具有岛状结构的半导体元件的制造方法技术

本申请提供一种半导体元件的制造方法。该制造方法包含：提供一基板，其包括一阵列区及一外围区，其中该阵列区及该外围区定义出一阶梯结构；进行一沉积工艺以在该阵列区及该外围区上方形成一钝化层；进行一蚀刻工艺以去除该阵列区上方的该钝化层的一部分；以及进行一化学机械研磨工艺，使得该钝化层在该阵列区及该外围区上方具有大致上连续的一表面。外围区上方具有大致上连续的一表面。外围区上方具有大致上连续的一表面。

【技术实现步骤摘要】
具有岛状结构的半导体元件的制造方法
[0001]交叉引用
[0002]本申请案主张美国第17/847,334及17/848,243号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年6月23日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本公开涉及一种半导体元件的制造方法，特别涉及一种具有岛状结构的半导体元件的制造方法。

技术介绍

[0004]随着电子工业的快速成长，集成电路(IC)的发展已经实现了高性能及小型化。IC材料及设计的技术进步造成IC发展的反复演进，每一次演进都提供越来越小且更复杂的电路。
[0005]动态随机存取存储器(DRAM)元件为一种随机存取存储器，其将数据的每一位元存储于集成电路内各别的电容中。通常，DRAM排列成每个单元一个电容及晶体管的方形阵列。已开发出用于4F2的DRAM单元的一种垂直晶体管，其中F代表光刻最小特征宽度或临界尺寸(CD)。然而，近来，随着字元线间距持续缩小，DRAM制造商面临着缩小存储器单元面积的巨大挑战。例如，阵列区及外围区可定义出一阶梯结构，且一钝化层可在阵列区与外围区之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制造方法，包括：提供一基板，其包括一阵列区及一外围区，其中该阵列区及该外围区定义出一阶梯结构；进行一沉积工艺以在该阵列区及该外围区上方形成一钝化层；进行一蚀刻工艺以去除该阵列区上方的该钝化层的一部分；以及进行一化学机械研磨工艺，使得该钝化层在该阵列区及该外围区上方具有大致上连续的一表面。2.如权利要求1所述的制造方法，其中该外围区上方的该钝化层未被该蚀刻工艺去除。3.如权利要求1所述的制造方法，其中在进行该蚀刻工艺之后，该阵列区上方的该钝化层定义出一凹槽。4.如权利要求3所述的制造方法，其中该阶梯结构定义出一第一高度差，且该凹槽定义出大于该第一高度差的一第二高度差。5.如权利要求3所述的制造方法，其中该凹槽的一底表面高于该外...

【专利技术属性】
技术研发人员：张镇丞，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：