
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种过度电性应力防护装置，用以防护芯片的内部电路，所述内部电路透过焊垫接收输入电压，其特征在于，包括：第一防护电阻电路，耦接所述芯片的所述焊垫；检测电路，耦接所述第一防护电阻电路，检测所述输入电压，于所述输入电压高于默认电压时，提供开启电压；分压电路，耦接所述检测电路与接地端，所述第一防护电阻电路
、
所述检测电路以及所述分压电路于所述输入电压高于所述默认电压时，形成第一放电路径；以及放电防护电路，耦接所述焊垫
、
所述检测电路以及所述接地端，依据所述开启电压提供至少一第二放电路径
。2.
根据权利要求1所述的过度电性应力防护装置，其特征在于，所述检测电路包括：晶体管，其第一端与第二端分别耦接所述第一防护电阻电路与所述分压电路，所述晶体管的控制端耦接控制电压，所述晶体管于所述输入电压高于所述默认电压时被导通
。3.
根据权利要求1所述的过度电性应力防护装置，其特征在于，所述放电防护电路包括：第二防护电阻电路，耦接所述芯片的所述焊垫；开关电路，耦接所述第二防护电阻电路与所述检测电路；以及第三防护电阻电路，耦接于所述开关电路与所述接地端之间，所述开关电路受控于所述开启电压而被导通，以提供所述第二放电路径
。4.
根据权利要求3所述的过度电性应力防护装置，其特征在于，所述开关电路包括晶体管，所述晶体管耦接于所述第二防护电阻电路与所述第三防护电阻电路之间，所述晶体管的控制端耦接所述检测电路，所述晶体管受控于所述开启电压而被导通，以提供所述第二放电路径
。5.
根据权利要求1所述的过度电性应力防护装置，其特征在于，所述放电防护电路包括：第二防护电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昌庭，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：