【技术实现步骤摘要】
本申请案主张美国第17/880,867号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年8月4日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开内容关于一种半导体元件，特别是关于一种包括标记结构以测量叠置(overlay)的半导体元件。
技术介绍
1、随着半导体产业的发展，在微影(lithography)操作中减少光阻图案与底层图案的叠置误差变得更加重要。由于受各种因素的影响，如叠置标记结构的当层(currentlayer)与前层(pre-layer)之间的系统误差，使得正确测量叠置误差变得更加困难，因此开发一种新的半导体元件及其方法，以能更精确地测量叠置误差。
2、上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一第一图案以及一第二图案。该第一图案设置于该基底上。该第一图案包括一第一段及一第二段，且该第一段及该第二段中的每一个都沿一第一方向延伸。该第二图案设置于该第一图案上。该第二图案包括沿着不同于该第一方向的一第二方向延伸的一第一部分。该第二图案的该第一部分沿不同于该第一方向及该第二方向的一第三方向与该第一段及该第二段重叠。该第一图案及该第二图案与一叠置误差有关。
2、本公开的另一个方面提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一导电层、一导电接触、一第一图案以
3、本公开的另一个方面提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底。该制备方法还包括在该基底上形成一第一图案。该第一图案包括一第一段及一第二段，且该第一段及该第二段中的每一个都沿一第一方向延伸。该制备方法更包括在该第一图案上形成一第二图案。该第二图案包括沿着不同于该第一方向的一第二方向延伸的一第一部分。该第二图案的该第一部分沿不同于该第一方向及该第二方向的一第三方向与该第一段及该第二段重叠。该第一图案及该第二图案与一叠置误差有关。
4、在一些实施例中，该第一图案及该第二图案共同定义沿该第二方向的该叠置误差。
5、在一些实施例中，该第一图案包括一金属化层，而该第二图案包括一孔洞以曝露出该金属化层。
6、在一些实施例中，该第二图案的该第一部分连续延伸穿过该第一图案的该第一段及该第二段。
7、在一些实施例中，该第二图案的该第一部分包括沿该第一方向的一第一尺寸及沿该第二方向的一第二尺寸，并且该第二尺寸超过该第一尺寸。
8、在一些实施例中，该制备方法更包括：形成一导电层，其中该导电层位于一第一水平面的位置处，且该第一图案位于该第一水平面的位置处。
9、在一些实施例中，该制备方法更包括：在该导电层上方形成一导电接触，其中该导电接触中的每一个都位于比该第一水平面更高的一第二水平面的位置处，且该第二图案位于该第二水平面的位置处。
10、在一些实施例中，该导电接触沿该第一方向具有一第一间距，该第二图案沿该第一方向具有一第二间距，并且该第一间距与该第二间距实质上相同。
11、在一些实施例中，该第二图案更包括沿该第二方向与该第一部分对齐的一第二部分，并且其中该第一图案的该第一段与该第二段之间的一第一距离超过该第二图案的该第一部分与该第二部分之间的一第二距离。
12、本公开的实施例提供一种包括叠层标记结构的半导体元件。该叠置标记结构包括作为前层(pre-layer)的金属化层。该叠置标记结构包括被一介电层所定义作为当层(current layer)的开口。当测量金属零(m0)层(如导电层)与c0层(如金属零层上的导电接触)之间的一叠置误差时，前层与当层可以不存在系统误差。
13、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属
中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或过程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。
【技术保护点】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二图案设置于该第一图案上方。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一图案包括一金属化层，而该第二图案包括一孔洞以曝露出该金属化层。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二图案的该第一部分沿该第二方向连续延伸穿过该第一图案的该第一段及该第二段。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二图案的该第一部分包括沿该第一方向的一第一尺寸及沿该第二方向的一第二尺寸，并且该第二尺寸超过该第一尺寸。
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二图案更包括沿该第二方向与该第一部分对齐的一第二部分，并且其中该第一图案的该第一段与该第二段之间的一第一距离大于该第二图案的该第一部分与该第二部分之间的一第二距离。
7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该第二图案的该第二部分沿该第三方向不与该第一图案的该第一段及该第二段重叠。
8.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一图案设置于该第二图案上方。
9.如权利要求1所述的半导体元
10.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一图案及该第二图案共同定义沿该第二方向的该叠置误差。
11.一种半导体元件，包括：
12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一图案具有一第一金属化层及与该第一金属化层分离的一第二金属化层，且该第一金属化层及该第二金属化层中的每一个都沿一第一方向延伸，而该第二图案具有沿不同于该第一方向的一第二方向延伸的一第三金属化层。
13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该第三金属化层沿不同于该第一方向及该第二方向的一第三方向与该第一金属化层重叠。
14.如权利要求13所述的半导体元件，其中该第三金属化层沿该第三方向与该第二金属化层重叠。
15.如权利要求13所述的半导体元件，其中在一俯视图中，该第三金属化层具有延伸到该第一金属化层与第二金属化层之间的一第一部分。
16.如权利要求15所述的半导体元件，其中该第三金属化层具有沿该第三方向不与该第一金属化层及该第二金属化层重叠的一第二部分，并且在该俯视图中，该第一图案的该第一金属化层设置于该第一图案的该第二金属化层与该第三金属化层的该第二部分之间。
17.如权利要求12所述的半导体元件，其中该第二图案包括沿该第二方向与该第三金属化层对齐的一第四金属化层，并且该第一金属化层与该第二金属化层之间的一第一距离超过该第三金属化层与该第四金属化层之间的一第二距离。
18.如权利要求12所述的半导体元件，其中该第三金属化层沿该第二方向连续延伸穿过该第一金属化层及该第二金属化层，并且该第二图案沿该第二方向与该多个导电接触对齐。
19.如权利要求12所述的半导体元件，其中该第三金属化层与该第一金属化层接触，该多个导电接触沿该第一方向具有一第一间距，该第二图案沿该第一方向具有一第二间距，并且该第一间距与该第二间距实质上相同。
20.一种半导体元件的制备方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二图案设置于该第一图案上方。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一图案包括一金属化层，而该第二图案包括一孔洞以曝露出该金属化层。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二图案的该第一部分沿该第二方向连续延伸穿过该第一图案的该第一段及该第二段。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二图案的该第一部分包括沿该第一方向的一第一尺寸及沿该第二方向的一第二尺寸，并且该第二尺寸超过该第一尺寸。
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二图案更包括沿该第二方向与该第一部分对齐的一第二部分，并且其中该第一图案的该第一段与该第二段之间的一第一距离大于该第二图案的该第一部分与该第二部分之间的一第二距离。
7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该第二图案的该第二部分沿该第三方向不与该第一图案的该第一段及该第二段重叠。
8.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一图案设置于该第二图案上方。
9.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二图案包括一金属化层，而该第一图案包括一孔洞以曝露出该金属化层。
10.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一图案及该第二图案共同定义沿该第二方向的该叠置误差。
11.一种半导体元件，包括：
12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一图案具有一第一金属化层及与该第一金属化层分离的一第二金属化层，且该第一金属化层及该第二金属化层中...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶至轩，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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